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1.
2.
给出了具有二三个量是的In1-xGaxAsyP1-y/InP张应变量子阱材料的光荧光谱及x射线双晶衍射摇摆曲线,指出了荧光峰为量子阱中导带子带和阶带子带间本征复合机构所致。理论上分析了光荧光谱中双峰强度比随温度变化的关系,理论计算和实测结果基本一致。 相似文献
3.
4.
本文介绍了InP、InGaAs、InGaP、InGaAsP等的光压港(PVS)。并把InGaAsP(在特定组份下)的PVS与FFT—PL谱进行了比较;分析和讨论了PVS测试的局限性和复杂性;指出了对多层异质结构材料,只有把器件结构、外延工艺、ECV测试等结合起来,才可能正确地理解PVS给出的测试结果。 相似文献
5.
幸福灌区是一古老的灌区,至今已有2 400余年的历史。文章从灌区的概况,生态林规划范围、技术要求和资金等方面,对生态林进行规划;同时对生态林的管理及其生态、经济、社会效益加以阐述;形成一种人与自然和谐统一,打造幸福灌区渠道两堤岸绿色长廊,防治灌区水毁工程发生,确保灌区生态环境的良性循环,从而实现灌区的可持续管理。 相似文献
6.
灌区信息自动化系统是灌区管理现代化的发展趋势。引岳入安生态调水工程中应用的信息自动化系统具有一定的实践成功经验,对实现粮食生产和工业、生活用水管理工作的科学化、现代化的管理目标,以及改善辖区人民的生活环境、加快经济发展具有十分重要的意义,同时也为同行业管理工作的革新开辟了一条新途径。 相似文献
7.
双晶衍射摇摆曲线的全面分析需用计算机模拟高木方程能得到,其信息广但不直观。本文讨论了MOCVD外延片X射线衍射中的干涉指纹,指出了用干涉指纹测试簿膜厚度的精确性,讨论了干涉指纹出现的一些特征,使能直观地得到一些外延片的结构信息,为识别和正确使用干涉指纹估算簿层厚度提供依据。 相似文献
8.
本文报告了采用全离子注入技术制作的p~+n平面型结构的Ge-APD,保护环注Be~+,P+层注B~+(或In~+)形成.测量结果表明,击穿电压Vs在37至50伏,光敏面直径为90μm,在0.9V_B下,带尾纤的探测器暗电流可小至0.15μA,典型值为0.2至0.5μA,光电流倍增因子M在 12至 17,M=10时,过剩噪声因子 F<10,光响应度大于 0.5A/W. 相似文献
9.
10.
本文论述了暗电流I和光倍增因子M_p与温度T的关系,并测量了InGaAs/InGaAsP/InP SAGM-APD的暗电流—温度变化率与M_p-T特性。当温度由20℃升至90℃时,暗电流将增大10~30倍;而由20℃升至60℃时,光倍增因字M_p将减小1/3左右。文中还建议以严格的高低温循环来淘汰可能早期失效的SAGM-APD管芯。 相似文献