氧化铝湿度计的校准—动态校准法

氧化铝湿度计测定气体中水份是一个相对方法,需用标准方法进行校准.我们拟制了动态校准法.该方法解决了零点气体的获得;湿度的连续变化;湿度的绝对测量三个问题.本校准装置的校准范围为0.001～100PPmvH_2O(相当于-110℃～-20℃露点).调校后的校准曲线是一条近于45°的直线.经校准的氧化铝湿度计与多种测湿器进行对照测定,所得结果一致.这表明动态校准法和氧化铝湿度计的测定结果都是准确可靠的.对校准过程中应注意的问题进行了讨论.由误差分析估计出动态校准法的准确度可控制在±2℃露点以内.这与目前国外同类仪器的准确度基本相同.     

气体中微量水份的测定—露点法和氧化铝电容法

前言在半导体材料及电子器件生产中,要用到诸如氢、氮、氧、氩和氦等高纯气体,气体纯度严重影响产品质量。如氢、氮等气体及其流经的系统中的水份和氧,对硅及Ⅲ-V族化合物是极其有害的杂质。在硅外延工艺中,氢中水份达100vpm时,硅外延层会变成多晶结构。在MOS大规模集成电路的硅栅多晶薄膜工艺中,若稀释气体中含有微量水份,使多晶硅薄膜中夹有“氧化硅集团”,从而在刻蚀多晶硅薄膜时,造成多晶硅脱落,致使电学性能变坏。由上可知,对高纯气体及其流经系统中的微量氧和水份必须进行监测和控制。     

WS型微量水分测定仪及其应用

本文概述了WS型微量水分测定仪(氧化铝电容式湿度计)的结构、测量原理。该仪器具有灵敏、准确、量程宽、不需液氮、操作简便并可连续测量等优点。测量范围:-90℃～-20℃露点(相当于0.1～1000ppm_v)。与多种露点仪及电解式水分仪所得结果一致。可用来测定电子工业用纯气体,如氢、氦、氩等气体中微量水分。     

露点仪的研制及其应用

为测定气体中微量水分,设计了简易目视镜面露点仪,对仪器的结构参数、准确度和应用进行了研究。目视露点仪的测量误差为±1℃露点,最低安全检测下限达-110℃露点(相当于1ppb_v H_2O),可用作次级基准和工作基准.     

气体中微量水份的测定一露点法和氧化铝电容法

在半导体材料及电子器件生产中，要用到诸如氢、氮、氧、氩和氦等高纯气体，气体纯度严重影响产品质量。如氢，氮等气体及其流经的系统中的水份和氧，对硅及Ⅲ一V族化合物是极其有害的杂质。在硅外延工艺中，氢中水份达100vpm时，硅外延层会变成多晶结构。在MOS大规模集成电路的硅栅多晶薄膜工艺中，若稀释气体中含有微量水份，使多晶硅薄膜中夹有“氧化硅集团”，从而在刻蚀多晶硅薄膜时，造成多晶硅脱落，致使电学性能变坏。由上可知，对高纯气体及其流经系统中的微量氧和水份必须进行监测和控制。