超深亚微米自对准平面双栅MOSFET假栅的制作

进入超深亚微米领域以后,传统CMOS器件遇到了器件物理、工艺技术等方面难以逾越的障碍.普遍认为,必须引入新结构和新材料来延长摩尔定律的寿命.其中,双栅CMOS被认为是新结构中的首选.在制作平面型双栅MOS器件中,采用自对准假栅结构,利用UHV外延得到有源区(S、D、G),是一种制作自对准双栅MOSFET的有效手段.文章详细研究了一种假栅制作技术.采用电子束曝光,结合胶的灰化技术,得到了线宽为50 nm的胶图形,并用RIE刻蚀五层介质的方法,得到了栅长仅为50 nm的自对准假栅结构.     

基于全生命周期的高速公路工程项目风险识别与模糊综合评价应用研究

基于全生命周期的项目风险管理思想,基于风险前馈控制和预测防范的视角,系统识别高速公路工程项目全生命周期在六个典型阶段的潜在风险,采用模糊综合评价法对高速公路工程项目风险的影响程度进行分析与估算,并将研究成果应用于某高速公路工程项目的线路比选,为该项目的科学决策提供定性、定量的分析依据。