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采用反应磁控溅射方法在Ge衬底上分别制备了HfTiO和HfO2高κ栅介质薄膜,并研究了湿N2和干N2退火对介质性能的影响。由于GeOx在水气氛中的水解特性,湿N2退火能分解淀积过程中生长的锗氧化物,降低界面态和氧化物电荷密度,有效提高栅介质质量。测量结果表明,湿N2退火Al/HfTiO/n-GeMOS和Al/HfO2/n-GeMOS电容的栅介质等效厚度分别为3.2nm和3.7nm,-1V栅偏压下的栅极漏电流分别为1.08×10-5A/cm2和7.79×10-6A/cm2。实验结果还表明,HfTiO样品由于Ti元素的引入提高了介电性能,但是Ti的扩散也使得界面态密度升高。 相似文献
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对不同栅氧化物n-MOSFETs的GIDL(Gate-InducedDrainLeakage)特性在不同热载流子应力下的退化行为进行了研究.发现GIDL的漂移对栅电压十分敏感,在VG=0.5VD的应力条件下呈现最大.通过对漏极附近二维电场及载流子分布的模拟,引入“亚界面陷阱”概念,对所涉及的机理提出了新见解,认为:在应力期间,亚界面和体氧化物空穴陷阱的解陷分别相应于VG=0.5VD和VG=VD两种典型应力下GIDL的漂移.实验还观察到N2O氮化,特别是N2O退火NH3氮化的n-MOSFETs比常规热氧化n 相似文献
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文章研究了SiC中杂质非完全离化对器件性能的影响.通过考虑场致离化效应,分析了空间电荷区电荷密度与表面势的关系,得出在SiC MOSFET反型条件下,可近似认为杂质完全离化.在此基础上,模拟了4H-SiC MOSFET的漏电流-栅压曲线和迁移率-栅压曲线.模拟结果与实验数据非常吻合. 相似文献
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扩展电阻温度传感器的参数优化 总被引:1,自引:1,他引:0
对扩展电阻温度(SRT)传感器的阻温特性(R-T)进行了研究。实验结果表明,器件的结构尺寸、衬底的掺杂浓度大大地影响着器件的最高工作温度(Tmax),而工艺条件的影响很小。适当小的n^ 圆形半径和适当高的衬底掺杂可使SRT传感器的正温度系数(PTC)工作区在2mA的正向偏置电流下拓宽至400℃以上。 相似文献