电极边缘效应对ZnO压敏电阻片通流能力的影响

发现并研究了电极半径ｒ与瓷体半径Ｒ之比ｒ／Ｒ对ＺｎＯ压敏电阻片耐受２ｍｓ方波电流冲击能力的作用规律．利用平面电阻网络和立体氧化锌压敏电阻器网络，实验模拟了ｒ／Ｒ对电极边缘电流密度分布的作用规律，研究结果表明增大ｒ／Ｒ能使电流密度均匀化，因而能增强ＺｎＯ压敏电阻片的通流能力。     

ZnO压敏陶瓷的非线性功能添加剂

本文采用单元掺杂与多元掺杂的方法，系统研究了几种过渡金属氧化物添加剂在控制ＺｎＯ压敏陶瓷非线性方面的作用，并根据金属阳离子外壳层电子结构稳定性和缺陷化学反应进行了分析，认为阳离子具有不饱和外层电子结构且半径与Ｚｎ＾２＋离子相近的过渡金属氧化物能改善ＺｎＯ压敏陶瓷非线性。     

TiO_2阻容复合功能元件研究

1、前言在电子设备中,微型电动机越来越广泛使用,但这种电动机中整流子产生的火花电压会引起噪声,给设备带来不利影响。这就需要一种器件来消除噪声,保护设备。采用压敏电阻与电容器并联则可以满足这种要求。     

工程电介质本世纪的进展与21世纪的发展热点探讨

电介质学科创建于２０世纪初，其学科内容包括介质极化、损耗、电导和击穿的研究。至世纪中叶，工业背景主要为电气绝缘技术。进入下半世纪，一方面，在高电压输电技术发展的推动下，合成高分子电介质迅速代替天然材料成为主要的研究与开发热点；另一方面，功能电介质（包括铁电、压电材料）开始崭露头角，无线电技术为其应用背景。到世纪末，计算机及光电子信息技术的蓬勃发展，又推动电介质的研究开发进入到微波与光频波段。预测在     

改善ZnO压敏元件温度特性的研究

从实验上探索了降低ＺｎＯ压敏陶瓷元件泄漏电流温度系数的途径和方法，研制了特殊添加物，在通常的ＺｎＯ压敏瓷料中添加适量特殊添加物，可以改变ＺｎＯ压敏陶瓷泄漏电流的温度特性，达到降低泄漏电流温度系数的目的。泄漏电流随温度变化在３１～３４°Ｃ出现极大值可能是杂质离子对电子的散射作用所致。     

氧化锌避雷器阀片2ms方波筛选有关问题的研究

研究了氧化锌避雷器阀片２ｍｓ方波筛选提高整批阀片通流能力的可靠性水平的可行性，以及筛选电流值和次数对筛选有效性的影响，得出选用筛选电流值及其次数的原则和方向。     

氧化锌压敏陶瓷几何效应的统计法研究

本文实验研究了ZuO压敏陶瓷击穿、非线性指数α和脉冲大电流冲击后击穿场强E_1mA变化率的几何效应．对ZuO晶粒尺寸的统计分析表明它基本服从正态分布．建立了微观结构模型,计算机模拟得到的击穿几何效应规律与实验规律相同．临界厚度d_c与方差σ²和平均晶粒尺寸μ的乘积成正比．     

TiO_2系复合功能陶瓷的电性能研究

本文从材料设计的角度出发,参考电容-压敏复合功能陶瓷的理想结构,通过 Sb_2O_5施主掺杂控制材料的晶粒电阻率,借助 MnO_2的掺杂,调节材料的晶界势垒高度,探讨了它们对压敏特性和电容特性的影响.文中还对非线性系数、介电常数的理论值和实验值进行了比较.     

烧结过程对氧化锌压敏陶瓷晶核形成和生长过程的影响

粞文研究了烧结过程中升温速度及其温区对Ａ，Ｂ两类ＺｎＯ压敏陶瓷材料的晶粒尺寸和击穿场强的影响规律，发现加快４００－９５０℃段的升温速度，Ａ类试样的晶料 寸增大，击穿场强Ｅ从６０Ｖ／ｍｍ下降到１５－３０Ｖ／ｍｍ；Ｂ类试样的闰尺寸变小，Ｅ１ｍＡ从２２０Ｖ／ｍ提高到２９０Ｖ／ｍｍ，要文从晶核形成速度和晶粒生长速度与温度关系出发，对实验结果进行了分析，讨论留念方体系决定晶核形成速度与温度的关系，在瓷料合适     

氧化锌压敏电阻陡波特性的研究

介绍了四种压敏电阻试样在波前1ns左右、脉宽10～100ns极陡脉冲作用下的电流响应和电压响应特性.试验表明,在上述极陡波作用下,电流响应由峰值为I_m的容性电流开始,以后转为平稳的阻性电流I_s.I_m及I_s随外施电压u_0增加而增加,但增加情况随试样而异.电压响应的前部存在"过冲",随后过渡至平坦的残压U_s.过冲出现时间随u_0增加而前移,峰值U_p变化也跟试样有关.并指出,压敏电阻的"压敏"特性有一个时间过程,它与外施电压的幅值、陡度有关,也与试样有关.过冲峰值出现时间T_p可以作为压敏电阻对外施电压敏感性能的特性参数.