随机徐变应力影响下重力坝时变可靠度初探

由于重力坝的随机温度场以及随机徐变应力场均为非平稳随机过程，由此所涉及的结构可靠度是非平稳向量随机过程非线性组合的时变可靠度．本文计入重力坝徐变应力场和混凝土强度随机性的影响，将时变可靠度的数值解法与随机有限元法相结合，模拟施工过程，对一典型重力坝的时变可靠度进行了计算，得出了一些有益的结论．     

硅／硅键合界面的正电子湮没分析

硅/硅键合是硅功率器件,功率集成电路以及集成传感器衬底制备新技术之一。键合界面的缺陷直接影响器件性能。我们采用正电子湮没技术对N/N~+硅键合片界面缺陷进行了研究。由正电子湮没谱可知:键合引入了界面缺陷,但其缺陷密度小于热扩散形成的N~-/N~+片而引入的缺陷。界面缺陷主要是一些复杂的空位团和微型空洞组成。而且在不同的退火温度下,缺陷状态不同,在高于键合温度下退火。可使键合片具有与原始硅片相近的特性。     

溪柄碾压混凝土薄拱坝运行期位移预测和实测

溪柄碾压混凝土薄拱坝设计采用了仿真的材料热学参数.这些参数是在预测的施工温度条件下进行的材料实验中测定的.设计模拟了施工全过程,进行坝体的累计温度及自重徐变应力计算,提供施工期末初应力.本文提供运行期某一时刻水压和温度下相对施工期末的简易计算位移,并把计算值和短系列的原型观测数据进行比较修正.上述两者应力叠加即为该时全应力值.运行期位移突变或向下游变位过大都不安全.     

不连续位移超奇异积分方程法解三维多裂纹问题

本文采用Ｂｅｔｉ互等功定理，导出了三维不连续位移基本解的一般形式，然后以该基本解为核函数，建立了求解三维多裂纹问题的超奇异边界积分方程组，并采用三角形单元变换技术和有限部分积分的方法给出了超奇异积分的数值解法，引入非协调单元处理技术解决了法向不确定的角点问题。最后，由裂纹面间断位移可直接求得裂纹前沿任意点的应力强度因子     

拱座接触应力的分布与改善

本文用简化计算得到了拱座处混凝土拱坝和岩基接触应力的弹性理论解表达式;给出了不同荷载形式下的应力分布状态;并研究了不同弹模比及泊松比对应力分布状态的影响。在同样条件下,将理论解与有限元解的结果进行了对比,以便确定有限元方法在计算接触应力时的适用范围,并讨论了局部灌浆措施对改善接触应力的作用。     

保护电路中的一种新型器件—半导体抗电涌器件

半导体抗电涌器件是放电管的理想升级换代产品，在通讯迅速发展的今天，它的问世具有十分重要的意义。     

硅／硅直接键合（SDB）平面型高反压大功率晶体管研究

本文介绍了近年新发展起来的硅片直接键合(SDB)技术,并利用该技术制造了性能良好的平面型高反压大功率晶体管,SDB技术比起常规的三重扩散和厚外延两种技术具有更吸引人的长处:①温度低、时间短;②高阻区厚度任意选择;③高阻区掺杂浓度也可以任意选择(由任意选择晶片电阻率而定)。     

ITO薄膜光学特性的研究

ITO薄膜是一种透明的导电膜,属于N型简并氧化物半导体,它能透过可见光,但反射红外辐射。ITO被广泛用作半导体器件的透明电极和作为形成异质结势垒的半导体材料。本文作者采用喷涂热解法制备ITO薄膜,发现其光学特性和电学特性受掺杂,环境气氛成膜温度和退火温度的影响。ITO的分子式为In_(2-x)Sn_xO_(3-y),作者利用PHI-550型俄歇能谱仪,用原子相对百分比浓度的方法来确定In_(2-x)Sn_xO_(3-y)中x和y值,改变掺杂量和环境气氛来控制x和y值变化。