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为了解决绝缘栅双极型晶体管在实际应用当中的典型关断失效问题,对其在电感无钳位开关条件下的电压应力、电流应力、雪崩能力以及失效模式进行了研究。基于电感无钳位开关测试电路,着重探讨了UIS条件下IGBT的击穿机理。封装打线时将铝线分别键合于多个IGBT芯片发射极的不同部位,并基于自主搭建的测试平台,对该批初步封装的IGBT芯片进行了电感无钳位开关条件下的应力测试。最后提出了封装改进建议,避免封装键合点对于IGBT UIS失效的影响。实验结果表明:封装焊线在IGBT发射极金属所引入的横向电阻会导致IGBT芯片的并联元胞等效电阻不均匀,并使电流更易集中于封装键合点附近,最终导致IGBT芯片在UIS条件下的失效点均位于铝线键合点附近。 相似文献
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通过对Cree公司三代SiC MOSFET样品在-160~200℃温度下进行测试,提取出每代器件在不同温度下的阈值电压、导通电阻等特征参数。分析比较了三代产品阈值电压、导通电阻随温度的变化趋势,以及不同温度下导通电阻与栅极电压的关系。运用建立物理模型的方法,对三代产品阈值电压、导通电阻各组成部分与温度的关系进行了比较研究。解释了SiC MOSFET的阈值电压的温度变化率随产品更新而逐代降低的原因,是栅极SiO2/SiC界面存在的陷阱密度在逐代地下降。通过TCAD仿真拟合转移特性随温度的变化,验证了新产品的界面态密度的降低,同时佐证了SiC MOSFET的技术水平在近几年有显著提升。 相似文献
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一、利物浦的历史发展及产业特征
(一)17世纪开始,海外殖民促进码头贸易发展,工业革命带动利物浦城市形成
17世纪以前,以捕鱼为生的居民在这里聚集形成了渔村,城市尚未形成.贸易上只有少量的毛线贸易,自爱尔兰途径这里转至曼彻斯特进行加工,贸易形势单一.利物浦人口稀少不足4000人,人口密度不到20人/平方公里,没有外来移民,城市发展有限.
17世纪后期,利物浦成为英国的海外殖民贸易和贩卖黑奴活动与非洲殖民地来往的重要港口,人口和城市经济增长迅速.从利物浦出发的船只带上英国内地廉价的纺织品和工业产品,到非洲换取奴隶,再将奴隶卖往西印度群岛,从西印度群岛带回蔗糖、棉花等商品,再转售到欧洲其他城市.到18世纪末,利物浦港的奴隶贸易占英国的80%及欧洲近50%.同时,在工业革命的带动下,利物浦自身依托码头贸易,从发展造船业和船舶修理业,到逐步兴起钟表和制糖、煤炭和纺织等产业门类,激活了早期城市发展的主要动力和职能. 相似文献
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