国有企业人力资源管理危机分析

随着我国加入WTO，国有企业人才流失现象愈演愈烈，反映出我国国有企业在人力资源管理方面存在着严重的问题。从我国国有企业的实际出发，分析了国有企业人力资源危机的原因，并针对性地提出一系列对策。     

基于马斯洛需求层次理论的安全行为激励

为了建立科学、合理的安全行为激励机制,基于马斯洛需求层次理论,提出要按照二八理论区分生产人群,研究分析了有着不同强势需求的生产人群,分别对他们提出了独特安全行为激励方法.基于马斯洛需求层次理论的安全行为激励机制的提出,有助于提高企业安全生产管理效率,有助于提高安全安全水平.     

PVC塑料门窗焊接质量常见问题分析

塑料门窗产生的质量问题很多,有型材、成窗产品、玻璃及焊接等方面质量问题,本文主要分析了焊接原因产生质量问题,并提出了预防措施。     

白酒中已酸乙酯的快速分析

用非极性固定液5％SE-30＋102酸洗硅烷化白色担体（60－80目）作气相色谱固定相，柱长2m×3mm，用FID对白酒中已酸乙酯进行了分析。一次测定仅需3．5分钟，且谱图峰形对称，方法重现性好。相对标准偏差1．00─7.66％，加标回收率95．2－110．4％。本法检出限为3.2×10-11g／sec。     

高k栅介质增强型β-Ga2O3 VDMOS器件的单粒子栅穿效应研究

以增强型β-Ga₂O₃ VDMOS器件作为研究对象,利用TCAD选择不同的栅介质材料作为研究变量,观察不同器件的单粒子栅穿效应敏感性。高k介质材料Al₂O₃和HfO₂栅介质器件在源漏电压200 V、栅源电压-10 V的偏置条件下能有效抵御线性能量转移为98 MeV·cm²/mg的重离子攻击,SiO₂栅介质器件则发生了单粒子栅穿效应(Single event gate rupture, SEGR)。采用HfO₂作为栅介质时源漏电流和栅源电流分别下降92%和94%,峰值电场从1.5×10⁷ V/cm下降至2×10⁵ V/cm,避免了SEGR的发生。SEGR发生的原因是沟道处累积了大量的空穴,栅介质中的临界电场超过临界值导致了击穿,而高k栅介质可以有效降低器件敏感区域的碰撞发生率,抑制器件内电子空穴对的进一步生成,降低空穴累积的概率。     

一种高温度稳定性的GaN基准电压源设计

基于宽带隙、高饱和电子漂移速率、高击穿场强等材料特性优势,GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在高频大功率器件领域发展前景广阔。在集成电路中,基准电压源是为其他电路模块提供稳定参考电压的关键功能模块。基于0.5μm BCD GaN HEMT工艺,提出了一种GaN基准电压源的设计方案。Cadence Spectre仿真结果显示,该GaN基准电压源在-40～150℃范围内可实现2.04 V的稳定电压输出,温度系数为3.7×10^-6/℃。在室温27℃下,当电源电压由5 V增至20 V时,输出电压的线性灵敏度为0.13%/V。该GaN基准电压源具有高温度稳定性,后续可与不同的GaN基电路模块组合构成功能丰富的GaN基集成电路。     

回填砂基础承载力的检验与应用

采用回填砂来作地基基础应注意砂垫层的设计砂垫层厚度 ,砂垫层的厚度应根据垫层底部软弱土层的承载力来确定 ,作用在砂垫层底面处的自重应力与附加应力之和应不小于软弱土层的容许承载力。计算时先根据砂垫层地基的容许承载力定出基础宽度 ,验算以确定垫层厚度的垫层地基的容许承载力要合理 ,砂垫层的厚度不宜大于3ｍ。砂垫层的宽度的确定 :当垫层的侧面土质较好时 ,砂垫层的顶部与底部可以等宽 ,其宽度等于宽度沿基础两边各放 30ｃｍ。垫层的厚度应根据下卧土层的承载力确定 :Ｐｚ +ＰＣｚ ≤ｆ2Ｐ2 —垫层底面处的附加压力 ,ＰＣ2 —垫层…