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介绍了应用于硅晶片激光标识的激光打标系统结构,并以光纤振镜式激光打标机为例,探索了不同打标工艺参数的选择对晶片激光标识效果的影响。采用单因素实验法分别研究了不同激光打标功率、打标速度和打标频率对硅片打标效果的影响,并分析了其影响其打标效果的原理。通过目检和金相显微镜对激光标识进行观察,确定了最佳的打标工艺,最终得到了优化的打标工艺即采用激光额定功率的45%,频率为25 kHz,打标速度为150 mm/s,可得到标识清楚、深浅一致、不损伤晶片特性的激光标识。 相似文献
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铌酸锂的抛光机理复杂,抛光片的损伤层受多种因素的影响,其机械损伤来源主要有两个途径,其一是晶片在抛光前各道工序加工中引入的损伤,这可以通过增加抛光去除量加以控制,其二是在抛光过程中带来的机械损伤,抛光液的组分、pH值、抛光布、抛光压力、抛光盘转速等条件都与损伤层有直接的关系。这些参数都是通过改变抛光过程中机械作用和化学作用的平衡来影响损伤层,因此控制抛光过程中二者的平衡才是控制损伤的关键。 相似文献
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在面向方面的需求工程中,横切关注点是一类比较特殊的关注点,是需要进行单独识别和建模的。论文基于Theme方法,提出了关注点—需求关联关系矩阵的建立方法,提出了Theme方法中一般关注点和横切关注点之间存在着偏序关系和蕴含关系,并且利用关注点—需求关联关系矩阵,关注点之间的偏序关系和蕴含关系来对横切关注点进行分析和验证。可以利用该文提出的方法,对横切关注点进行自动识别和判断。最后,通过一个实例来验证本方法的有效性。 相似文献
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