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为了科学判定产业损害状况,应对反倾销,在总结前人研究的基础上,提出利用多层次灰色模型对产业损害状况进行综合评判,使损害以及损害程度的认定更为合理和有效,并给予示例分析。 相似文献
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电荷耦合器件(CCD)多晶硅交叠区域绝缘介质对成品率和器件可靠性具有重要的影响。将氮化硅和二氧化硅作为CCD多晶硅层间复合绝缘介质,采用扫描电子显微镜(SEM)和电学测试系统研究了多晶硅层间氮化硅和二氧化硅复合绝缘介质对CCD多晶硅栅间距和多晶硅层间击穿电压的影响。研究结果表明,多晶硅层间复合绝缘介质中的氮化硅填充了多晶硅热氧化层的微小空隙,可以明显改善绝缘介质质量。多晶硅层间击穿电压随着氮化硅厚度的增加而增大,但太厚的氮化硅会导致CCD暗电流明显增大。由于复合绝缘介质质量好,可以减小CCD多晶硅的氧化厚度。 相似文献
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北京地区的建设,正在由“成长型”(规模化)向“成熟型”(精细化)迈进。作为平衡生态、经济、社会效益的建筑屋顶绿化,是一项需要大力推广的建设项目。在地面空间越来越稀缺的现实情况下,“向空中要空间”是一个明智的选择。本文采用集约化设计理论,对北京屋顶绿化的空间设计进行研究分析,论证集约化理论在建筑屋顶绿化设计中的针对性及可行性。 相似文献
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CCD多晶硅交叠区域绝缘介质对成品率和器件可靠性具有重要的影响.采用扫描电子显微镜和电学测试系统研究了CCD栅介质工艺对多晶硅层间介质的影响.研究结果表明:栅介质工艺对多晶硅层间介质形貌具有显著的影响.栅介质氮化硅淀积后进行氧化,随着氧化时间延长,靠近栅介质氮化硅区域的多晶硅层间介质层厚度增大.增加氮化硅氧化时间到320 min,多晶硅层间薄弱区氧化层厚度增加到227 nm.在前一次多晶硅氧化后淀积一层15 nm厚氮化硅,能够很好地填充多晶硅层间介质空隙区,不会对CCD工作电压产生不利的影响. 相似文献
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