无液封GaAs多晶合成技术

利用As、Ga、GaAs的性质,开发出一种新的GaAs多晶合成方法.开展了φ130 mm合成系统的温度、压力优化实验.采用石墨盖代替BN坩埚盖,开发了100 mm新合成石墨系统,通过工艺实验确定加热电流、温度、压力随时间的变化,稳定了φ100 mm无液封GaAs多晶合成工艺.通过大量的实验,逐渐确定了两套无液封GaAs多晶合成的温度压力曲线,固化了坩埚密封结构,掌握了调节GaAs多晶料中化学计量比的方法.     

光面爆破在松软破碎岩体中的应用

在松软破碎的岩体中进行光面爆破与在一般石质条件下的光面爆破相比 ,在爆破参数上有较大的差别。本文结合工程实际对松软破碎岩体条件下的光面爆破技术进行了探讨 ,并总结了该条件下的光面爆破参数设计和施工工艺     

LEC技术生长3inch掺Si GaAs单晶的研究

采用高压ＬＥＣ工艺生长３ｉｎｃｋ掺Ｓｉ ＧａＡｓ单晶,掺杂浓度大于１＊１０＾１８／ｃｍ＾３,晶体位错密度小于１＊１０＾４／ｃｍ＾２。实验发现,采用ＰＢＮ坩埚和使用水含量较高的氧化硼做覆盖剂,固液交界面处均会产生浮渣,造成无法引晶。而实际掺杂量应为理论计算值的４倍以上。     

非掺半绝缘LEC-GaAs晶片热处理工艺研究

为了获得高质量半绝缘砷化镓单晶片．有必要降低微缺陷密度，开展了晶片热处理工艺的研究．确定了晶片热处理的温度、时间、降温建率等一系列工艺参数，证实丁采用此项工艺能降低LEG-GaAs晶片的砷沉淀密度，郎AB-EPD，同时也保证了晶片的电学参数不受影响。通过对晶片热处理工艺过程和结果进行分析．给出了晶片热处理工艺理论模型的解释。     

横向条形药包在双路堑爆破中的应用

在双路暂洞室爆破中的应用条形药包可以减少爆破对这边坡岩体的损伤，本文论述了横向条形药包在双路堑爆破中应用中的作用机理，并结合蓝小公路双路堑洞室爆破的工程实践，把横向条形药包的优缺点及及其在应用过程中采用的技术措施进行了总结和探讨。     

光面爆破在松软破碎岩体中的应用

本文结合工程实际对松软破碎岩体条件下的爆破技术原理进行了探讨，并总结了该条件下的光面爆破参数设计和施工工艺。     

深水FPSO拖航性能模型试验

为研究海上拖航的规律和特点,针对作业水深2 000m的浮式生产储卸油装置(Floating Production Storage and Offloading,FPSO)开展一系列拖航性能模型试验。试验中通过改变拖缆长度、龙须缆夹角以及环境条件获得拖航阻力和FPSO的运动变化规律。结果表明:适当选取拖缆长度和龙须缆夹角有助于改善拖航稳定性,降低拖缆张力。相比小波高环境中,静水中拖航稳定性更差,拖航过程中应给予足够的重视。研究成果可为海上拖航方案制定和作业提供技术支撑。     

滚石坡面碰撞破裂效应的试验研究EI北大核心CSCD

采用自主研发的滚石碰撞系统,试验研究滚石力学性质、碰撞速度、入射角度和滚石尺寸等因素耦合作用下的滚石坡面碰撞破裂机制,探讨碰撞破裂对滚石运动特征的影响。结果表明:滚石力学性质和碰撞速度是控制滚石碰撞破裂的主要因素,滚石力学性质越差,碰撞速度越大,滚石碰撞越破碎。滚石破裂存在法向速度阈值,随着力学性质的劣化,破裂法向速度阈值减小。碰撞入射角对滚石碰撞破裂及能量恢复系数影响较大;碰撞破裂不但会引起滚石总的能量恢复系数略有减小,而且会造成个别碎块具有较大速度,对防护结构构成不利影响。     

FEC法生长Si和In双掺GaAs单晶生长技术

研究了几种消除LEC GaAs材料的位错措施以降低温度梯度从而尽可能降低晶体的热应力。掺入等电子In或Si使杂质硬化,为了抑制晶体表面产生位错,开发了全液封切克劳斯基(FEC)晶体生长技术。结合以上三种技术开发出了Si和In双掺FEC GaAs单晶生长技术以消除位错。采用此技术已生长出半导体低位错密度的GaAs晶体,经证实这种掺Si和In低位错GaAs衬底可以满足GaAs LED制作。     

城市浅埋隧道开挖减震控制爆破技术

在建筑物密集且部分建筑物抗震性能差的城市繁华地带的地下 ,进行浅埋隧道爆破开挖施工 ,只有采用减震控制爆破技术才能使地表建筑物免受爆破震动的危害。笔者结合工程实例对城市浅埋隧道减震控制爆破的技术要点 ,如微台阶施工法、减震掏槽形式、炮孔线形布置等进行了阐述。