一种高性能的新结构IGBT

提出了一种低功率损耗的新结构IGBT.该新结构的创新点在于其复合耐压层结构,该耐压层包括深扩散形成的n型缓冲层和硼注入形成的透明背发射区两部分.虽然在正常工作条件下,该新结构IGBT工作于穿通状态,但器件仍具有非穿通IGBT(NPT-IGBT)的优良特性.该新结构IGBT具有比NPT-IGBT更薄的芯片厚度,从而可以获得更好的通态压降和关断功耗之间的折衷.实验结果表明:与NPT-IGBT相比较,新结构IGBT的功率损耗降低了40%.     

基于NURBS的PDE曲面构造法研究及应用

由非均匀有理Ｂ样条曲线曲面给定边界条件，用偏微分方程来构造曲面，以参数“ａ”控制其整体形状，本文分析其思路原理及过程，并列举了在ＣＡＤ上的应用，最后分析了优缺点。     

GCr15控制轧制新工艺的模拟研究

用热扭转试验机，实现了热变形模拟轴承钢控制轧制工艺。研究了形变过程中所发生的静态和动态软化过程，观察了形变后的组织，证实在生产过程中实现的可能性，为在生产中推广使用提供了科学依据。     

基于解析解的四阶PDE曲面裁剪方法

该文提出了一种可以广泛应用于四阶PDE曲面的裁剪方法。利用PDE的参数域内的曲线在曲面上投影,得到所求裁剪曲面的边界曲线,然后通过边界曲线的导矢与曲面在边界曲线处的法向量得到边界曲线处的跨界导矢,最后以求得的裁剪曲面的边界曲线以及裁剪曲面在边界曲线处的跨界导矢为PDE曲面的边界条件,用四阶的PDE曲面方程求得PDE裁剪曲面。     

GaAs／AlAs DBR的GSMBE优化生长及表征

采用气态源分子束外延（GSMBE）技术优化生长了GaAs／AlAs分布布拉格反射镜（DBR）材料，并用X射线衍射（XRD）及反射光谱对其生长质量进行了表征。结果表明，采用5S间断生长的GaAs／AlAs DBR材料质量和界面质量优于无间断生长，并且10对GaAs／AlAs DBR的质量优于30对，说明DBR对数越多，周期厚度波动越大，材料质量越差。优化生长得到的30对GaAs／AlAsDBR的反射率大于99％，中心波长为1316nm，与理论设计结构的模拟结果基本一致，可用作1．3μm垂直腔面发射激光器（VVSEL）直接键合的反射腔镜。     

基于ATmega64的高分辨心电信号采集电路的研制

实时动态心电图仪一直是临床广泛应用的医疗器械之一,为使对心电信号(ECG)的采集和初步处理比传统测量方法更加准确可靠,利用USB串行通信和计算机组成了高智能化心电监护仪;该设计以ATmega64及高速16位ADC(AD7677)为核心,利用双极性肢体导联采集微弱电压经放大,带通滤波,工频肌电陷波后通过模数ADC(AD7677)进行采样,而研制了一套高分辨心电信号采集电路,数据最终送入计算机进行处理;结果表明心电信号纯净并可实时显示。     

基于解析法的裁剪PDE曲面的生成技术

为解决基于偏微分方程的曲面裁剪问题,研究一种广泛应用于偏微分方程曲面的裁剪方法.首先介绍基于偏微分方程的曲面生成方法,其次由参数域内的曲线在曲面上的投影,得到所求裁剪曲面的边界,然后利用解析法求得裁剪后的PDE曲面,最后列举一系列的实例来说明该裁剪方法的应用并且专门研究多个裁剪区域的问题.     

具有应变沟道及EOT 1.2nm高性能栅长22nm CMOS器件

深入研究了亚30nm CMOS关键工艺技术,特别是提出了一种新的低成本的提高空穴迁移率的技术--Ge预非晶化S/D延伸区诱生沟道应变技术,它使栅长90nm pMOS空穴有效迁移率在0.6MV/cm电场下提高32%.而且空穴有效迁移率的改善,随器件特征尺寸缩小而增强.利用零阶劳厄线衍射的大角度会聚束电子衍射分析表明,在沟道区相应的压应变为-3.6%.在集成技术优化的基础上,研制成功了高性能栅长22nm应变沟道CMOS器件及栅长27nm CMOS 32分频器电路(其中分别嵌入了57级/201级环形振荡器),EOT为1.2nm,具有Ni自对准硅化物.     

含N,N-二甲基甲酰胺废水的处理方法研究

N,N-二甲基甲酰胺(DMF)作为一种性能优良的有机溶剂被广泛运用于农药医药等行业作为中间体及气体吸收剂,化工废水中含有大量DMF,具有毒性高、稳定性强、难生物降解等特点。近年来废水中的DMF问题已成为国内外研究的重点和难点,本文针对含DMF的化工废水处理方法进行了综述,主要从物理法、化学法以及生物法等工艺的研究概括及原理介绍,指出了含DMF废水的主要问题并提出了未来的发展方向。     

大气吸收系数的研究与应用

定义了大气吸收系数的概念．通过试验及理论分析．得出我国各地区大气吸收系数推荐值,并时体育场场地照明照皮计算进行修正。