一种提高电量信号离散精度的方法

对电量信号进行离散化采样时,能否对采样点领先处理一下,再进行计算。本文对多次平均法预处理信号采样点的方法进行了详细理论分析,提出使用该方法可增加系统的防噪能力     

He-Ne激光器的双纵模热稳频系统

本文描述一种新的He-Ne 激光源热稳频系统。用比较两个纵模相对强度变化的办法,通过特定的电路控制内腔式激光器放电管的电流强度,即改变管中等离子体温度,以此来控制谐振腔长度达到稳频目的。在20±1℃条件下频率不稳定度≤1.1×10~(-9),在有强烈冷热气流干扰时也<1×10~(-7)。长期稳定性能,限于条件,曾试验到160小时而不“跑模”。     

建筑后张有粘结预应力技术在建筑施工中的应用

随着我国经济的快速发展,建筑行业迅速发展,越来越多的建筑物拔地而起,同时对于施工技术也提出了更高的要求。当前预应力混凝土技术在建筑中广泛使用,为建筑施工带来了极大的技术提升。本文阐述了后张有粘结预应力技术在建筑施工中的应用,分析了施工中存在的技术难点以及具体的施工流程,并着重分析了技术要点的控制。     

真空微电子器件中的场发射硅尖阵列制作研究

本文阐述了本所采用湿法腐蚀方法制作硅场发射锥尖的过程和实验结果，并对其结果进行了讨论，同时还给出了测得的Ｆ—Ｎ和Ｖ—Ｉ特性曲线。     

掺砷多晶硅边缘场发射阴极阵列的特性研究

提出了一种T形结构的边缘场发射阴极，它具有比通常的场发射体的发射面积大得多的特点。首次采用低压化学气相沉积技术生长内层重掺砷、外层较掺砷的多晶硅薄膜；利用氢氟酸／硝酸／冰醋酸腐蚀液对不同掺砷浓度多晶硅选择性腐蚀的特点，成功制备了T形结构的多晶硅边缘场发射阵列（FEA）；本方法对于制备类似结构的边缘场发射器件有意义。在此基础上建立了三极管几何模型，最后采用有限差分法对该三极管模型进行了静电分析。     

双纵模双频激光干涉仪

本文介绍了一种双纵模双频激光干涉仪的原理,结构及激光光源采用的热稳频原理。激光源采用热稳频方法,不使用压电晶体也不用线膨胀系数小的材料做谐振腔,无须外加磁场,只使用电真空玻璃制造的普通全内腔式He-Ne激光管。干涉仪成本低,激光管寿命长,并能获得550—650MHz的拍频,使干涉仪具有良好的动态测量性能。本仪器经中国测试技术研究院测定,其偏差小于0.1μm/800mm,稳频精度优于2×10~(-9),频率复现性:1×10~(-8)。     

一种InSb薄膜型霍尔器件

霍尔器件是一种半导体磁电器件,它是根据霍尔效应的原理进行工作的,其特性为输出电压与输入电流及所加磁场强度成正比。InSb薄膜型霍尔器件灵敏度高、输出功率高、体积小、     

硅尖阵列场致发射微二极管的制备及特性研究

本文采用各向异性腐蚀和干－湿－干氧化锐化工艺，在ｎ型，（１００）晶向、电阻率为３～５Ωｃｍ、３英寸硅片上均匀制备了三种结构硅尖阵列场致发射二极管。锥尖密度达１５０００个／ｍｍ￣２，硅尖曲率半径小于３０ｎｍ；在３５Ｖ收集极电压下，单尖发出电流达０．１４μＡ，其Ⅰ—Ⅴ曲线与Ｆ—Ｎ公式类似。