一种真空离子溅射镀膜设备控制软件的设计

目前国内外的真空离子镀膜控制软件,都不具有重构功能,导致设备的功能有限,也不能任意修改镀膜程序,且自动化程度也不高;针对这种情况,设计了一种控制软件,以工业计算机为核心,使用Visual Basic.net编程语言编制软件,采用专家系统结构,在Windows操作系统环境下,通过计算机标准接口,控制真空设备中各种常用的部件,可根据产品的需求灵活配置真空镀膜设备;建立了控制指令集,可支持用户自选的光学膜厚仪,具有自主编程功能,可按不同工艺重构镀膜程序;该控制软件已经成功的应用于真空离子溅射镀膜设备,实现了计算机对镀膜设备的自动化智能控制,以及镀膜过程的24小时无人值守。     

山稔子提取物降血脂作用的研究

目的:研究山稔子提取物的降血脂作用。方法:分别用70%乙醇和蒸馏水对山稔子干粉进行回流提取,浓缩得到山稔子醇提物和水提物。在测定提取物中总多糖、总皂苷、总黄酮、总多酚含量的基础上,通过模拟人体胃肠道环境进行离体实验,对比分析山稔子干粉和2种提取物对胆酸盐的结合能力;以高脂饲料喂养小鼠建立高血脂模型,分别用不同剂量的2种提取物进行灌胃饲养,29 d后检测小鼠体重及血脂4项指标,并计算血脂综合指数(LCI)和动脉粥样硬化指数(AI)。结果:山稔子醇提物结合胆酸盐的能力较强。小鼠实验结果表明,与模型对照组相比,醇提物高剂量组的小鼠体重显著降低(P0.05),醇提物中、高剂量组和水提物高剂量组的小鼠血清总胆固醇(TC)、甘油三酯(TG)、低密度脂蛋白胆固醇(LDL-C)水平和LCI、AI值均显著降低(P0.05)。结论:山稔子醇提物和水提物都具有一定的降血脂作用。     

GaAs PHEMT栅选择腐蚀工艺研究

基于GaAs PHEMT(赝配高电子迁移率晶体管)材料结构的设计,材料生长过程中增加了一层腐蚀终止层。经过大量的实验和腐蚀液体系的选取,完成了GaAs PHEMT工艺中能用于大批量生产的栅加工工艺。利用选择腐蚀终止层可以很容易地达到夹断电压和漏极电流的批量生产的一致性。本研究利用磷酸腐蚀液体系,在材料的设计中增加了InxGa1-xP腐蚀终止层,结果达到了预期目的,并已用于GaAs 0.25μm PHEMT标准工艺的生产中,获得了良好的经济效益。     

信息化时代解构主义建筑的新有机化趋势

在信息技术日益成熟和发展的当下,社会信息化水平大幅度提升,解构主义遭遇了新的机遇和挑战。文中通过对解构主义建筑以及新有机建筑的剖析,探讨了解构主义建筑与有机建筑融合的依据和可能性,并分析提炼解构主义建筑形体设计中的有机化趋势。     

高反射性电流阻挡层用于提高InGaN/GaN发光二极管的光输出功率

由SiO₂/TiO₂分布布拉格反射镜(DBR)和Al镜组成的混合式反射电流阻挡层用于提高InGaN/GaN发光二极管的光输出功率。混合式反射电流阻挡层不仅增强了电流扩展效应而且有效的将射向p金属电极的光子反射防止其对p电极焊点附近光子的吸收。实验结果表明,淀积在p-GaN上1.5个周期的SiO₂/TiO₂DBR和Al镜在455nm垂直入射时的反射率高达97.8%。在20mA的工作电流下,与没有电流阻挡层的发光二极管相比,生长1.5对SiO₂/TiO₂ DBR和Al镜作为电流阻挡层的发光二极管的光输出功率提高了12.5%,且光输出功率的分布更加均匀。     

图形化蓝宝石衬底形貌对GaN基LED出光性能的影响

近年来,图形化蓝宝石衬底(PSS)作为GaN基LED外延衬底材料被广泛应用.通过干法刻蚀和湿法腐蚀制备了不同规格和形状的蓝宝石衬底图形,并进行外延生长、芯片制备和封装验证,采用扫描电子显微镜(SEM)和3D轮廓仪进行形貌表征,研究了不同规格和形状的衬底图形对LED芯片出光性能影响,并与外购锥形衬底(PSSZ2)进行对比.结果表明,在20 mA工作电流下,PSSZ2的LED光通量为8.33 lm.采用类三角锥和盾形衬底的LED光通量分别为7.83 lm和7.67 lm,分别比PSSZ2衬底低6.00％和7.92％.对锥形形貌进行优化,采用高1.69 μm、直径2.62 μm、间距0.42 μm的锥形衬底(PSSZ3)的LED光通量为8.67 lm,比PSSZ2衬底高4.08％,优化的PSSZ3能有效地提高LED出光性能.     

隔震结构子结构实振型分解反应谱方法

隔震结构的阻尼分布具有典型的非比例阻尼特性，因此经典实振型叠加反应谱法已不再适用，而现有隔震结构振型叠加反应谱法存在着计算精度低或计算复杂等缺点。为提高计算精度和效率，提出基于实振型分解的隔震结构子结构反应谱方法。采用隔震结构剪切型模型，给出结构矩阵的解析表达式，考虑人工地震动和天然地震动工况，对比分析非线性时程分析方法的计算结果，验证子结构反应谱法在隔震结构地震响应分析中的有效性。研究结果表明，隔震结构子结构实振型反应谱方法可提高隔震结构地震分析结果的计算精度，与非线性时程分析结果相比，上部结构层间位移最大相对偏差为13.64%,实振型分析计算简单，更便于工程设计人员应用。采用强迫解耦反应谱法会严重低估上部结构响应，与非线性时程分析结果相比，上部结构层间位移最大相对偏差可超过70%。     

和平之门3#地商业项目超长混凝土结构无缝设计

沈阳严寒地区季节温度差异大,降温工况使混凝土结构产生较大拉应力,本文采用MIDAS Gen软件对中海和平之门3#地商业项目超长混凝土结构进行温度荷载作用分析,按工程的实际情况施加温度荷载,得到该工程在最不利荷载工况下的温度分析结果,并对结构薄弱部位采取加强措施.分析结果表明,一层位置温度应力最大,温度应力分别向高楼层位置和地下室部位递减,在下沉式庭院结构刚度突变位置的温度应力较大.     

KrF光刻工艺技术

比较了248nm KrF光刻工艺与i-Line工艺上的异同,利用工艺原理和光学原理分析了248nm KrF光刻工艺的特点.对一些光刻工艺中容易出现的问题进行了探讨,使248nm KrF光刻技术在实际工艺中可以得到灵活应用.     

具有反射电极的高亮度LED芯片设计

根据光学薄膜原理,针对正装LED芯片设计了5种不同方式的电极结构,得出电流阻挡层SiO2和Al反射镜叠加制备出的反射电极具有较高的反射率,光电特性明显优于常规电极制备出的LED芯片。实验结果表明,该反射电极的反射率比常规电极结构反射率高53.1%,电流阻挡层SiO2可以改进有源区的电流扩展,减小电流堆积效应,而Al作为反射镜可以降低电极对光的吸收,使其发光效率、光强分布、饱和特性曲线和发光角度明显优于常规电极结构。实验采用化学气相沉积(CVD)法配合电子束蒸发制备反射电极,芯片的光功率提高了5.6%,成功制备出高亮度LED芯片。