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1.
“我过几天要去听莫文蔚的演唱会,想先下点儿她的歌补习补习,怎么能—次下整张专辑呀?” 相似文献
2.
小丽就要独身一人去北京发展了,在无锡的一帮同学准备办一个派对欢送她北漂。不过还有几个好友身在外地无法赶来,怎么办呢?有同学建议在线视频直播,让外地的同学也能“参加”。这事,自然就落在了我的身上。 相似文献
3.
现在,杀毒软件(以下简称杀软)已成必装软件!如果现在告诉你说一款大型杀软免费了,你也许会和其他网友一样起疑心。可天底下的事儿就是在尔虞我诈之间艰难前行着,免费的到底好不好,看看下文就知道。我们想说的是,满足需求,够用就好! 相似文献
4.
随着国家环境保护部于2011年颁布了《火电厂大气污染物排放标准》(GB13223-2011),全面提高了燃煤电厂二氧化硫、氮氧化物和颗粒物的排放标准,电力环保行业将成为国家十二五期间的重点关注领域,更高的排放标准对于当前火电厂的脱硫、脱硝及除尘设施提出了较高要求,特别是需要针对上述系统的流场分布情况进行系统的优化设计. 相似文献
5.
脑科学也称为神经科学,与神经生物学常常通用.近几十年来脑科学的发展推动了教育领域的重大转变,教育教学必须符合大脑活动的客观规律方能取得成效.基于脑科学重新认识建构主义的学习理论可知:学习是个体积极主动地进行意义建构的过程,意义的搜寻是人脑与生俱来的,意义建构的生理基础是脑和神经元;意义建构过程须依托有意义的学习情境和人际协作,环境中的适宜刺激是引起脑可塑性变化的必要条件,情绪是学习过程中的一个基本催化剂. 相似文献
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7.
为研究辐照缺陷产生及其热稳定性,对SiC晶体实施了不同通量中子辐照.利用高分辨X射线衍射和单晶X射线衍射研究了中子辐照6 H-SiC晶体的肿胀效应以及退火对肿胀的回复作用.研究结果表明,SiC晶体经中子辐照后产生的主要缺陷是点缺陷,中子辐照通量越大,SiC晶体肿胀效应越显著.在2.85×1024 n/m2辐照通量下,SiC晶体未出现非晶化.高温退火可使肿胀的SiC晶格回复,1450℃退火275 min晶胞参数回复至辐照前水平.退火过程晶胞体积回复符合一级反应方程,利用等温退火方法计算分析迁移能分布.实验发现不同缺陷迁移能分别对应不同退火温度阶段:0.16 eV对应200~500℃退火;0.24 eV对应600~1100℃退火;1.15 eV对应1200~1400℃退火.200~500℃温度区间主要是C的Frenkel缺陷复合;600~1100℃温度区间主要是Si的Frenkel缺陷复合;更高温度区间1200~1400℃则对应C、Si间隙原子复合.实验结论对全面掌握晶体测温技术、提高测温精度具有一定的指导意义. 相似文献
8.
针对智能电表的功耗和成本问题,设计验证了一种降低功耗的动态管理方案。该动态功耗管理方案对不同的任务进行了类别划分,改进了动态模式切换,使得系统更早更合理的进入低功耗模。在无法进行工作模式切换的条件下,使用简单的动态频率调节进一步降低功耗,并详细阐述了方案的实现方法。同时,制作了智能电表样机,在样机上应用并验证了该动态管理方案。根据样机的验证结果表明,在智能电表应用该功耗动态管理方案后,样机的平均工作频率有所降低,智能电表功耗有效的降低。 相似文献
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