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讨论了混频器IIP2对于零中频接收机的重要性,对导致CMOS双平衡Gilbert混频器IIP2下降的因素进行了系统而深入的分析.在考虑电路的不匹配性和寄身参数的情况下,介绍了多种提高混频器IIP2的方法.同时,提出了一种鲁棒性非常好,并且适合低电源电压应用的高IIP2混频器结构:"交流耦合"混频器.该电路采用CMOS 90 nm工艺实现.仿真结果显示,该混频器可达到92 dBm的IIP2和9 dB的电压转换增益,在1.2 V电源电压下,功耗为9.6 mW. 相似文献
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