首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   15篇
  免费   0篇
综合类   1篇
建筑科学   5篇
轻工业   3篇
无线电   4篇
冶金工业   1篇
自动化技术   1篇
  2021年   1篇
  2009年   1篇
  2008年   3篇
  2007年   2篇
  2005年   2篇
  2004年   5篇
  2000年   1篇
排序方式: 共有15条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
记M为所有抽象凸空间中KKM映射T组成的集合,F(T)为T的所有KKM点组成的集合.证明了存在一M的稠密剩余子集Q,使得T∈Q,T为稳定的,即T的KKM点的通有稳定性以及T∈M,至少存在一F(T)的本质连通区.  相似文献   
2.
钻孔灌注桩作为常用的基础形式之一,因其隐蔽性,在施工过程中存在较多的问题,本文归纳了泥浆护壁钻孔灌注桩施工过程中常见的质量通病及其防治措施.  相似文献   
3.
在岩石工程中发生的与高温相关的灾害中,快速降温的影响(热冲击)不可忽视,因此,研究在不同程度的热冲击作用下花岗岩的断裂特性可以对遭受高温灾害后岩石工程的稳定性分析提供理论依据和技术支撑。在本研究中,花岗岩被加热至目标温度(200 ℃、400 ℃、600 ℃),利用制冷剂的不同温度(-20 ℃、20 ℃、60 ℃) 为高温试样提供不同速率的降温处理。热处理前后对试样干密度、孔隙率和纵波波速进行测定,并通过巴西劈裂试验测试试样Ⅰ型、Ⅱ型断裂韧度。试验结果表明:干密度、纵波波速以及Ⅰ型、Ⅱ型断裂韧度均随降温速率的增大而减小,孔隙率则随降温速率的增大而增大;快速冷却引发的拉应力是造成花岗岩损伤的主要原因,且与岩石试样和制冷剂之间的温差呈正相关。  相似文献   
4.
集值映射不动点的连续本质连通区   总被引:1,自引:1,他引:0  
本质解的方法被广泛应用于各种问题解的稳定性研究,其在研究Nash平衡、不动点的稳定性中起着重要的应用.探讨了集值映射不动点的稳定性.引入了上半连续非空紧凸值集值映射不动点集的连续本质集的概念,并证明了其存在性.即证明了每一上半连续非空紧凸值集值映射至少存在一个该映射不动点集的极小连续本质集,以及该极小连续本质集是连通的.  相似文献   
5.
本篇着重于分析和总结地域性的因素 ,如气候因素 (主要指温度、湿度、降水量、风力等 ) ,地形、地貌因素及资源分布等自然因素 ,对于传统民居特色的形成所起到的不可忽视的作用  相似文献   
6.
彩色母盘刻录系统中的激光读写控制   总被引:1,自引:1,他引:0  
提出了彩色母盘刻录系统中一种基于单片机和复杂可编程逻辑器件(CPLD)技术的激光读写控制方法。以CPLD为核心构成控制电路分别控制650、532和405nm的3种激光器驱动电路,单片机通过CPLD并行或独立地调节每个激光器读写功率和写入时间。实验结果表明,激光器的输出功率连续可调,写入频率达10MHz,写入脉宽最大为5s。  相似文献   
7.
介绍一种以显微镜结构为基础的浸没式阵列激光扫描直写光刻系统的光路结构、有效焦深、自动调焦及曝光能量控制的原理和方法。实验系统的有效数值孔径(ENA)为1.83,使用的激光波长为355nm时,在实验室条件下得到的最细线条宽度为65nm。  相似文献   
8.
结合工程实例,介绍了土钉墙支护技术在软土地基深基坑的应用,并以土钉墙的设计、施工和监测,说明土钉墙在中浅基坑围护工程的适用性.  相似文献   
9.
描述了多阶母盘刻录系统中一种基于丁业标准结构(ISA)总线接口和复杂可编程逻辑器件(CPLD)技术的激光多功率写入控制方法及其控制电路的设汁实现。控制电路以丁业标准结构总线接口与计算机通信。以复杂可编程逻辑器件为核心处理单元,采用外加功率探测器进行功率反馈。可以同时控制激光器的写入功率和写入时间,使半导体激光器可以对母盘上感光材料进行多阶功率的曝光刻写,同时写入时间可调,从而实现母盘的多阶刻录。已经用于多阶母盘刻录实验系统,可以兼容不同类型的半导体激光器。实验结果表明,使用此控制电路可以在光致变色材料盘片上实现至少8阶功率写入。并获得8阶信号。其最小写入时间125ns,长时间工作输出功率的不稳定性小于1%,可满足只读型多阶光盘的刻录需要。  相似文献   
10.
空间的凸性是不动点理论以及连续选择理论中的关键条件.本文对抽象凸结构的性质做了进一步的研究.讨论了抽象凸空间中的KKM方法,并应用KKM 方法给出了抽象凸空间中的"抉择定理".主要结果改进和推广了相关文献中的结果.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号