天然染料染色中媒染剂应用的现状与展望

概述了近年来天然染料染色过程中媒染剂的研究现状。首先对非铬金属媒染剂、天然媒染剂以及复配媒染剂的研究进行了介绍,其次对这三种媒染剂媒染原理进行了阐述,最后对媒染剂研究趋势进行了展望。     

某进口固体废物“铁精粉”的鉴别方法探析

为了确保不进口污染环境的固体废物，针对某冒充铁精粉的进口固体废物，通过外观、成分、物相分析进行了系统的鉴别。确定样品主要为经研磨加工的氧化铁皮，属于禁止进口的固体废物——轧钢产生的氧化皮。     

脱硫活性焦水洗再生过程实验研究

对5种活性焦水洗再生前后的脱硫性能进行实验研究，通过比表面积（BET）、X射线光电子能谱（XPS）方法表征水洗再生工艺对活性焦孔隙结构和表面化学性质的影响，揭示影响活性焦水洗再生性能的关键因素。结果表明:活性焦脱硫硫容的大小和水洗再生率的高低没有直接关系；微孔比表面积较大的活性焦脱硫性能较好，中大孔孔容较大的活性焦水洗再生率较高，同时具备较大的微孔比表面积和中大孔孔容结构的活性焦适宜水洗再生工艺；活性焦表面极性含氧官能团含量越高水洗再生效果越好；活性焦AC5经过6次水洗再生循环，微孔中的硫酸经过多次累积后可以被水洗出，稳定再生率保持在45%~50%，最适用于活性焦水洗再生工艺。     

两种比色法测定甲壳素类化合物含量的研究和比较

建立了间苯二酚显色测定甲壳素类化合物含量的分光光度法.方法的测定波长为500nm,线性曲线回归方程为Abs=5.435Conc-0.026(R=0.9999),线性范围20～80mg/L-1,与通常的DMAB方法比较,该方法实验周期短,灵敏度高.     

OKI CTstage呼叫中心系统全面服务上海邮购业务

2006年7月3日,冲电气工业株式会社宣布,海伯力服务股份有限公司(HYBRIDSERVICECO.,LTD.)在今天开始,采用以OKICTI服务器“CTstage4ifor.NET中文版”为基础的呼叫中心系统,首批设立16个座席,并从即日起开始正式面向上海地区提供办公用品的邮购服务业务。该系统的构筑由OKI的中国当地法人公司——冲电气软件技术(江苏)有限公司负责承担。海伯力公司是日本享有盛名的办公用品邮购企业。2003年10月,海伯力公司为了开拓中国市场的办公用品邮购业务,在中国上海市成立了当地法人公司——海伯力国际贸易(上海)有限公司,海伯力也因此成…     

发力华东 畅讯科技加大渠道招募

8月31日,应用流量管理设备提供商北京畅讯信通科技有限公司携手其上海总代理上海三零卫士信息安全有限公司在沪隆重举办了以“同一艘战舰同一个彼岸”为主题的渠道招募会。大会邀请到上海市信息委、上海交大信息中心等单位领导和众多相关人士。畅讯科技与上海三零卫士牵手走到一起,是双方在发展方向、市场拓展定位等诸多层面不谋而合的结果,因为双方都在努力打造冠军级民族品牌。通过此次合作,三零卫士将成为畅讯科技在华东地区(上海地区、浙江地区)的总代理和技术支持中心,双方在共同的发展理念和前提下,畅讯科技凭借业界领先的研发能力和…     

联想：无忧服务到家门

联想把打印上门服务扩展到100个城市,进一步加大了市场的竞争力,让联想“奥运品质、无忧服务”的形象深入人心。     

从消防审查角度谈水消防设计的几个问题

从建筑工程消防审查角度出发,探讨了室外水消防设计和有关说明的必要性,充实水柱的保护范围及消火栓的布置间距设计的误区,自动喷水灭火系统末端试水装置和试水阀处的排水设置,自动喷水灭火系统的设计基本参数应在设计说明中注明,自动喷水灭火系统气压供水设备的设计,高层建筑内无可燃物的设备层是否应设自动喷水等常见问题。针对问题,从消防审查角度提出解决措施。     

高温氨化合成GaN微晶

分别利用Ga2O3粉末和Ga2O3凝胶作为Ga源,采用NH3为N源,在950℃下,分别将两种反应物与流动的NH3反应20 min合成了GaN微晶。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)对微晶进行结构、形貌的分析,特别是对两种不同途径合成GaN微晶的XRD进行了分析比较。结果表明,当Ga源温度为950℃时两种不同的合成途径均可得到六方纤锌矿结构的GaN单晶颗粒,在氮化温度为850℃和900℃时,利用Ga2O3粉末作为Ga源,仅有少量的Ga2O3转变为GaN;而采用Ga2O3凝胶作为Ga源,在相同的温度下,大部分凝胶经过高温氨化反应均可转化为GaN。     

区熔硅近表面洁净区和体内微缺陷的形成

中子辐照区熔(氢)硅片经退火后在近表面形成洁净区,在硅片内部形成体内微缺陷.微缺陷的形成与中子辐照造成的损伤及单晶硅内氢杂质的催化加速有关,还与后续退火条件有关.第一步退火的温度对微缺陷的尺度有很大的影响,中低温要比高温所形成的微缺陷小.在退火过程中微缺陷有一个生长过程,1100℃退火2h微缺陷已达最大.硅片表面的粗糙度影响表面洁净区的形成,洁净区出现在未抛光面,双面抛光硅片不会形成表面洁净区.