塑料闪烁体的闪烁时间特性

采用137Cs激发塑料闪烁体发光,应用单光子计数法测量塑料闪烁体发光衰减曲线。根据测量原理搭建了实验平台,测量了ST401和EJ232两种闪烁体的闪烁时间特性。实验结果用双指数拟合法进行分析可得,ST401发光衰减常数为2.9 ns和50 ns,EJ232发光衰减常数为1.6 ns和30 ns。实验平台所测幅度动态范围大于104,时间分辨小于0.8 ns。从统计学分析单光子计数法的物理过程,并采用蒙特卡罗方法模拟整个探测过程,探讨单光子计数法的适用条件。实验结果与数值模拟结果相洽。若终止探测器平均探测到的光子数不大于0.1,则多道测量结果可以近似为塑料闪烁体发光衰减曲线。     

用于离子能谱测量的Thomson谱仪设计与数据处理技术

在设计可用于测量质子、n粒子以及其他重带电离子能谱的Thomson谱仪的过程中,研究了带电离子在谱仪电场和磁场作用下的运动轨迹,开发了相应的计算机辅助设计软件。CR39固体径迹探测器作为离子记录介质,离子径迹在记录面呈现抛物线带状分布,研究了由抛物线带状分布回推离子能谱的数据处理方法。     

电子逃逸效应对PIN探测器γ灵敏度的影响

通过数值模拟和实验研究了电子逃逸效应对PIN探测器γ灵敏度的影响及铝、聚乙烯等不同材料对电子逃逸效应的补偿作用.数值模拟研究主要利用MCNP程序对γ射线在PIN探测器灵敏层中的能量沉积进行数值计算,得到探测器输出的脉冲幅度谱和灵敏度计算结果;实验研究利用60Co源发射的能量为1.17和1.33MeV的γ射线对不同补偿条件下的γ灵敏度进行标定.结果表明,电子逃逸效应对灵敏度存在显著影响,在探测器前设置铝、聚乙烯等补偿材料可对电子逃逸效应进行适当补偿.     

一种探测裂变谱高能中子方法的分析研究

探讨了提高系统中子灵敏度和测量信噪比的技术措施,通过结构参数的优化设计,提高了探测高能中子灵敏度.对影响信号测量的内本底干扰水平进行了理论计算.结果表明,在强辐射内本底条件下,可实现较低强度下探测裂变谱高能中子.     

反冲质子探测系统中子灵敏度的Monte Carlo算法

在强流脉冲中子测量工作中,常利用PIN探测器测量中子与聚乙烯中的H核发生弹性散射产生的反冲质子.本文利用Monte Carlo技术进行快速计算的反冲质子探测系统中子灵敏度表达式,给出了算法和计算流程.     

用于超快脉冲中子测量的条纹像机系统

为了测量ICF内爆实验聚变反应的时间过程，建立了计算机MonteCarlo光线追迹程序进行光学辅助设计，研制了主要由BC422塑料闪烁体、消色差透镜组、皮秒条纹像机和制冷增强CCD组成的超快脉冲中子探测系统，其时间响应＜40ps。闪烁体与靶丸的最短距离可达2cm，测量下限中子产额为～108。     

薄膜和纤维塑料闪烁体中子能响特性的Monte Carlo数值计算

根据中子与塑料闪烁体的作用机制及塑料闪烁体的荧光转换特性,研究了塑料闪烁体薄膜和塑料闪烁体纤维中子能响特性的Monte Carlo数值计算方法,给出了不同厚度的塑料闪烁体薄膜和不同直径的塑料闪烁体纤维对裂变能区中子的灵敏度计算结果,并对计算结果及其在电流型坪响应裂变中子探测器方面可能的应用进行了初步探讨。     

Z-pinch实验数据集中管理设计及实现

Z-pinch研究中进行的实验具有信号瞬发、数据量大、数据种类繁多等特点,实现实验数据网络数字化集中管理是信息化时代实验管理的迫切需求。描述了数据拆分和组合存储关键技术,说明了多条数据记录之间共享大容量附件数据的思路。结果表明实现数据集中快速管理,不仅能较好地挖掘和利用历史数据,并且对后期的实验具有及时的指导作用。     

大跨度钢结构屋盖顶推滑移施工技术研究

该文基于整套传统大跨度钢结构屋盖顶安装技术的不足以及对工程施工的总结,讲述了一种新型工具式拼装胎架,它可自由调节高度与宽度、自由拆卸、重复周转,保证滑移前钢结构屋盖拼装精度,并采用液压顶推器进行钢结构屋盖顶推滑移安装,计算机同步协调控制,大大提高安装精度,保证施工质量,提高施工效率。     

砷化镓探测器的灵敏度研究

本文介绍了中子辐照损伤的砷化镓光电导探测器对强流γ脉冲辐射的响应。给出了掺铬砷化馆和本征砷化镓探测器的灵敏度随中子辐照损伤注量的变化规律及随着施加偏压的变化关系。