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1.
为更有效地评价通信网节点间的重要性,以节点删除算法为基础,提出一种多参数优化算法.定义节点重要性参数,通过比较该参数的大小评价节点重要性,进而反映删除节点后对整个通信网的影响程度.实验结果表明,相比于节点删除算法,多参数优化算法对各节点重要性的评估更为精确.  相似文献   
2.
主要介绍了近来关于BOPP薄膜的热收缩性能、光学性能、热封性能和抗静电性能的研究,简述了目前BOPP的功能化发展成果及今后的发展目标。  相似文献   
3.
本文主要介绍了近年来主流的高阻隔性包装材料及其主要应用领域和发展现状,并对未来高阻隔性包装材料的发展趋势进行了分析与展望。  相似文献   
4.
对相同条件下制备的不同晶向的锑化镓抛光晶片表面化学组分进行了XPS测试比较,结果表明(110)GaSb晶片表面的氧化程度最为严重,表面极为粗糙;有极性的(111)GaSb晶面由于Ga-Sb价键存在于衬底内部,反而氧化程度较低,表面较光滑.分析比较了GaSb晶面表面化学组分与形貌的关系.  相似文献   
5.
Low dislocation density Ge wafers grown by a vertical gradient freeze (VGF) method used for the fabrication of multi-junction photovoltaic cells (MJC) have been studied by a whole wafer scale measurement of the lattice parameter, X-ray rocking curves, etch pit density (EPD), impurities concentration, minority carrier lifetime and residual stress. Impurity content in the VGF-Ge wafers, including that of B, is quite low although B2O3 encapsulation is used in the growth process. An obvious difference exists across the whole wafer regarding the distribution of etch pit density, lattice parameter, full width at half maximum (FWHM) of the X-ray rocking curve and residual stress measured by Raman spectra. These are in contrast to a reference Ge substrate wafer grown by the Cz method. The influence of the VGF-Ge substrate on the performance of the MJC is analyzed and evaluated by a comparison of the statistical results of cell parameters.  相似文献   
6.
借助传输剂的作用,化学气相传输法(CVT)ZnO单晶生长过程具有足够高的组分过饱和蒸气压,因而具有很强的生长驱动力.控制单晶的成核和生长模式成为获得大尺寸ZnO单晶的关键.对不同条件下CVT法ZnO单晶生长的实验现象、晶体表面形貌和晶体质量进行了研究分析,给出了晶体生长模式与生长温度、化学配比等条件的关系.并在此基础上实现了ZnO单晶的二维成核生长模式的控制,获得厚度均匀、单一晶向的高质量大尺寸ZnO单晶.  相似文献   
7.
商品氮化铝粉料中含有高浓度的氧、碳及金属杂质,需经过高温提纯处理后才能用于物理气相法氮化铝晶体生长。与感应加热相比,钨网电阻加热可有效避免碳、氧等的二次沾污,势必具有良好的提纯效果。本文采用钨网炉对AlN原料进行高温烧结提纯处理,通过X射线能谱仪(EDS)、气体分析技术(IGA)和辉光放电质谱仪(GDMS)对烧结处理后AlN的杂质含量进行了测试分析,结果表明经钨网炉高温烧结处理后,AlN原料中杂质含量明显降低,其中的氧、碳去除效果显著。还进一步分析了杂质挥发、原料损耗随温度、时间变化的规律。  相似文献   
8.
飞机无线电罗盘是飞机上装载的一项十分重要的装备和技术,是对飞机进行定位和导航的主要设备,因此加强无线电罗盘的抗干扰能力研究,有助于加强对高空交通秩序的维护;同时,加快飞机无线电罗盘数字化设计能有给飞机驾驶提高一个简约的平台,为罗盘主机接收和发射信号一共巨大的便利。本文主要从飞机无线电罗盘数字化模拟设计和抗干扰性能两个方面进行分析研究,寻找两个方面的具体共通性,为加快飞机无线电罗盘数字化建设提供巨大的动力。  相似文献   
9.
掺Sb的ZnO单晶的缺陷和性质研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
张瑞  张璠  赵有文  董志远  杨俊 《半导体学报》2008,29(10):1988-1991
采用化学气相传输法生长了掺Sb的ZnO体单晶,生长温度为950℃. 与非掺ZnO单晶相比,掺Sb后ZnO单晶仍为n型,其自由电子浓度明显升高. X射线光电子能谱(XPS)测量结果表明,掺入的Sb在ZnO单晶中可能占据了Zn位,或处于间隙位置,形成了施主. 利用光致发光谱(PL)测量发现掺Sb后ZnO单晶发出蓝光,该蓝色荧光与浅施主有关. 这些结果表明在高温生长条件下,掺Sb后ZnO单晶中产生了高浓度的施主缺陷,因而难以获得p型材料.  相似文献   
10.
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