Degradation Behaviors of Metal-Induced Laterally Crystallized n-Type Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors Under DC Bias Stresses

Device degradation behaviors of typical-sized n-type metal-induced laterally crystallized polycrystalline silicon thin-film transistors were investigated in detail under two kinds of dc bias stresses: hot-carrier (HC) stress and self-heating (SH) stress. Under HC stress, device degradation is the consequence of HC induced defect generation locally at the drain side. Under a unified model that postulates, the establishment of a potential barrier at the drain side due to carrier transport near trap states, device degradation behavior such as asymmetric on current recovery and threshold voltage degradation can be understood. Under SH stress, a general degradation in subthreshold characteristic was observed. Device degradation is the consequence of deep state generation along the entire channel. Device degradation behaviors were compared in low V_d-stress and in high V_d-stress condition. Defect generation distribution along the channel appears to be different in two cases. In both cases of SH degradation, asymmetric on current recovery was observed. This observation, when in low V_d-stress condition, is tentatively explained by dehydrogenation (hydrogenation) effect at the drain (source) side during stress     

冷热循环工艺中冷热转移速率对LY12铝合金尺寸稳定性的影响

研究了冷热转移速率对LY1 2铝合金微屈服强度和残余应力的影响。结果表明 ,提高冷热转移速率易使材料中形成稳定的位错组态 ,从而有利于提高微屈服强度 ;对于圆柱和圆环试样 ,提高冷热转移速率不利于降低残余应力。分析认为 ,冷热转移速率应根据工件几何形状和尺寸进行相应调整。     

纳米陶瓷及其纳米复相陶瓷的研究现状

综述了纳米陶瓷和纳米复相陶瓷的的研究现状．探讨了纳米陶瓷的力学性能及其热喷涂纳米陶瓷涂层存在的问题．分析了纳米复相陶瓷的增韧机理，为纳米陶瓷的研究和应用提供了理论依据。     

基于悬停四旋翼位置姿态信息的风场估计方法研究

基于四旋翼飞行器悬停状态下的位置及姿态信息,提出了一种离线的风场估计方法。首先根据Dryden大气紊流模型建立了四旋翼飞行器所处的风场环境,并通过分析有风情况下旋翼升力的变化,得到旋翼升力与风场信息(风速、风向)的函数关系式;接着利用牛顿-欧拉方法推导出有风扰动下的四旋翼动力学方程,并进一步设计了用于保持飞行器悬停状态的PID控制器;最后,基于悬停状态下四旋翼飞行器的位置姿态信息,计算得到飞行器所处的风场环境信息。MATLAB仿真结果表明所提方法在有紊流干扰的情况下,能够有效地提取出风场环境里的主风信息。     

热丝化学气相沉积法原位制备的MgB2超导薄膜

用热丝化学气相沉积法(HFCVD)在蓝宝石基片上原位制备了MgB2超导薄膜,并用XRD、SEM和dc SQUIDs研究了基片温度和时间对薄膜相组成、表面形貌和超导临界转变温度Tc的影响.结果表明,HFCVD原位生长MgB2薄膜可以抑制MgO杂质的生成.基片温度在500℃以下,MgB4杂相容易出现;在500℃以上时,可以消除MgB4杂相;在600℃时,获得了纯单相的MgB2薄膜,其超导临界转变温度达到36 K.随基片温度升高,薄膜结晶性、致密度和超导临界转变温度提高.     

气膜成型连续铸造技术

介绍了铝合金棒坯气膜成型连续铸造技术的原理和特点，以及气膜成型技术在国内外发展的现状，指出在国内开展该项技术研究值得注意的问题。     

自锐性金刚石树脂砂轮磨削性能的研究

本文通过对比磨削试验，研究了自锐性金刚石(CSD)树脂砂轮的磨削性能。试验结果表明，由于CSD形状小规则，有许多凹入角和粗糙表面，树脂结合剂对CSD的把持力较普通金刚石强，所以在磨削各参数相同的条件下，自锐性金刚石砂轮与普通金刚石砂轮相比，其磨削比提高60％以上。且由于CSD的内部为许多单个亚晶粒所组成的镶嵌的颗粒，因此在应力作用下，只有很小的不规则的碎片崩掉，从而在每个颗粒的表面上留下许多新的小切削刃，故其加工工件的表面粗糙度值较低。     

MEMS惯性测量单元的精确定标技术

在工程实际应用中,MEMS惯性测量单元的误差来源很多,噪声波动范围很大,温度特性和非线性严重;通过高低温实验,首先,分析系统的误差,建立系统的误差模型,在-30℃~+60℃范围内,进行全温度补偿;然后,分析噪声,根据实际要求,设计数字低通滤波器,对补偿后的数据进行滤波;结果显示,在满足工程实时性与动态特性要求的前提下,陀螺仪的零位补偿精度可以达到±0.03°以内,噪声波动范围可以控制在0.05°以内,加速度计的零位补偿精度达到±0.001g,满足工程实际要求,具有实用性!     

大型塑料模具钢模块淬火工艺的有限元分析

采用有限元软件MSC Marc模拟大型P20钢模块在复杂淬火工艺下的冷却过程,通过分析淬火过程中的温度变化历程及最终组织分布,为厂方生产的P20钢模块制定合理的淬火工艺.