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现有的ERP系统忽视对制造企业刀具应用的管理,但刀具的使用与配置对制造系统能力的充分发挥具有十分密切的关联。从制造企业的信息化角度看,刀具管理关系到企业在制造执行系统上的能力,而刀具的计划和分布对制造成本有直接影响。 相似文献
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针对河内污染物转化的荧光强度波动性很大,极易受到外界干扰,采集的实时性和准确性很差;提出一种基于S3C2410的嵌入式水污染弱荧光数据采集系统;为了采集弱荧光信号,系统的硬件使用光电倍增管,前置放大器的增益和光电倍增管的测量灵敏度可以针对不同强度的光实现可调,配合S3C2410核心芯片配合增强型神经网络的软件设计,保证采集的准确性;高精度测量模块实现相对误差小于0.5%的弱荧光强度测量,大幅降低荧光采集的误差,提高荧光数据采集的准确性,保证了系统的实时性和良好的应用性. 相似文献
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目的 化学机械抛光(CMP)包含化学腐蚀和机械磨削两方面,抛光液pH、磨粒粒径和浓度等因素均会不同程度地影响其化学腐蚀和机械磨削能力,从而影响抛光效果。方法 采用30~150 nm连续粒径磨粒抛光液、120 nm均一粒径磨粒抛光液、50 nm和120 nm配制而成的混合粒径磨粒抛光液,分别对蓝宝石衬底晶圆进行循环CMP实验,研究CMP过程中抛光液体系的变化。结果 连续粒径磨粒抛光液中磨粒大规模团聚,满足高材料去除率的抛光时间仅有4 h,抛光后的晶圆表面粗糙度为0.665 nm;均一粒径磨粒抛光液中磨粒稳定,无团聚现象,抛光9 h内材料去除率较连续粒径磨粒抛光液高94.7%,能至少维持高材料去除率18 h,抛光后的晶圆表面粗糙度为0.204 nm;混合粒径磨粒抛光液初始状态下磨粒稳定性较高,抛光9 h内材料去除率较连续粒径磨粒抛光液高114.8%,之后磨粒出现小规模团聚现象,后9 h材料去除率仅为均一粒径磨粒抛光液的59.6%,18 h内材料去除率仅为均一粒径磨粒抛光液的87.7%,但抛光后的晶圆表面粗糙度为0.151 nm。结论 一定时间内追求较高的材料去除率和较好的晶圆表面粗糙度选用混合粒径磨粒抛光液,但需要长时间CMP使用均一粒径磨粒抛光液更适合,因此,在工业生产中需要根据生产要求配合使用混合粒径磨粒抛光液和均一粒径磨粒抛光液。 相似文献