FPGA中低噪声CCD时序驱动电路设计

在分析Toshiba公司TCD1209D型CCD工作原理的基础上,分析了驱动时序的关系,详细介绍了驱动电路的设计和实现方法.用Verilog语言设计了TCD 1209D的驱动时序控制电路;选用CyclonelⅣ系列FPGA器件,使用QuartusⅡ软件对设计电路进行了功能仿真,实现了TCD1209D的高速时序驱动;在CycloneⅣ芯片平台上测试了TCD 1209D的实际输出信号.实验结果显示,CCD信号噪声较小,验证了所设计驱动电路的可行性,确定了相关双采样的时刻和位置,为小型CCD测量系统的设计提供了有益参考.     

一种基于光伏新能源的一键报警救助系统的设计与实现

户外遇险救助行为中,多种因素导致救援出现时间延迟,导致损失扩大。文章设计里一种新的一键报警救助装置,它由监控后台和多个报警柱构成。报警柱采用光伏新能源供电,地埋蓄电池储能,利用现有网络或自组网络方式实现报警柱与监控后台的双向交互通信。不仅可以进行报警呼救,而且监控后台操作人员可以主动查看报警柱周围情况。在重庆北碚缙云山国家级自然保护区建立了一套测试系统,包括一个监控后台和四个报警柱,最远距离超过5km,试运行效果良好。     

沉积条件对RF反应溅射多晶ZnO薄膜结构的影响

采用ＲＦ反应溅射法在Ｓｉ（１１１）、玻璃衬底上制备了具有良好Ｃ轴承向的多晶ＺｎＯ薄膜。用ＸＲＤ分析了沉积条件（衬底温度、工作气体中的氧与氩气压比和衬底种类）对样品结构的影响,发现（１）薄膜的取向性随着衬底温或高而增强,超过４００℃后薄膜质量开始变差;（２）工作气体中氧与氩气压比（Ｐｏ２／ＰＡｒ）为２：３时,薄膜取向性最好;（３）薄膜晶粒尺寸１１－３４ｎｍ,相同沉积条件下,单晶硅衬底样品（００２）衍     

CTLM测量金属/半导体欧姆接触电阻率

系统地介绍了用圆形传输线模型（ Ｃ Ｔ Ｌ Ｍ） 测量金属／ 半导体欧姆接触电阻率的基本原理。以 Ａｌ／ Ｓｉ 接触为例研究了不同掺杂浓度和不同温度退火对接触特性和接触电阻率ρ Ｃ 的影响。测量得到 Ａｌ／ Ｓｉ 欧姆接触电阻率的最小值约为２ ．４ ×１０ － ５ Ω·ｃｍ ２ 。     

用半导体激光器测量普朗克常量

文章介绍了用激光器做单色光源,用于光电效应法测量普朗克常数实验,半导体激光器具有单色性好、波长稳定、寿命长、价格便宜、驱动简单、不需预热等优点,是光电效应测量普朗克常数实验中的理想光源,实验证明利用激光光源来测量普朗克常数,实验系统简单、测量方便、测量结果满足实验误差要求。     

卷积神经网络超分辨率杨氏接触角图像测量系统

为提高接触角测量的精度,制备了一套采用卷积神经网络图像超分辨率算法(SRCNN)的接触角测量系统,采用SRCNN图像重建得到高分辨率图像以提高系统稳定性。该系统实现量高法、多项式拟合法、Young-Laplace方程拟合法三种方法进行接触角重复性测量实验,其中多项式拟合法和Young-Laplace方程拟合法的动态精度分别可以达到±0.25°,±0.1°,较传统方法分别提高0.1°,0.2°,实现了高精度接触角测量。     

Au/Ti/p型金刚石膜欧姆接触特性研究

在重掺杂硼金刚石膜上溅射沉积了Ti/Au接触 ,用CTLM测量了样品退火前后的I-V特性 ,并对大电流情况进行了讨论。就测试温度和光照强度对接触特性的影响进行了分析。定性给出了该接触的能带模型。样品接触电阻率 ρc 最低值达 1.2 3 6× 10 - 6 Ω·cm2 。     

溅射法制备TiO2薄膜过程中靶中毒现象的消除及样品表征

用氧脉冲直流反应磁控溅射法,在载玻片衬底上制备了不同初始氧浓度和不同断氧时间％的多晶TiO2纳米薄膜,并对薄膜的厚度、晶体结构及表面形貌进行了研究。研究发现,脉冲式通氧能有效消除靶中毒,将薄膜沉积速率最大提高到3～5nm／min,并且当断氧时间大于30s时,沉积速率在2．5nm／min以上;薄膜的晶体结构和形貌随着氧浓度和断氧时间而变化,在初始氧浓度为30％、断氧时间为30s时,金红石结构样品具有最佳结晶程度,并且薄膜的表面平整、晶粒尺寸分布均匀,而锐钛矿结构的最佳结晶条件是氧浓度30％或50％、断氧时间20s.     

光伏组件最优化除尘方案设计原则分析

在指出灰尘效应发生的原因和列举灰尘效应基本特征的基础上,分析提出了最优化除尘方案设计应遵循的几个基本原则:无水无清洁剂、能感知灰尘状态与环境参数、转动部件少、轻质易安装维护、低能耗。对探寻有效的灰尘驱除方法具有重要的指导意义。     

脉冲供氧反应磁控溅射TiO2薄膜的结构和形貌研究

利用脉冲供氧反应磁控溅射制备了TiO2薄膜。分别用XRD和SEM研究了晶体结构和表面形貌。结果表明,当氧浓度高或Toff小,样品为锐钛矿结构,晶粒大小20～30nm;而当氧浓度低或Toff大,样品为金红石结构,晶粒大小10～15nm。应变分析表明,锐钛矿结构只存在压应变,大小0．044～0．211;而金红石存在压应变（大小0．021-0．398）或张应变（大小0．182～0．438）。氧浓度低（或Toff大）样品具有更平整的表面和更均一的晶粒大小。