全文获取类型
收费全文 | 123篇 |
免费 | 5篇 |
国内免费 | 4篇 |
专业分类
电工技术 | 6篇 |
综合类 | 22篇 |
化学工业 | 2篇 |
金属工艺 | 7篇 |
机械仪表 | 4篇 |
建筑科学 | 3篇 |
矿业工程 | 2篇 |
石油天然气 | 1篇 |
无线电 | 59篇 |
一般工业技术 | 6篇 |
冶金工业 | 8篇 |
自动化技术 | 12篇 |
出版年
2023年 | 2篇 |
2022年 | 2篇 |
2021年 | 2篇 |
2019年 | 1篇 |
2018年 | 1篇 |
2016年 | 3篇 |
2015年 | 1篇 |
2014年 | 2篇 |
2013年 | 2篇 |
2012年 | 5篇 |
2011年 | 4篇 |
2010年 | 5篇 |
2009年 | 10篇 |
2008年 | 11篇 |
2007年 | 20篇 |
2006年 | 9篇 |
2005年 | 4篇 |
2004年 | 2篇 |
2003年 | 3篇 |
2002年 | 2篇 |
2001年 | 4篇 |
2000年 | 5篇 |
1999年 | 8篇 |
1997年 | 1篇 |
1996年 | 2篇 |
1995年 | 3篇 |
1994年 | 5篇 |
1993年 | 2篇 |
1992年 | 3篇 |
1991年 | 5篇 |
1990年 | 2篇 |
1988年 | 1篇 |
排序方式: 共有132条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
对未掺杂LECSI-GaAs进行了“三步热处理”。用霍尔测量、光激电流谱测量和化学腐蚀方法研究了这种热处理对电阻率、迁移率、电活性缺陷、位错密度及As沉淀的影响。 相似文献
2.
利用微机械可变电容作为频率调节元件,制备了一种中心频率为2GHz的 LC VCO.微机械可变电容的控制极板与电容极板分离,并采用表面微机械工艺制造,在2GHz时的Q值最高约为38.462.MEMS VCO的测试结果表明,偏离2.007GHz的载波频率100kHz处的单边带相位噪声为-107.5dBc/Hz,输出功率为-13.67dBm.对微机械可变电容引起的机械热噪声以及减小空气压膜阻尼来降低相位噪声的方法进行了讨论,提出了一种优化阻尼孔数目的方法. 相似文献
3.
提取点云特征点的方法,大多集中在如何从扫描获取的点云数据中直接提取特征点,提取特征点的准确性受限于扫描精度.本文提出了一种精确提取点云数据特征点的方法:根据离散三维点云数据拟合曲面,精确求解拟合曲面的特征点.首先根据最小二乘法求解空间一点邻域内的曲面模型,然后计算曲面极值点作为特征点.这种方法不需要逐点判断曲率,提高了效率,同时采用最小二乘法拟合曲面,提高了精度.本文提出的方法对逆向工程中测量数据的曲面分割和多视角拼接也有借鉴意义. 相似文献
4.
5.
6.
本文介绍了一个基于S1C88104功能完善、实用性强的智能卡手持终端方案,并详述了相应的软硬件实现。 相似文献
7.
Total EL2 concentration distribution and net acceptor concentration distribution in uncloped semi-insulating(SI) LEC GaAs have been measured by multi-wavelength infrared absorption method. The experimental results indicate that total EL2 concentration radial distribution is W-shaped and net acceptor concentration radial distribution is sample-dependent, it can present a n shape, a A shape, or a W shape corresponding to different samples. 相似文献
8.
GPS公交车智能报站系统的实现 总被引:1,自引:0,他引:1
全球定位系统(GPS)已经广泛应用于各个领域。GPS可以确定公交车的地理位置,只要把公交站点的位置数据(经、纬度)记录下来,就可以知道公交车是否到达站点。利用GPS实现公交车的智能报站,是公交智能化的重大改进。 相似文献
9.
在 95 0°C和 1 1 2 0°C温度下 ,对非掺杂半绝缘 LECGa As进行了不同 As气压条件下的热处理 ,热处理的时间为 2~ 1 4小时。发现不同 As压条件下的热处理可以改变 Ga As晶片的化学配比 ,并导致本征缺陷和电参数的相应变化。在 95 0°C和低 As气压条件下进行 1 4小时热处理 ,可在样品体内 (表面 1 5 0 μm以下 )引入一种本征受主缺陷 ,使电阻率较热处理前增加约 5 0 % ,霍尔迁移率下降 70 %。这种本征受主缺陷的产生是由于热处理过程中样品内发生了 As间隙原子的外扩散。提高热处理过程中的 As气压可以抑制这种本征受主缺陷的产生。真空条件下在 1 1 2 0°C热处理 2~ 8小时并快速冷却后 ,样品中的主要施主缺陷 EL2浓度约下降一个数量级 ,提高热处理过程中的 As气压可以抑制 EL2浓度下降。这种抑制作用是由于在高温、高 As气压条件下 ,发生了间隙原子向样品内部的扩散 相似文献
10.