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Journal of Machinery Manufacture and Reliability - A device based on smart alloys has been designed for use in machine building items, in particular, in nuclear engineering, for preventing...  相似文献   
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It was shown that use of AS32–AS50 diamond powders (instead of AS6–AS15 powders) combined with a new metal bond with hardness of HB 75–85 (in comparison to M2-01 binder) allows prolonging the lifetime of wheels by 1.5–2 times in grinding articles made of commercial and art glass, reducing the specific diamond consumption, and increasing the cutability of the instrument.  相似文献   
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This paper analyses the load influence on a d.c. drive motor servo system for all six degrees of freedom of industrial robots with an articulated configuration. Through the analyses, the analytical equations of total inertia and gravitation moments of an industrial robot servo system for external coordinate function were obtained. A mathematical model of an electro-mechanical industrial robot system was also developed.  相似文献   
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The possibilities of using influenza A (Leningrad) 385/80 (H3N2) virus matrix protein-specific FITC-labeled D8 monoclonal antibodies in immunofluorescence assays were investigated. The virus antigen accumulation was detected in chorioallantoic cells of chick embryos. Exhibiting the type-specific properties, the fluorescent antibodies stain the perinuclear space, cytoplasmic membrane, and granular structures in the cytoplasm of infected cells. The haemagglutination test tires in the corresponding specimens were at least 1:16.  相似文献   
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The characteristic features of the continuous-wave lasing spectra near 3.3 μm of multimode InAsSbP/InAsSb/InAsSbP double-heterostructure diode lasers are shown. The observation of mode switching to longer and shorter wavelengths at cryogenic temperatures is reported. It is shown that suppression of the longitudinal side modes closest to the main mode results in large mode jumps in energy during mode tuning by current. The characteristics which were observed are explained by gain spectrum inhomogeneity due to spectral hole burning in narrow-gap semiconductors. The intraband charge-carrier relaxation times in the active region are estimated. Fiz. Tekh. Poluprovodn. 39, 1139–1144 (September 1998)  相似文献   
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