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以ITO/MoO3/NPB/Ir(ppy)3/TPBi/Cs2CO3/ Al器件为基础,采用NPB和TPBi作为间隔层(spacer) 制备了器件ITO/MoO3/NPB/Ir(ppy)3/NPB(spacer)/TPBi/Cs2CO3/Al和ITO/MoO3/N PB/TPBi(spacer)/Ir(ppy)3/ TPBi/Cs2CO3/Al,并通过调节间隔层厚度、分析器件的电致发光(EL)光谱,研究其对激 子复合区域的调控。实 验结果表明,所有器件的激子复合区域均位于NPB和Ir(ppy)3,且复合区域随电压的增大 和间隔层的增厚 向NPB移动。NPB(spacer)的厚从0nm增至10nm,色坐标均匀变化, 总变化值Δ(x,y)<(0.02,0.10);而 TPBi(spacer)对应的色坐标变化量Δ(x,y)<(0.04,0.20),厚≤6nm时,光谱变化较小(即调节幅度较小),而 10nm时光谱变化较大。这表明,通过调节间隔层材料或者厚度,就 能简单、方便 地调控激子复合区域, 为不同复合区域发光强度的粗调/微调和白光器件的设计提供依据。 相似文献
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