Si-C相图的研究及碳对硅单晶质量的影响

本文用气相掺杂法得到低氧区熔硅晶体中熔点附近碳的固溶度为8·6×10~(17)cm~(-3)。并指出不同的碳含量对晶体结构缺陷产生的影响。当1423K≤T≤1573K时,碳的固溶度表达式为[C]=3.0×10~(26)exp(-66kcal/RT)cm~(-3)。求出了Si-C相图的硅侧。     

基于柔性电网的电能质量分析

阐述柔性电网的特点,利用柔性电网电压计算模型分析网络的低电压特性,结合末端补偿和直流电源点补偿,从而提高电网电能质量。     

降低超大规模集成电路用高纯水中总有机碳的能量传递光化学模型

本文提出用185nm紫外线降低高纯水中总有机碳(TOC)的能量传递光化学模型.计算了水的流量、TOC的浓度、照射腔的尺寸与所需紫外光能量的关系,从而解决了在工程设计中185nm紫外灯的选择和计算方法.根据理论计算出的结果和实验十分一致,证实了本模型的正确性.使高纯水中的TOC由4200μg/l 降至0.3μg/l,是目前国内外高纯水中TOC浓度的最好水平.     

基于多核异构的低功耗语音AIoT芯片GX8008/GX8010

1前言相对于按钮、触摸屏、键盘输入界面,语音交互界面为人类解放了双手,还可以实现远距离控制,是一种更天然的交互方式。随着语音识别技术的发展,语音交互界面越来越成为消费者的选择。谷歌的GoogleNow和微软的Cortana,亚马逊的Alexa,还有国内的天猫精灵、百度智能音箱、360智能音箱等都实现了语音交互[1]。这些语音交互软件和设备很好地解决了智能产品的入口问题,并推动了语音交互技术的发展。目前基于深度神经网络的语音识别准确率已经超过人类自身。     

丙烯酰胺在聚乙二醇水溶液中可逆加成-断裂链转移聚合

结合双水相聚合和可逆加成-断裂链转移(RAFT)聚合,提出在聚乙二醇(PEG)水溶液中进行丙烯酰胺(AM)的RAFT双水相聚合,考察反应条件对聚合反应速率和产物分子量及分布的影响。结果表明:高引发剂浓度、单体浓度和聚合温度可以提高初始聚合速率和最终转化率,PEG和RAFT试剂浓度的增加会导致聚合速率减慢和最终转化率降低;峰值聚合速率随引发剂浓度、单体浓度和聚合温度的增加而增大,同时峰值聚合速率对应的时间提前;RAFT试剂浓度增加会推迟峰值聚合速率对应的时间,但可制得分子量分布较窄的产物;PEG浓度的增加会导致产物的分子量分布变宽。     

用固相外延方法制备Si1-x-yGexCy三元材料

分析了Si1-x-yGexCy三元系材料外延生长的特点,指出原子性质上的巨大差异使Si1-x-yGexCy材料的制备比较困难.固相外延生长是制备Si1-x-y的有效方法,但必须对制备过程各环节的条件进行优化选择.通过实验系统地研究了离子注入过程中温度条件的控制对外延层质量的影响以及外延退火条件的选择与外延层结晶质量的关系.指出在液氮温度下进行离子注入能够提高晶体质量,而注入过程中靶温过高会导致动态退火效应,影响以后的再结晶过程.采用两步退火方法有利于消除注入引入的点缺陷,而二次外延退火存在着一个最佳退火温区.在此基础上优化得出了固相外延方法制备Si1-x-yGexCy/Si材料的最佳条件.     

Si(111)衬底高温AlN缓冲层厚度及其结构特性

通过高分辨X射线衍射、光致发光、二次离子质谱（SIMS) 、原子力显微镜和同步辐射X射线衍射分析了AlN缓冲层的厚度对GaN外延层的影响. 实验表明，在缓冲层厚度为13～20nm之间时，GaN外延层的张应力最小，同时晶体质量和光学质量达到最优值. 此外，SIMS分析表明，当AlN缓冲层位于13～20nm之间时，可有效抑制Si的扩散.     

生长温度对MOCVD外延生长InGaN的影响

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,在GaN/蓝宝石复合衬底上生长了InGaN薄膜,并研究了生长温度对InGaN薄膜的In组分、结晶品质和发光特性的影响.实验中发现随着生长温度的降低,InGaN薄膜中的In组分提高,但结晶品质显著下降.X射线衍射(XRD)联动扫描的结果显示即使在In组分增大至0.57时也没有发现相分离现象,光致发光(PL)谱测量的结果表明InGaN薄膜的PL峰位随着In组分升高而向低能方向移动,半高宽随着In组分增加而增加.     

横向外延GaN结晶质量的同步辐射研究

采用同步辐射X光衍射技术研究了α-Al2O3(0001）衬底上横向外延GaN的结构特征。发现横向生长区的GaN（0001）晶面与窗口区的GaN(0001)晶面在垂直掩模方向上存在取向差。ω/2θ联动扫描发现横向生长区的GaN的衍射峰半高宽约为窗口区GaN的一半，这表明横向外延生长技术在降低GaN穿透位错密度的同时，还能大幅度提高GaN的晶粒尺寸。