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1.
目的在镁合金表面制备具有自清洁、自修复功能的防护膜,实现镁合金的智能防护。方法采用提拉法在AZ61镁合金表面制备含有pH敏感型"核/壳"纳米结构缓蚀剂的无机-有机杂化硅膜,该膜层具有自清洁、自修复功能。利用扫描电子显微镜(SEM)表征膜层表面形貌,利用接触角测量仪(CA)表征膜层的润湿性和粘附性,利用粉笔灰模拟测试膜层的自清洁功能,利用电化学工作站测试膜层的防护性能,并结合分光光度计对缓蚀剂释放浓度的检测来评价膜层的自修复功能。结果制备的膜层中含有大量pH敏感型"核/壳"纳米结构缓蚀剂,且表面粗糙。水在膜层表面的静态接触角高达156.7°,而滚动角只有5°,表明膜层具有超疏水、低粘附特性,这样水滴滚落到膜层表面时,能够带走膜层表面的污染物,从而实现自清洁功能。开路电位及分光光度计测试表明,溶液pH的变化引起膜层中缓蚀剂释放,从而使膜层实现自修复。极化曲线测试结果表明,含有"核/壳"纳米结构缓蚀剂的膜层样品的腐蚀电流密度比镁合金基底样品小了接近2个数量级,其缓蚀效率可达99.36%。电化学阻抗谱(EIS)测试结果显示,含有"核/壳"纳米结构缓蚀剂的膜层阻值高达85105Ω·cm~2,且具有较持久的自修复防护能力。结论成功制备了含有pH敏感型"核/壳"纳米结构缓蚀剂的无机-有机杂化硅膜,该膜层具有自清洁、自修复功能以及优异的防护性能。 相似文献
2.
在分析了几种非均匀校正算法特点的基础上,提出了一种易于硬件实现的新算法,并给出了具体的硬件实现方法。与许多基于场景的非均匀校正算法不同,它不依赖目标的运动来抑制固定的图像噪声,而是将图像中的固定图像噪声和随时间温度的缓慢变化带来的信号漂移,看作是一种低频信号,利用时域高通滤波,将低频滤除;由于滤除的低频信号远低于帧频,因此不会影响图像细节。应用结果表明,该算法能有效消除红外探测器的非均匀噪声并有效抑制温度变化带来的漂移。 相似文献
3.
一种基于区域分集的SAR相干斑抑制算法 总被引:1,自引:0,他引:1
合成孔径雷达(SAR)因为相干成像原理所固有的相干斑噪声是影响其图像质量的主要原因。文中根据SAR图像的纹理特征和相干斑噪声的统计特征,提出了一种基于区域分类的相干斑抑制算法。本算法能够完全保留SAR图像边缘特征,同时对相干斑具有较好的抑制能力。实验结果表明,本算法处理效果优于目前常用的相干斑滤波算法。 相似文献
4.
采用原位椭圆偏振光谱法研究镁合金在模拟工业冷却水中的腐蚀及添加钼酸钠对腐蚀的抑制作用,利用单层膜模型解析椭圆偏振光谱实验数据,得到“电极—介质”界面层厚度及光学常数的动态变化规律,由此将镁合金在模拟冷却水中的腐蚀分为3个阶段:自然氧化膜溶解、吸附膜形成、腐蚀产物沉积,添加钼酸钠使腐蚀过程中自然氧化膜溶解减弱、吸附膜和沉积膜变得致密,从而有效抑制镁合金腐蚀. 相似文献
5.
苯甲酸钠对AZ31镁合金的缓蚀作用 总被引:1,自引:0,他引:1
发展适用于镁合金的环保型缓蚀剂对于有效抑制镁合金腐蚀、拓展其应用具有重要意义.苯甲酸钠(SB)作为缓蚀剂对镁合金的作用过去报道较少.为此,采用电化学阻抗谱(EIS)、极化曲线、扫描电子显微镜(SEM)等方法研究了苯甲酸钠对AZ31镁合金在3.5%NaCl腐蚀介质中的缓蚀作用.结果表明:SB是一种阳极型缓蚀剂,通过增大阳极极化有效抑制了AZ31镁合金的腐蚀;缓蚀率随SB浓度的增大而增加,可达87%以上;SB的缓蚀作用主要由在金属表面的吸附引起,在AZ31镁合金表面的吸附符合Temkin吸附模型. 相似文献
6.
7.
碱性介质中泡沫镍镀锌电极电化学行为的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
应用掠射式椭圆偏振技术 (掠射椭偏术 )和循环伏安法对以泡沫镍为基体的表面镀锌电极在碱性电解质 (KOH)中的电化学行为进行了研究。结果表明 :掠射椭偏术用于此类多孔电极体系的研究可以弥补反射式椭圆偏振技术的不足 ,显示出掠射式表面测试技术独特的优点 ;再者由于所研究的泡沫镍镀锌电极除具有较高的孔隙率和比表面外 ,还具有适当的活性 ,在电池充放电期间 ,负极上的锌能够得到充分的利用。而作为基体材料的镍在电解液中具有较高的稳定性 ,应用于碱性锌电池中不仅有利于改良电池的性能 ,而且作为蓄电池的负极材料有利于电极基体材料的回收和电极本身的再生。该研究结果为在碱性锌蓄电池中应用泡沫镍基材料制备锌负极和有效改善碱性锌电池的性能提供了依据。 相似文献
8.
9.
一种高效率SAR成像处理算法 总被引:1,自引:1,他引:0
合成孔径雷达(SAR)的成像处理需要大规模的运算量和转置存贮量,因此对处理硬件要求高,且实时率难于提高,文中提出一种基于重新安排处理顺序,相干叠加和滤波处理的高效处理算法,在分辨率相同时,该算法在转置存贮量增加25%,图像质量略有下降的情况下,可将运算量减少50% ̄60%。 相似文献
10.
SrO-Gd2O3-TiO2-SiO2∶Eu3 ,Bi3 可以在394 nm的近紫外光激励下主要发射612nm的红光,因而可以用于制备白光发光二极管.以钛酸丁酯和硅酸乙酯为主要原料,采用溶胶-凝胶法合成该荧光材料;并通过正交实验方法考察了激活剂掺入量、溶胶pH值、凝胶煅烧温度、煅烧时间、助熔剂用量等因素对荧光性能的影响,获得了该荧光材料的最佳组成及最佳合成条件,用扫描电子显微镜和X射线衍射方法对该荧光材料性质进行了表征. 相似文献