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排序方式: 共有52条查询结果,搜索用时 15 毫秒
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自发极化和压电极化是氮化镓制作光电器件没有解决的问题,对非极性GaN材料的研究解决了极化现象.采用低温AIN作为缓冲层,在(1102)γ面蓝宝石和(0001)с面蓝宝石上分别生长了(1120)非极性α面和(0001)极性с面GaN,用原子力显微镜和高分辨X射线衍射、光致发光谱比较了生长在γ面蓝宝石上的α面GaN和с面蓝宝石上的с面GaN,α面GaN材料质量和с面GaN相差较大,在α面GaN上发现了三角坑的表面形貌,这和传统的с面生长的极性GaN截然不同.对α面GaN的缺陷形成原因进行了讨论,并且确定了三角坑缺陷的晶向. 相似文献
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查询推荐是搜索引擎系统中的一项重要技术,其通过推荐更合适的查询以提高用户的搜索体验。现有方法能够找到直接通过某种属性关联的相似查询,却忽略了具有间接关联的语义相关查询。该文将用户查询及查询间直接联系建模为查询关系图,并在图结构相似度算法SimRank的基础上提出了加权SimRank (简称WSimRank)用于查询推荐。WSimRank综合考虑了查询关系图的全局信息,因而能挖掘出查询间的间接关联和语义关系。然而,WSimRank复杂度太高而难以实用,该文将WSimRank转换为一个状态层次图的遍历和计算过程,进而采用动态规划、剪枝等策略对其进行优化从而可以实际应用。在大规模真实Web搜索日志上的实验表明, WSimRank在各项评价指标上均优于SimRank和传统查询推荐方法,其MAP指标接近0.9。 相似文献
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使用化学试剂改变土样的pH值,不同pH值的土样在等量水泥作用下,固化土抗压强度存在显著的差异。为解释上述试验现象,测定了相应固化土孔隙液中主要离子的浓度,并进行热力学计算。结果表明:在相同的水泥掺量作用下,pH值较低的土样形成的固化土孔隙液中Ca(OH)2不饱和,随土样PH值的增加,固化土孔隙液中Ca(OH)2浓度增加,水泥水化生成的胶凝性水化物的量也相应地增多,固化土抗压强度增量也随之提高;当固化土孔隙液中Ca(OH)2浓度由不饱和逐渐变为饱和后,固化土中胶凝性水化物能充分生成,固化土抗压强度达到最大值,且随土样pH值的增加固化土抗压强度基本保持恒定。 相似文献
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9月20日,庆贺中华人民共和国50年华诞的喜庆锣鼓敲响了。其中特别响亮、振奋人心的鼓点从北京展览馆传来,建国50周年成就展在这里拉开了大幕。20天来,记者用笔、用相机捕捉着人们只有在节日里方有的笑容,在展区声、光、电营造的五彩世界里,去感受共和国“光辉的历程”,去体味那“永恒的辉煌”。记者以前也曾经参加过众多的展览会,但置身于此次成就展中间,却有了一种与众不同的新感受。新中国的建设成就、新世纪的殷殷企盼,组织者将涵盖经济、政 相似文献
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利用高效液相色谱(HPLC)建立了定量检测发酵产物中麦角硫因的方法。该方法采用Zorbax SB-Aq色谱柱,检测条件为流动相A(纯水:甲醇体积比99:1,使用20%的乙酸和50%的氨水调节流动相的pH至5.0)和B(甲醇),进样量5 μL,柱温30 ℃,流速0.7 mL/min,检测波长为257 nm。建立的梯度洗脱的模式进一步提高了方法的稳定性、延长了色谱柱的使用时间。经高效液相色谱(HPLC)和高效液相色谱质谱联用仪(HPLC-MS)验证,该方法特异性良好,检出限和定量限分别为0.045和0.900 μg/L。在2.5~1000 mg/L的浓度范围内,线性关系良好,相关系数R2=0.9991。精密性、日内稳定性和日间稳定性的RSD分别为0.33%、1.89%和0.026%。平均加标回收率在92.17%和93.92%之间。该方法简便、迅速、稳定、准确,可以用于麦角硫因的研发以及应用的定量分析。 相似文献
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Nonpolar a-plane [110] GaN has been grown on r-plane [1■02] sapphire by MOCVD, and investigated by high resolution X-ray diffraction and atomic force microscopy. As opposed to the c-direction, this particular orientation is non-polar, and it avoids polarization charge, the associated screening charge and the consequent band bending. Both low-temperature GaN buffer and high-temperature AlN buffer are used for a-plane GaN growth on r-plane sapphire, and the triangular pits and pleat morphology come forth with different buffers, the possible reasons for which are discussed. The triangular and pleat direction are also investigated. A novel modulate buffer is used for a-plane GaN growth on r-plane sapphire, and with this technique, the crystal quality has been greatly improved. 相似文献