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采用乙醇作为溶剂,通过溶剂热法在低温(270℃)低压(18.2 MPa)条件下合成了Nd/Si共掺的钇铝石榴石(YAG)粉体。利用XRD、TEM、发射光谱和吸收光谱等测试手段对产物微观形态和晶体结构进行了表征研究。在270℃下保温4 h可以得到粒径为200~300nm的球形单分散YAG粉体,粒度比较均匀。粉体的发射光谱与Nd:YAG透明陶瓷的发射光谱近似一致。晶格常数、发射光谱和吸收光谱的结果表明,Nd与Si已掺入YAG晶格中。热处理条件与Nd和Si的掺杂对粉体的光学性质具有显著影响。 相似文献
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为了实现在8寸化学机械抛光设备上进行小尺寸镀铜InP晶圆的减薄抛光工作,提高设备的兼容性,缩减工艺步骤,减少过多操作导致InP晶圆出现裂纹暗伤和表面颗粒增加等问题,自制特殊模具,使小尺寸InP晶圆在8寸化学机械抛光设备上进行加工,再根据InP晶圆易碎的缺陷问题,通过调整设备的抛光头压力、转速和抛光垫的转速等相关工艺参数,使其满足后续键合工艺的相关需求。实验结果表明:在使用特殊模具下,当抛光头的压力调整为20.684 kPa、抛光头与抛光垫的转速分别为:93 r/min和87 r/min时,InP晶圆的表面粗糙度达到:Ra≤1 nm;表面铜层的去除速率达到3 857×10-10/min;后续与8寸晶圆的键合避免键合位置出现空洞等缺陷,实现2寸InP晶圆在8寸设备上的CMP工艺,大大降低了CMP工艺成本,同时避免晶圆在转移过程中出现表面颗粒度增加和划伤的情况,实现了InP晶圆与Si晶圆的异质键合及Cu互连工艺。 相似文献
3.
采用高温热裂解法制备出Si-B-C-N陶瓷样品,在1100℃和1400℃退火5h后XRD结果显示两个样品均保持非晶状态.采用电流-电压直流测试方法,确定了样品在室温至1100℃温度范围内的直流电导率,材料的电导率在整个温度范围内均随着温度的升高而增大,呈现出非晶半导体的特性.退火温度升高导致电导率显著增大,这与高温退火过程中H的失去有关. 相似文献
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对笔架山水厂的原竖流折板絮凝池加侧向流波纹斜板沉淀池在运行中出现的问题进行了分析,并结合国内现有斜管沉淀池的运行经验提出了改造措施,总结了设计斜管沉淀池应注意的问题。 相似文献
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针对我国南方低碳氮比生活污水,开展以BAF为硝化单元的A2N工艺小试研究,针对超越污泥携带NH4+导致出水超标及二沉池出水SS偏高时TP超标问题,进一步研究增加二级BAF单元的处理效果,形成A2N/BAF工艺.结果表明:A2N段对COD、NH4+-N、TP平均去除率分别为82.0%、70.9%、90.0%;当进水NH4+-N超过40.0 mg/L时,二沉池出水NH4+-N超过10.0 mg/L;二级BAF单元能够硝化二沉池出水NH4+-N及截留SS,最终出水COD、TP、NH4+-N、NO3--N、SS平均质量浓度分别为35、0.35、1.06、8.01、7 mg/L,稳定达到一级A标准. 相似文献
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利用聚合物前驱体热裂解工艺制备了碳纳米管增强的陶瓷基复合材料.制备了含1.3%和6.4%(体积分数)碳纳米管的硅碳氮复合材料.SEM和HRTEM微观结构表明碳纳米管被均匀地分布在陶瓷基体中.采用纳米压痕测量了材料的力学性能,结果表明碳纳米管增强陶瓷复合材料的力学性能明显提高. 相似文献
8.
利用聚合物前驱体陶瓷工艺制备了Si-Al-C-N陶瓷,并对陶瓷氧化和腐蚀特性进行了研究.结果表明掺入少量的Al将极大地提高Si-Al-C-N陶瓷的抗氧化和抗腐蚀能力.含1.4at%Al的Si-Al-C-N陶瓷的氧化速率较文献报道硅基材料的低10倍,并且在1200℃,50 h观察不到任何腐蚀.还讨论了Si-Al-C-N陶瓷的抗氧化与腐蚀的机理. 相似文献
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西丽再生水厂是目前深圳特区内唯一一座位于城市河流上游的污水处理厂,担负着向大沙河补充生态景观用水的任务。再生水厂建设规模5万m3/d,主体工艺采用BIOSTYR生物滤池+ACTIFLO高密度沉淀池,在设计中需要解决用地紧张、尾水排放标准高以及臭气对居民区影响等问题。介绍了西丽再生水厂的设计特点、主要工艺设计参数,并对实际运行情况进行分析。 相似文献
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