混合溶剂中水分对TAC膜质量的影响研究

作为液晶显示光学用TAC薄膜与TAC感光片基相比,对其性能指标都提出了更高的要求,尤其表观点状缺陷的控制标准更是由毫米级升至微米级,而TAC膜质量受多种因素影响.通过对混合溶剂中不同梯度含水量时,棉胶及刮片膜质量的影响情况分析,得出了混合溶剂中水分对TAC膜的影响,并最终优化得出混合溶剂中含水量的最佳控制范围.     

A CMOS variable gain LNA for UWB receivers

A CMOS variable gain low noise amplifier(LNA) is presented for 4.2-4.8 GHz ultra-wideband application in accordance with Chinese standard.The design method for the wideband input matching is presented and the low noise performance of the LNA is illustrated.A three-bit digital programmable gain control circuit is exploited to achieve variable gain.The design was implemented in 0.13-μm RF CMOS process,and the die occupies an area of 0.9 mm~2 with ESD pads.Totally the circuit draws 18 mA DC current from 1.2 V DC supply,the LNA exhibits minimum noise figure of 2.3 dB,S(1,1) less than -9 dB and S(2,2) less than -10 dB.The maximum and the minimum power gains are 28.5 dB and 16 dB respectively.The tuning step of the gain is about 4 dB with four steps in all.Also the input 1 dB compression point is -10 dBm and input third order intercept point(IIP3) is -2 dBm.     

GaAs MMUC或平面Schottky Diode的C—V特性解析模型

本文提出了一种采用ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ工艺制造的平面微波变容管Ｃ－Ｖ特性解析模型，该模型着跟于小尺寸、平面化工艺及离子注入工艺，充分考虑了由其产生的栅下沟道串联电阻及侧电容对平面Ｓｃｈｏｔｔｋｙ ｄｉｏｄｅＣ－Ｖ特性的影响，这些影响对平面变容管影响较显著而在已有的模型中是被忽略或示作详细讨论的，文中还给出了该模型的算例及与实验结果，已有的几种典型模型算例的比较。结果表明，本文模型中参数易确定，与     

基于人脸关键特征的眼镜增强匹配算法

提出了一种基于人脸特征识别的增强现实的个性化眼镜匹配算法.针对人的脸部特征,采用了人脸识别技术,能够准确定位到摄像头下的人脸的形状特征.在获得人脸的特征点之后,根据人脸特征进行眼镜素材模型的位置增强绑定,并通过相应的图像处理模块,对已有的眼镜素材模型进行人脸特征点匹配的调整操作,根据检测到的人脸大小及位置进行调整,使得...     

菊花茶冲泡工艺优化

以茶汤中的绿原酸和总黄酮含量为测定指标,确定菊花茶最佳冲泡工艺。采用高效液相色谱法测定绿原酸的含量,分光光度计法测定总黄酮的含量。结果表明,当用120mL的100℃的水冲泡2g菊花茶1次、冲泡时间为15min时,茶汤中的绿原酸和总黄酮含量最高,此时的菊花茶汤中功效成分含量最高。     

集成化平面肖特基变容管微波C-V特性物理模型

提出一种集成化平面肖特基变容管微波频段 C- V特性物理模型 ,该模型考虑了由平面结构引起的分布有源层串联电阻、分布结电容、结反向饱和漏电流及侧壁电容对微波频段 C- V特性的影响 ,揭示了集成化平面肖特基变容管 C- V特性对频率的依赖 ,并对变容比作了讨论。模型与实验结果符合得很好     

双极模拟集成电路版图识别的模式识别算法

双极模拟ＩＣ在广泛应用于个人移动通信ＲＦＩＣ中占有重要地位。双极模拟ＩＣ版图识别与验证是其ＣＡＤ研究的重要内容之一。基于模式识别和专家系统的思想,提出了一种双极模拟ＩＣ版图识别的模式识别算法。该方法定义了五种基本版图图形关系,在此基础上构造了版画图技术向量,建立了算法系统及识别系统。该识别算法的优点在于与具体工艺过程无关,从而使识别过程完全系统化。实验表明,该识别系统有效、准确、可靠。     

一种Si CMOS的Ka波段毫米波功率放大器

为了满足毫米波雷达或通信系统对更高发射功率的需求,基于65 nm Bulk Si CMOS工艺制程设计了一款Ka频段功率放大器.该功率放大器工作于30～32 GHz,采用了共源共栅差分对结构的两级放大单元,使用中和电容增强电路的稳定性,并以变压器为基础设计实现了片上无源阻抗匹配网络.经过测试,该功率放大器在工作频段内的...     

栅结漏电流对GaAsMMIC中平面肖特基二极管C—V特性的影响

构造了考虑栅结漏电流影响的平面肖特基二极管电容计算模型，并用此模型对同一结构不同漏电流的肖特基二极管作了计算分析，计算结果显示，所构造模型与实验结果符合得很好，同时揭示出栅结漏电流对Ｃ－Ｖ特性克有影响。这种影响表现为，在一定的栅压范围内，随着栅结电流的增大，Ｃ－Ｖ曲线明显上抬，文中还与其它未考虑栅结漏电流影响的模型作了对比。     

一种快速建立的低噪声带隙基准源设计与实现

基于UMC 65nm CMOS工艺设计实现了一种快速建立的低噪声带隙基准源.利用工作在深线性区的MOS管实现了GΩ级别大电阻,因此仅采用5pF的电容即实现了截止频率低至32Hz的带开关低通滤波器,有效降低了带隙基准源输出噪声.有源器件的采用大大节省了芯片面积,降低了制作成本.通过采用上电延时电路去控制低通滤波器工作状态,克服了采用大阻值电阻或大容值电容低通滤波器降噪面临的缓慢建立问题,实现了快速建立.通过Spectre仿真器对电路在1.8V电源电压下进行了仿真,后仿真结果表明,电路在10kHz、100kHz、1MHz的输出噪声分别为:11.76nV/sqrtHz、1.213 nV/sqrtHz、336.8 pV/sqrtHz,电路的建立时间为1.436μs,整体功耗为104.4μW.本文设计已在实际芯片中得到应用,并取得了预期效果.