低气压对玻璃板表面污闪电压的影响

本提供了玻璃平板染污表面在气压１０１～１０ｋＰａ范围内的交直流放电试验数据，并按此求得正负极性直流伏安特性和交流伏安特性与气压的关系。提出发展中电弧的必要前提是δＰ／δＸ＞０，低气压下弧道因污闪电压随气压的降低而降低。低气压下弧道因冷却减弱而变粗，弧根处因离子的产生和复合减少而使电弧变暗，正离子在电场作用下对污层的撞击减弱，清洁区消失。     

一种新型高压线路绝缘子——棒形悬式合成绝缘子

我国110kV及以上电压的高压超高压输电线路,都用盘形悬式绝缘子,它已有80多年的历史,被认为安全可靠。但瓷质材料笨重易碎、强度低,制造高吨位有困难。盘形瓷绝缘子属可击穿结构,其表面呈亲水性,容易积污、受潮、发生污闪事故。上述缺点造成运行中检测零值和防污清扫工作量很大,已经不能适应超、特高压大容量电网发展的需要,解决此问题的根本办法,是改变绝缘子的材质和结构。近20年来,许多国家研究用机械强度高和耐候性好的高分子合成材料,制造复合结构的     

污秽绝缘子闪络电压值的估算

本文导出了计算污秽绝缘子剩余污层电阻的解析式,从而不必化为等效矩形,就可直接估算实际绝缘子的污闪电压。本文编制了复杂形状实际绝缘子直流和交流污闪临界条件的计算程序,该计算程序考虑了局部电扼对绝缘子伞研的桥络现象,电弧飘离绝缘子表面以及临闪阶段相串联的电弧数目等多种电弧现象对污闪电压的影响。理论计算结果和试验结果是相符的。     

气压对绝缘子染污放电特性的影响

本文用人工污秽试验方法研究了四种悬式绝缘子在360～760mmHg气压范围内的交流污闪特性,并从理论上分析了低气压影响绝缘子染污放电性能的原因,在已有交流污闪临界条件计算程序中引入气压的影响,计算了绝缘子污闪电压,计算值与实测值接近。     

局部表面电导率—表征绝缘子污秽程度的一种新方法

本文提出局部表面电导率的概念,研究了局部表面电导率和其它污秽度参数之间的关系,得出局部表面电导率是一种很有应用前景的表示绝缘子污秽程度的新方法。还介绍了本试验室研制的局部表面电导率的测量仪器和测量方法。     

染污绝缘子在交流及正负极性直流电压作用下污闪电压差异的研究

搞清同样污秽程度的绝缘子在交流和正负极性直流电压作用下污闪电压的差异,对于染污绝缘放电发展机理的研究以及直流输电外绝缘设计、绝缘子选型等工程实际问题都有一定的意义。美、日等国虽对此问题作过试验研究,但基本工作仅限于外特性的比较,还没能从放电机理上对差异的原因作出解释。此外,彼此的试验结果差别极大,对于究竟存在何种差异的问题,目前尚无一致的看法。     

第二届国际电介质材料性能与应用会议消息报导

经国家教委批准,第二届国际电介质材料性能与应用会议将于1988年9月12～16日于中国北京举行。会议由美国电机电子工程协会电绝缘协会(IEEE—EI)、中国电工技术学会工程电介质委员会和清华大学联合发起,由清华大学校长、中国电工技术学会理事长高景德教授担任大会总主席,并由清华大学电机系主持具体会务。大会秘书处设     

高电压技术的形势和任务

我国交流500kV线路已有多条在运行,直流500kV线路已投运。500kV电气设备基本已能自制。国内已建立起具有世界水平的大型高压实验室,至于中等规模的高压实验室,各地都建有,数量很多。高等学校自1959年输送高电压专业学生以来,毕业生数以千计,还有不少非高压专业毕业的高压工作者,近年来还培养了不少高电压工程的硕士研究生和博士生,已经形成了一支高电压技术大军。建国四十年来,国内已打下高电压技术基础,有了较好的     

硅橡胶合成绝缘子运行状态的数学分析

硅橡胶合成绝缘子表面污层的憎性水性强弱在很大程度上影响着绝缘子的耐污闪性能。文章建议对运行中的合成绝了表面污层憎水性进行监测,并以该憎水性为主要参量,提出了一套硅橡胶合成绝缘子的运行状态数学表达式,为今后科学地指导合成绝缘子的运行奠定初步基础。     

高海拔地区染污绝缘子交流放电特性的研究

本文提出染污悬式绝缘子的交流闪络特性与压力的关系,低气压下污闪电压与常压下污闪电压的关系可表示为U=U_(?)(P/P_0)~(?),n=0.44。海拔H km(H>1km)处的绝缘子串泄漏比距应为海拔1km处绝缘子串泄漏比距的K′[K′=(?)~((?).11(?)(H-1))]倍,从而得出高海拔地区各污秽等级所要求的泄漏比距。