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针对某公司检具车间作业环境差、污染环境的现状,进行了喷烤一体化设备的设计改造,介绍了喷烤一体化设备的组成及各部分的要求与关键参数。 相似文献
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基于45 nm SOI CMOS工艺,设计了一款输出频率为10.04 GHz~19.26 GHz的高功率二倍频器。该二倍频采用push-push结构,能够滤除奇次谐波,留下偶次谐波。为了提高倍频管二次谐波的功率,将MOS管偏置在C类。在二倍频器的输入端,采用二次谐波短路回路来提高倍频转换增益;同时,为了实现巴伦中心交流接地及平衡信号,在巴伦中心抽头处加入了一个电容。后仿真结果表明:在输入功率为0 dBm下,3 dB绝对带宽范围为10.04 GHz~19.26 GHz,相对带宽为62.9%。在带宽内基波抑制达到了27 dBc以上。最大转换增益为4.9 dBm。直流功耗峰值为26 mW。其最大功率附加效率为15.4%。芯片核心面积仅为0.264 mm2。 相似文献