衡山路—复兴路历史文化风貌区发展定位与策略思考

衡山路—复兴路历史文化风貌区(以下简称"衡复风貌区")在上海近现代发展史上占据了重要地位,是当前上海市最具代表性的历史文化风貌区。在上海迈向卓越的全球城市发展过程中,衡复风貌区的更新、发展、保护、管治频频引起广泛热烈的讨论,反映了社会各界对其发展定位和策略的理解差异。在试图对衡复风貌区的历史脉络和核心特征进行系统梳理和总结的基础上,探索衡复百年风貌形成的内在机制,并结合当前发展面临的主要问题和矛盾,对其新时期的发展定位和策略体系进行思考。     

上海新农村试点地区农民调查及若干规划问题探讨

新农村规划首先应该从农民调查入手,从调查中剖析农民的居住结构、就业情况及对公共设施的需求,从规划上合理预测农村的居住结构,提高公共设施配套水平,有重点地开展村落整治试点工作.     

上海市中心村规划建设的实施难点与对策探讨

中心村是上海市域城乡体系的末端,中心村建设既是郊区空间重组和功能整合的重要基础,也是社会主义新农村建设的主要途径.然而,上海市城乡规划体系对中心村规划的指导和要求并不明确,因此在规划编制实施过程中出现了一些问题.以南汇区中心村规划为例,梳理上海市中心村建设潜在的普遍性问题,在科学发展观指导下,充分运用规划的公共政策属性,提出解决问题的策略.     

材料压电性能的第一性原理计算回顾与展望

第一性原理计算方法已被广泛应用于材料科学的各个领域. 大多数第一性原理计算都是基于密度泛函理论进行的. 本文从密度泛函理论的基本原理出发, 对第一性原理计算的理论基础作了详细的总结, 并介绍了如何使用密度泛函微扰理论计算材料的压电、介电张量、机电耦合系数以及如何用现代极化理论计算材料的压电性能. 对近期发表的材料压电性能第一性原理计算方面的文献进行了回顾与总结. 最后总结了目前材料压电性能计算方面存在的问题并对其发展前景进行了展望.     

Si3N4晶体的压电性能第一性原理研究

Si3N4是一种具有多种优越物化性能的多功能材料.采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算对Si3N4的高低温相(β、α)进行了对比研究.对于α相,计算得晶格常数a=0.7678nm、c=0.5566nm,弹性刚度系数c11=4.232×1011N/m2、c33=4.615×1011N/m2,压电应变常量d33=0.402pC/N;而对于β相,a=0.7536nm、c=0.2874nm,弹性刚度系数c11=4.241×1011N/m2、c33=5.599×1011N/m2,压电应变常量则几乎为零.分析表明Si3N4的α、β两相均为高硬高强材料,这与其结构由四面体组成的网络架构有关.而Si3N4高低温相的压电性能都很差,特别是β相的压电系数几乎为零,这与其结构的对称性有关,高温相结构的对称性更高,形变引起的离子位移响应抵消更多.     

上海市郊区规划梳理及解析

郊区规划是上海市城市建设的重要组成.随着<上海市城市总体规划(1999-2020))的推进落实,郊区发展取得了长足的进步,形成了较为完善的规划体系,积累了较多的建设经验.本研究重在对郊区的规划体系演变过程进行分析,对已经编制的各类规划进行梳理,针对下一轮总体规划的编制提出建议.     

拉曼面扫描表征氮掺杂6H-SiC晶体多型分布

采用物理气相传输法(Physical Vapor Transport, PVT)沿[0001]方向生长了一个直径为2英寸的氮掺杂6H-SiC晶体. 采用拉曼面扫描方法对晶体中多型的分布进行了细致表征, 研究了SiC晶体生长过程中多型的产生和演化. 在6H-SiC晶体中观察到了15R-SiC和4H-SiC两种多型. 在拉曼面扫描得到的晶体多型分布图上观察到了两类次多型结构区域, 一类是继承其生长界面上对应的次多型结构形成的次多型结构区; 另一类是由温度、压力等生长条件波动导致在6H-SiC主多型中出现的15R-SiC多型结构区. 第一类次多型结构区中掺入的氮元素较多, 载流子浓度较高, 并且随着晶体生长不断扩大; 第二类次多型结构区对晶体结晶质量的影响较小, 且提高生长温度可以抑制15R-SiC多型结构.     

物理气相输运法生长AlN六方微晶柱

采用物理气相输运法(Physical Vapor Transport, PVT), 在1700 ~ 1850℃生长温度下制备出AlN六方微晶柱; 晶柱长度在1 cm左右, 宽度在200 ~ 400 μm, 光学显微镜下观察为六棱柱形状并呈透明浅黄色光泽; 扫描电子显微镜和原子力显微镜测试表明: AlN晶柱表面为整齐台阶状形貌, 台阶宽度为2 ~ 4 μm, 高度在几个纳米; 拉曼光谱测试AlN晶柱具有良好结晶质量。PVT 法生长AlN六方微晶柱主要是在偏低温度下AlN晶体生长速率较慢, Al原子和N原子有足够时间迁移到能量较低位置结晶生长, 进而沿着<0001>方向形成柱状结构。AlN六方微晶柱是对一维半导体材料领域的补充, 通过对晶柱尺寸及杂质控制的进一步研究, 有望在微型光电器件领域表现出应用价值。