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氧化镓(Ga2O3)作为一种新型的超宽禁带半导体材料,与目前常用的半导体材料SiC和GaN相比,具有更大的禁带宽度、更高的击穿场强等优良特性。设计了一种基于α-Ga2O3的垂直型肖特基二极管(SBD),采用场板终端结构降低阳极边缘电场强度,研究了不同绝缘材料下阳极附近的电场分布,并探讨了场板结构与长度对其击穿特性的影响。仿真结果表明,在选取HfO2作为α-Ga2O3垂直型SBD场板结构的绝缘材料时,场板结构可以增大该器件的反向击穿电压,最大反向击穿电压可达约1 100 V,对于现实中制备α-Ga2O3 SBD具有非常重要的参考意义。 相似文献
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本文作者根据高层建筑施工特点,着重从技术,管理两个方面对安装施工的内部,外部配合,协调问题进行了分析,并提出了合理的解决方法。 相似文献
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贾晓萍 《四川建筑科学研究》2001,27(2)
1 引言科技期刊校对质量高低,在很大程度上取决于编辑部的素质.编辑部系统从素质着眼,包括这样三个素质,即人员素质、管理素质和精神素质. 相似文献
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