常温一氧化碳气敏元件制备及气敏机理研究

介绍了以SnO2 为主 ,掺入Al2 O3 ,MgO ,InO ,Pd等添加剂的常温CO气敏元件的制备方法。根据其晶体结构特点对气敏机理进行了探讨。论述了传感器的信息传感机制 ,即晶界势垒控制和晶粒大小控制机制同时存在。为获得性能良好的气敏元件 ,需要最佳的制备方法和最好的添加剂     

高温闪烁晶体Ce:YAlO3开裂现象的分析

对提拉法生长的Ce;YAIO3(简称为Ce：YAP)晶体的开裂现象进行了研究,认为引起开裂的主要内在因素是YAP晶体热膨胀系数的各向异性。研究了Ce：YAP晶体的[010],[101],[121]等几个主要方向在30～800℃范围内的热膨胀系数曲线。结果表明：沿[010]和[101]方向的膨胀系数相差最大。通过对晶体中热应力分布的计算,得出晶棱显露处为应力集中点,指出晶体容易产生开裂的方向是[010]和[101]。通过对晶体的显微形貌观察发现,晶体中存在微裂纹。晶体的各向异性热膨胀系数,晶体生长过程中大的温度梯度以及快的降温速率等是Ce：YAP晶体产生开裂的主要原因。     

中国锦屏地下实验室二期工程安全原位综合监测与分析

 中国锦屏地下实验室是目前世界上埋深最大的实验室。以中国锦屏地下实验室二期(CJPL–II)工程为研究对象,通过变形、开裂、弹性波、扰动应力、微震、声发射、三维激光扫描、岩体结构面遥测、爆破振动测试等原位综合监测手段,实时获取深部地下实验室开挖全过程的岩体响应及其演化特性,实现对深部岩体微观到宏观多尺度破裂、隧洞表面到岩体深部变形的综合监测。研究工程场址的地质辨识方法,给出深部复杂地质结构条件下的地质分区,结合真三轴、结构面实验和地应力测试,揭示各实验室开挖过程中不同的变形特征和破坏模式,实时捕获了深部工程灾害变形破裂的前兆信息,有效预警了岩爆和塌方工程灾害,确保了实验室施工全过程的工程安全。研究成果和基础数据为中国锦屏地下实验室安全建设运行、探讨深部岩体力学与工程科学难题均具有十分重要的意义。     

锦屏二级水电站1~#引水隧洞绿泥石片岩洞段处理技术与应用

针对锦屏二级水电站1#引水隧洞绿泥石片岩洞段施工期间出现塌方、围岩变形松弛、初期支护围岩变形收敛缓慢、普通水泥固结灌浆无法达到设计要求等技术难题,及时调整优化设计参数和施工方案,采取了二次扩挖、超前支护、加强系统支护、钢拱架支护、锚索支护、细水泥灌浆等综合工程措施,成功地解决了绿泥石片岩软岩洞段围岩抗变形稳定问题。     

蓄冰空调系统的优化控制

本文简述了蓄冰空调系统的发展现状及特点,分析了我国目前蓄冰空调发展存在的问题,针对这些问题,从蓄冰空调的主机优化、融冰优化及蓄冰系统控制等角度提出了优化当前蓄冰空调系统的建议.     

铜波导管-法兰盘接头感应钎焊技术

0前言 本文针对氧-乙炔手工火焰钎焊铜波导存在的问题，应用先进的感应加热技术对波导管-法兰盘典型接头进行试验研究，设计了一种新型铜波导感应加热器，并在试验的基础上总结了感应钎焊工艺参数和技术要点，改善了铜波导的钎焊质量。     

GaN:Eu,Dy薄膜的结构和发光特性研究

通过离子注入方法制备了一系列稀土Eu和Dy掺杂的GaN薄膜,研究了其结构、发光特性和能量传递机制。拉曼(Raman)光谱和X射线衍射(XRD)的研究一致表明：当Eu剂量保持不变时,随着Dy剂量增加,GaN晶格应变出现了先张应变后压应变的变化趋势。阴极荧光(CL)光谱表明：Eu,Dy共掺GaN样品的发光峰和单掺GaN样品的发光峰基本一致,这说明Eu和Dy共掺时并没有显著改变彼此的局域晶体场环境。在GaN中,对于Eu离子,⁵D₀→⁷F₂跃迁所对应的625 nm发光最强;对于Dy离子,⁴F_9/2→⁶H_13/2对应的583 nm发光最强。在Eu离子剂量保持不变的情况下,随着Dy离子注入剂量的增加,583 nm的发光逐渐变强,而625 nm的发光变弱。进一步,结合计算分析表明Eu离子主要通过电偶极-电偶极共振方式传递能量给Dy离子。最后发现随着离子注入剂量的改变,发光颜色在白色和红色间变化,色温在3889～4839 K变化...     

一种聚合物血压传感器

讨论了应用压电聚合物聚偏氟乙烯(PVDF)薄膜制作的血压传感器件的设计原理、结构和信号检测。实验结果发现这种传感器具有质量轻、结构简单、灵敏度高、没有人为因素影响等优点。