一种亚微米垂直硅墙的刻蚀方法

亚微米垂直硅墙的制备是垂直硅薄膜耦合约瑟夫逊结的关键工艺.本文作者在普通光刻设备基础上,开发了一种在〈100〉硅片上制备亚微米硅墙的刻蚀方法:首先用普通光刻手段刻出较宽的墙区;其次,对非墙区进行迭加注入掺杂;第三,杂质高温横向扩散,第四,掺杂选择性刻蚀;第五,高温氧化减薄.实验结果表明,这种方法可以获得墙宽为0.29μm,墙高为1μm左右的硅墙,而且还有一定的改进潜力.     

JFFT控制特性的近似解析分析

由高Ｔｃ超导材料制备的Ｊｏｓｅｐｈｓｏｎ磁通流晶体管（ＪＦＦＴ）的控制特性中呈现了很强的非对称性。笔者分析了ＪＦＦＴ的控制场分布，并在电流－相位线性近似条件下，获得了这种非对称控制特性的近似解析描述。解析分析结果揭示了由控制线产生的不均匀外磁场是控制特性中非对称性产生的原因。其解析分析与实验结果之间符合较好。文中还讨论了各结构参数对ＪＦＦＴ的最大电流放大倍数的影响。     

超导逻辑门RCJL的传输特性

ＲＣＪＬ（电阻耦合约瑟夫孙逻辑）是电流注入控制型的典型超导逻辑门电路。本文用四阶龙格－库塔法分析了ＲＣＪＬ的传输特性，并分别对门的边沿激励、阻尼作用及门间隔离电阻对传输性能的影响作了详细的分析讨论。     

硅微加速度计多孔方板阻尼特性的数值分析

本文根据电容式微加速度计阻尼特性数学模型。完成了实践中常用的多孔方板结构电容式微加速度计阻尼特性的数值分析。     

MOSFET栅电流分布的理论建模

小尺寸ＭＯＳＦＥＴ的强场性,场畸变性和漏区尺度比例的增大,使它的分布效应增强,更准确地描述小尺寸器件的栅电流需要分布模型。本文依据“幸运电子”概念,基于我们已创建的沟道和衬底电流的二维分布模型,建立了ＮＭＯＳＦＥＴ的电子和空穴栅电流的分布模型,空穴栅电流的分布模型是基于负纵向场加速的新的发射物理过程建立的,所建分布模型包含了更祥尽的热载流子向栅发射的物理过程,这将有利于ＭＯＳＦＥＴ热载流子的损伤的     

MOS器件热载流子效应的测方法

对当前ＭＯＳ器件器应用广泛的两种的两种热载流子效应测试方法及其人应用进行了详细论述。还对ＭＯＳ器件的热载流子效应的参数撮进行了讨论。     

一种低压BiCMOS四象限模拟乘法器的设计

提出了一种结构简单的采用 Bi CMOS线性区跨导和输入预处理电路的低压 Bi CMOS四象限模拟乘法器 ,详细分析了电路的结构和设计原理。设计采用典型的 1.2 μm Bi CMOS工艺 ,并给出了电路的 SPICE模拟结果。模拟结果表明 ,当电源电压为± 3V时 ,功耗小于 2 .5m W,线性输入电压范围大约± 2 V。当输入电压范围限于± 1.6 V时 ,总谐波失真和非线性误差均小于0 .8% ,- 3d B带宽大于 110 MHz。     

浅谈住宅小区的智能化设计

随着电子技术、计算机技术、现代通信技术、自动控制技术、传感技术、多媒体技术和网络技术等一系列先进技术的迅速发展。。以及人们对物质生活和精神生活水平的日益提高,智能化建筑、智能化住宅小区如雨后春笋般地在各地涌现。人们已经认识到并开始享受智能化带来的方便、安全、便捷和效益。     

超导磁通流晶体管的研究进展

对超导磁通流晶体管的结构、原理、特性及与高Ｔｃ材料的适应性和应用状况作了简要的评述。     

电阻耦合型神经MOS晶体管及其差分四象限模拟乘法器

电阻耦合型神经 MOS晶体管是在电容耦合 (浮栅 )型神经 MOS晶体管基础上提出来的 ,它克服了电容耦合型神经 MOS晶体管中由于电容耦合而产生的缺点。文中介绍了电阻耦合型神经 MOS晶体管的基本结构和特点 ,并将它应用于差分四象限模拟乘法器