禹城市主要水体硝态氮监测及变化分析

地表水硝态氮(NO3--N)污染与人类健康以及水体生态环境密切相关。以潘庄灌区的禹城市主要水体为例,采集研究区内10个点进行长期监测,主要监测项目包括pH值及NO3--N等水质指标。结果表明,2004年-2009年,禹城市不同水体pH值变化在6.8～8.8之间,符合地下水环境质量标准(GB3838-2002)基本限值。地下水pH值有下降趋势。不同水体pH值最低值多在7月,高值多在10月或1月。2004年-2009年禹城市主要水体硝态氮变化总体呈逐年下降趋势,地下水中硝态氮各年份间变化不大。各采样点灌溉用地表水和地下水中硝态氮含量大多在7月及10月增高,主要原因是小麦或玉米播种前施基肥后随灌溉淋溶进入水体,而受降雨量的影响不大。本研究为该区域水质安全评价提供科学依据。     

可调节粉笔粉尘测量仪的研制

文章提供一种集粉尘接收、粉尘指标检测、数据显示和数据储存功能为一体的可调节粉笔粉尘测量仪,其应用机械电子控制技术、传感器技术以及通信技术,利用光电传感器、单片机和A/D转换器。此测量仪具备高效、便携的特点,为实时监测及数据储存分析大大的提高了工作效率。在相对封闭的空间内、半开放式空间内的实时监测等方面有着很好的应用前景。     

桥梁系统地震易损性分析的混合Copula函数方法

为了在桥梁系统易损性分析中考虑构件地震需求之间相关性的影响,采用贝叶斯加权平均方法构造混合Copula函数,将构件地震需求之间的相关结构和各构件的边缘分布函数进行分离;结合增量动力分析,建立了桥墩、支座等单个构件的易损性曲线及联合分布函数,提出了考虑构件地震需求相关性的桥梁系统易损性分析方法。结果表明:混合Copula函数能够准确描述构件地震需求间上、下尾相关并存的非对称相关结构,简化构件地震需求联合分布函数的建模过程;与Monte Carlo抽样方法相比,二者得到的桥梁系统易损性吻合良好,且混合Copula函数方法避免了大量的数值抽样,显著提高系统易损性分析的计算效率。     

松香型透明成核剂对PP结晶行为、透明性及力学性能的影响

用差动扫描量热计(DSC)研究了松香型透明成核荆成核PP的非等温结晶行为和透明性及力学性能.结果表明:松香型透明成核剂及分散荆能提高PP的结晶温度,能加快其结晶速率,并对PP的结晶度、晶粒尺寸和透明力学性能有明显的影响.     

ε-聚-L-赖氨酸样品的成分分析

ε-聚-L-赖氨酸(ε-PL)样品由本研究室制得,对样品灰分的分析结果表明灰分含量均符合日本和韩国的ε-PL产品标准,检测的金属中Ca和Mg的含量最高,阴离子Cl-、PO43-、SO42-的含量分别为0.34%、1.39%和0.13%,NO3-未检出。对样品的分析结果表明Pb和As含量均低于日本、韩国标准的上限;样品中还原糖和多糖总量少于0.4%。对样品的HPLC分析结果证明样品中只含有一种ε-PL组分,但其存在形式有所不同。ε-PL样品成分分析将为其产品标准的建立提供基础数据。     

炭黑/聚氯乙烯抗静电复合材料的制备及性能

将炭黑采用不同方式添加在PVC材料中,得到其抗静电性能和力学性能的不同规律和结果,并用SEM观察和分析其缺口冲击断面,对其不同规律的性能作出了合理的解释。结果表明:以EVA为炭黑母粒制备的PVC复合材料其炭黑含量低,拉伸强度下降不大,冲击性能和抗静电性能优异。     

苏通GIL运输专用机具动力电池类型探讨

GIL运输专用机具是为安全、可靠、高效地完成苏通GIL综合管廊工程GIL单元的运输任务而研制的专用机具,其中动力电池系统设计是整机设计的重点之一。通过对各种常见动力电池优缺点的分析,并结合苏通GIL运输专用机具对动力电池的需求分析,确定了动力电池系统的技术路线,为苏通GIL运输专用机具的研制提供了坚实的基础。     

导弹复合控制系统的神经网络控制器设计

针对导弹直/气复合控制系统,提出了一种基于滑模控制的自适应神经网络控制方法。首先,为提高导弹稳定性,运用滑模控制对气动力部分进行设计,并运用自适应神经网络控制算法消除系统建模中的误差影响,提高导弹过载的稳定性。其次,对直接力部分采用变结构的方法进行设计,提高导弹的响应速度,同时运用模糊控制理论减少变结构控制引起的抖振问题,进一步提高导弹的稳定性。实验结果表明,该控制方法能够有效提高导弹的响应速度,增加导弹的稳定性及过载能力,验证了设计方法的有效性。     

GPS软件接收机全数字载波跟踪方案设计与实现

结合同相-正交环跟踪算法对数据调制的不敏感性以及全数字载波跟踪环设计灵活的特点,提出一种基于同相-正交环跟踪算法的全数字GPS载波跟踪方案.重点对其关键模块在FPGA平台上的设计与实现方法进行了研究.经过仿真验证,该设计方案在-30dB信噪比环境下能够准确地解调导航电文并实现对多普勒频移的精确跟踪,有效地改善了GPS载...     

基于高温抗辐照SOI CMOS工艺的器件特性研究

绝缘体上硅（SOI）技术因其独特的优势而广泛应用于辐射和高温环境中,研究不同顶层硅膜厚度（tSi）的器件特性,对进一步提升高温抗辐照SOI CMOS器件的性能至关重要。本工作首先通过工艺级仿真构建了N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（NMOSFET）的模型,并对其进行了分析,基于仿真结果,采用015 μm抗辐照SOI CMOS工艺制备出具有不同硅膜厚度的实际器件,该工艺针对高温应用引入了设计与材料的优化。结果表明,薄硅膜和厚硅膜NMOSFET在150 krad(Si) 总剂量辐射下表现出相近的抗辐照加固性能,而前者在225 ℃高温下具有较小的漏电流,因此具有较薄硅膜的NMOSFET更适用于高温电子器件的制造。