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1.
系统芯片和系统级封装是目前微电子技术高速发展的两种技术路线,本文讨论了系统的基本概念,针对两种技术路线的基本特点进行了介绍和分析,从工艺兼容性、已知好芯片问题、封装、市场及设计的角度比较了两者的优缺点。 相似文献
2.
积层多层板用UV油墨的合成研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用丙烯酸改性环氧树脂E-44的方法,合成了环氧丙烯酸酯预聚物,并将其用在UV光固化油墨的配方中。在树脂合成过程中,研究了反应温度,催化剂,阻聚剂等因素对合 产品的影响。通过L9(3^4)正交试验,得到了优化的工艺参数:反应温度为90℃,催化剂为N,N-二甲苯胺,用量1%;阻聚剂对苯二酚,用量0.5%,投料环氧树脂和丙烯酸的摩尔比为1:1.08。 相似文献
3.
研究了用Ag-Sn作为键合中间层的圆片健合。相对于成熟的Au-Sn键合系统(典型键合温度是280℃),该系统可以提供更低成本、更高键合后分离(De-Bonding)温度的圆片级键合方案。使用直径为100mm硅片,盖板硅片上溅射多层金属Ti/Ni/Sn/Au,利用Lift-off工艺来形成图形。基板硅片上溅射Ti/Ni/Au/Ag。硅片制备好后,将盖板和基板叠放在一起送入键合机进行键合。键合过程在N2气氛中进行,键合过程中不需要使用助焊剂。研究了不同键合参数,如键合压力、温度等对键合结果的影响。剪切强度测试表明样品的剪切强度平均在55.17MPa。TMA测试表明键合后分离温度可以控制在500℃左右。He泄漏测试证明封接的气密性极好。 相似文献
4.
介绍了数模混合高速集成电路(IC)封装的特性以及该类封装协同设计的一般分析方法.合理有效的基板设计是实现可靠封装的重要保障,基于物理互连设计与电设计协同开展的思路,采用Cadence APD工具以及三维电磁场仿真工具实现了特定数模混合高速集成电路(一款探测器读出电路)的封装设计与仿真论证,芯片封装后组装测试,探测器系统性能良好,封装设计达到预期目标.封装电仿真主要包含:封装信号传输通道S参数提取、电源/地网络评估,探测器读出芯片封装体互连通道设计能满足信号带宽为350 MHz(或者信号上升时间大于1 ns)的高速信号的传输.封装基板布线设计与基板电设计协同分析是提高数模混合高速集成电路封装设计效率的有效途径. 相似文献
5.
FeCl_3溶液中影响Cu蚀刻速度的因素 总被引:5,自引:0,他引:5
采用喷蚀的方法,研究了Cu在2.5mol/LFeCl3溶液中影响蚀刻速度的几个因素。用XRD方法分析了Cu蚀刻表面的成分,证实了蚀刻过程中CuCl钝化膜的形成;研究了蚀刻速度随蚀刻时间的变化规律,给出了初步的解释;同时研究了蚀刻液中不同氯化物添加剂对蚀刻速度的影响,结果表明阴离子不是影响蚀刻速度的唯一因素,不能排除阳离子的影响;同时对蚀刻液的溶铜能力及失效蚀刻液的再生进行了初步的研究。 相似文献
6.
正第64届国际电子元件与技术会议(Electronic Components and Technology Conference,ECTC)是世界电子封装技术领域四大品牌会议之一,2014年5月27日至30日在美国佛罗里达州奥兰多举行。5月27日的培训课共开设了18个课程,在数量上是ECTC历史上的新高;据会议组织方统计,参加培训的人数共417人,与2013年ECTC培训课程参与人数(333人)相比也有大幅提升。 相似文献
7.
8.
用于圆片级封装的金凸点研制 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍了电镀法进行圆片级封装中金凸点制作的工艺流程,并对影响凸点成型的主要工艺因素进行了研究.凸点下金属化层(UBM,under bump metallization)溅射、厚胶光刻和厚金电镀是其中的工艺难点,通过大量的实验研究,确定了TiW/Au的UBM体系,得到了优化的厚胶光刻工艺.同时,研制了用于圆片级封装金凸点制作的垂直喷镀设备,选用不同的电镀液体系和光刻胶体系,对电镀参数进行了控制和研究.对制作的金凸点与国外同类产品的基本特性进行了对比,表明其已经达到可应用水平. 相似文献
9.
10.
近年来随着电子产品的小型化发展,窄节距倒装芯片互连已经成为研究热点。传统的倒装芯片组装后底部填充技术(例如底部毛细填充)在用于窄节距互连时易产生孔洞,导致可靠性降低,因此产业界开发了面向窄节距倒装芯片互连的预成型底部填充技术,主要包括非流动底部填充和圆片级底部填充。介绍了这类新型底部填充技术的具体工艺及材料需求,并提出了目前其在大规模量产以及未来更窄节距应用中存在的问题及挑战,总结了目前产业界在提高量产生产效率、提升电互连的可靠性以及开发纳米级高热导率填料等方面提出的解决方案,分析了该技术未来的发展方向。 相似文献