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1.
研究了γ辐照感生Si/SiO2慢界面态的特性及其对高频C-V测试的影响.结果表明,辐照产生的慢界面态为界面态的0.3—0.8,分布在Si禁带中央以上的能级或呈现受主型.分析认为慢界面态对应的的微观缺陷很可能是Si—O断键或弱键.慢界面态的产生还引起C-V曲线同测试速率、方向和扫描前保持时间有关.文中提出了如何通过高频C-V测量比较准确地计算辐照感生氧化物正电荷、界面态和慢界面态密度的方法.  相似文献   
2.
本文报导一种能充分利用掺钛蓝宝石本身的色散能力,作为调谐及压缩线宽的掺钛蓝宝石激光器,谐振腔采用梯形棱镜掺钛蓝宝石晶体和两块ZF6的色散棱镜压缩线宽并构成调谐系统,用三块输出镜,实现了265.3nm的调谐范围;泵浦光能为85mJ/pulse时,在762.6nm处得到11.8mJ/pulse的最大光能输出,光一光转换效率达13.9%。  相似文献   
3.
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5装配工件时发现工件φ50_(-0.1)尺寸不合格指出废品率比较高的原因: a.检验时,抽检的比例小。b.图纸对表面粗糙φ50-0.1要求低.c.夹具选配得不正确.d测量工具选用不当  相似文献   
4.
5.
以冶金工矿GK1F内燃机车调速系统工作原理为基础,系统分析了其可能出现的各种故障。并提出了解决措施,保证了机车运行的经济性和安全性。  相似文献   
6.
分析得出TiN和氧化物夹杂物导致了1Cr18Ni9Ti不锈钢管外壁形成成簇螺旋形裂纹。文章提出应从冶炼、浇注、加工、精整等方面综合采取措施解决这一问题。  相似文献   
7.
介绍了石墨砂的热物性参数和基本特性,综述了无定形石墨砂在镁、铝、铜合金以及铸铁和铸钢的铸造中的应用效果。  相似文献   
8.
Fowler—Nordheim高电场应力引起的MOS结构损伤研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
本文研究了Fowler-Nordheim高电场应力引起的MOS结构损伤及其室温退火。结果表明有四种损伤产生,氧化物正电荷建立,Si/SiO2快界面态增长,慢界面态产生和栅介质电容下降,当终止应力后,前三种损伤在室温下有所恢复,但最后一种损伤没有变化,实验还表明:产生的慢界面态分布在禁带上半部;高电场下栅介电容呈现无规阶梯型下降,对四种损伤及其室温退火机理进行了讨论,还给出产生的慢界面态对高频电容-  相似文献   
9.
10.
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