油气管道信息平台系统的开发

针对目前油气管道业务发展对国内外各类信息情报的迫切需求,提出油气管道信息情报平台系统的设计方案.介绍了平台系统的功能,制定了平台系统实现的关键技术和目标,规范了管道文献信息的数据格式.同时,建立了一个集数据录入、编辑、检索、记录保存、数据备份等功能于一体的数据库管理系统,具有较强的应用价值.     

GaAs/Ge太阳电池异常I-V特性曲线分析

分析了GaAs/Ge单结太阳电池研制中两种异常I-V特性曲线出现的主要原因:GaAs/Ge界面的相互扩散,形成附加结或附加势垒;并获得与实验有很好吻合的计算模拟结果,进一步证实了理论分析.此外,在上述分析的指导下,通过降低生长温度和优化成核条件,成功获得了效率为20.95%(AM0,25℃,2cm× 4cm)的GaAs/Ge太阳电池.     

GaInP2/GaAs/Ge叠层太阳电池中的高效率Ge底电池

从电池的结构参数及器件工艺等方面分析了Ge底电池的开路电压Voc、短路电流Isc和填充因子FF的影响.结果表明：控制发射层的表面复合，并减薄其厚度可以提高开路电压Voc，并可以有效提高短路电流Isc；调整相应的器件工艺有利于填充因子FF的提高. 采用上述改进措施，成功得到Voc达到287.5mV, Isc达到73.13mA/cm2，效率达到7.35%的Ge太阳电池.     

GaInP2/GaAs/Ge叠层太阳电池中的高效率Ge底电池

从电池的结构参数及器件工艺等方面分析了Ge底电池的开路电压Voc、短路电流Isc和填充因子FF的影响.结果表明控制发射层的表面复合,并减薄其厚度可以提高开路电压Voc,并可以有效提高短路电流Isc;调整相应的器件工艺有利于填充因子FF的提高.采用上述改进措施,成功得到Voc达到287.5mV,Isc达到73.13mA/cm2,效率达到7.35%的Ge太阳电池.     

一种彩色多晶硅太阳电池的制备方法及性能测试

通过调节氮化硅减反膜厚度可制备出呈现各种颜色的彩色多晶硅太阳电池,但如何获得良好欧姆接触及拉脱力的电极是彩色多晶硅太阳电池制备的难点。本文通过在常规工艺路径基础上增加腐蚀开槽工艺解决了电极性能问题,研究并优化了彩色多晶硅太阳电池减反膜的光学性能和电池的电学性能。该工艺较为简单,可操作性强,适用于规模生产,电池外观及可靠性均能满足市场要求,具备广阔的应用和市场开拓潜力。     

GaAs/Ge太阳电池界面特性研究

采用低压金属有机物化学气相沉积 (MOVPE)工艺 ,分别在p型和n型Ge衬底上生长了GaAs电池 ,发现Ge甚至可以扩散到GaAs电池结区 ,导致电池性能严重下降 ,而Ga和As的扩散 ,常常导致异常Ⅳ曲线 ;在GaAs外延层观察到的主要晶体缺陷是反相畴和线位错 ,通过降低生长温度和优化成核条件 ,获得了较好的界面特性 ,在n Ge衬底上获得了效率为 2 0 .2 % (AM0 ,2 5℃ ,2cm× 4cm)的GaAs电池 ,在p Ge衬底上获得了性能较好的Ge电池。     

空间太阳电池组件配片方法研究

在空间用太阳电池阵的制造过程中,如何降低电流损耗产生是必须解决的一个重要问题.空间太阳电池组件配片方法虽然简单易用,但有电流组合损耗较大的缺点.文章提出了一种新的组件配片方法,有效降低了电流组合损耗,在同等生产条件下提高了太阳电池阵的输出功率.应用实验证明了该方法的有效性.     

现行模板及脚手架行业规范中支架构造之差异分析

该文讨论分析了现行模板及脚手架行业规范关于模板支架构造、术语定义、适用范围等方面存在的差异,并给出了正确执行四部规范的建议。     

GaAs/Ge太阳电池异常I-V特性曲线分析

分析了GaAs/Ge单结太阳电池研制中两种异常I-V特性曲线出现的主要原因:GaAs/Ge界面的相互扩散,形成附加结或附加势垒;并获得与实验有很好吻合的计算模拟结果,进一步证实了理论分析.此外,在上述分析的指导下,通过降低生长温度和优化成核条件,成功获得了效率为20.95%(AM0,25℃,2cm× 4cm)的GaAs/Ge太阳电池.     

GaAs/Ge太阳电池异常I-V特性曲线分析

分析了GaAs/Ge单结太阳电池研制中两种异常I-V特性曲线出现的主要原因：GaAs/Ge界面的相互扩散，形成附加结或附加势垒；并获得与实验有很好吻合的计算模拟结果，进一步证实了理论分析. 此外，在上述分析的指导下，通过降低生长温度和优化成核条件，成功获得了效率为20.95% (AM0,25℃, 2cm×4cm）的GaAs/Ge太阳电池.