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1.
一个用于高速信号传输的对PVT变化不敏感的低功耗锁相环 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍了一个用于高速信号传输的低功耗锁相环. 提出了一种新的开环校准方法. 该校准通过上电时候进行的开环数字校准很大程度上减轻了工艺变化对电路的影响,相比以前的闭环校准方法,该方法可以显著缩短校准时间. 在这个锁相环中采用了双环路的结构来获得对工艺、温度和环境变化不敏感的环路参数:例如衰减因子、相位裕度等. 还设计了一种新的鉴频鉴相器,它内嵌了电平转换的功能,简化了电路. 该PLL的设计通过小心的供电网络划分来降低电源噪声的耦合. 设计的锁相环路在输出为1.6GHz的时候均方根抖动为3.1ps,而仅消耗约为1mA的电流. 相似文献
2.
在本文中我们介绍了一个可以在整个UWB带宽(3.1-10.6GHz)范围内工作的超宽带低噪声放大器。它利用了电流复用技术来降低电路的功耗。我们还详细分析并比较了当使用2阶和3阶滤波器用于阻抗匹配时它们的噪声贡献。该放大器的测试芯片用0.18μm CMOS工艺实现。测试结果表明:该放大器可以在3.1-10.6GHz的带宽内提供12.4-14.5db的增益,并且提供良好的阻抗匹配,噪声系数为4.2-5.4db,输入三阶交调电压在6GHz时为-7.2dbm。当电源电压为1.8V时,芯片消耗5mA电流(不包括输出buffer)。芯片面积为0.88 mm2。 相似文献
3.
An ultra-wideband (3.1-10.6 GHz) low-noise amplifier using the 0.18μm CMOS process is presented. It employs a wideband filter for impedance matching. The current-reused technique is adopted to lower the power consumption. The noise contributions of the second-order and third-order Chebyshev fliers for input matching are analyzed and compared in detail. The measured power gain is 12.4-14.5 dB within the bandwidth. NF ranged from 4.2 to 5.4 dB in 3.1-10.6 GHz. Good input matching is achieved over the entire bandwidth. The test chip consumes 9 mW (without output buffer for measurement) with a 1.8 V power supply and occupies 0.88 mm^2. 相似文献
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介绍了一个用于高速信号传输的低功耗锁相环.提出了一种新的开环校准方法.该校准通过上电时候进行的开环数字校准很大程度上减轻了工艺变化对电路的影响,相比以前的闭环校准方法,该方法可以显著缩短校准时间.在这个锁相环中采用了双环路的结构来获得对工艺、温度和环境变化不敏感的环路参数:例如衰减因子、相位裕度等.还设计了一种新的鉴频鉴相器,它内嵌了电平转换的功能,简化了电路.该PLL的设计通过小心的供电网络划分来降低电源噪声的耦合.设计的锁相环路在输出为1.6GHz的时候均方根抖动为3.1ps,而仪消耗约为lmA的电流. 相似文献
7.
利用锁相环(PLL)为高速低功耗并行传输电路发射机生成时钟信号的系统。设计了一个稳压器(Voltage Regulator),为PLL中对噪声敏感的模块提供低噪声的电压源。在此基础上提出了一种新型的动态改变工作频率的方法,应用于源同步(source-synchronous)模式的高速传输电路。此方法可以在不改变PLL状态的情况下快速改变输入输出(I/O)电路的工作频率,降低功耗。整个芯片采用0.18μm CMOS工艺设计并流片测试成功。 相似文献
8.
设计了一个与静态电路兼容的64位动态加法器,采用嵌入逻辑的动态触发器,以及多相位时钟技术,实现了与上、下级静态电路的接口.在加法器内部采用稀疏先行进位策略平衡逻辑路径长度以降低内部负载,提高性能.在STMicro90nmCMOS工艺下,该加法器可工作在4GHz时钟下,功耗45.9mW. 相似文献
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A 10-20 Gb/s PAM2-4 transceiver in 65 nm CMOS 总被引:1,自引:1,他引:0
This paper presents the design of a 10 Gb/s PAM2, 20 Gb/s PAM4 high speed low power wire-line transceiver equalizer in a 65 nm CMOS process with 1 V supply voltage. The transmitter occupies 430 × 240 μm2 and consumes 50.56 mW power. With the programmable 5-order pre-emphasis equalizer, the transmitter can compensate for a wide range of channel loss and send a signal with adjustable voltage swing. The receiver equalizer occupies 146 × 186μm^2 and consumes 5.3 mW power. 相似文献
10.
This paper presents the design of a 10 Gb/s low power wire-line receiver in the 65 nm CMOS process with 1 V supply voltage. The receiver occupies 300×500 μm2. With the novel half rate period calibration clock data recovery (CDR) circuit, the receiver consumes 52 mW power. The receiver can compensate a wide range of channel loss by combining the low power wideband programmable continuous time linear equalizer (CTLE) and decision feedback equalizer (DFE). 相似文献