HP295中间裂纹产生机理分析及控制措施

通过对HP295封头冲压开裂件缺陷光电镜分析,查找到缺陷产生部位及其导致原因。对多组铸坯低倍样检查,发现中间裂纹是缺陷根源。此后,根据现场生产情况,分析钢中磷、硫含量、钢水过热度、铸机设备精度、拉速和二次冷却强度等因素对铸坯中间裂纹的影响。通过降低磷、硫,控制过热度,调整设备精度,降低拉速以及优化二次冷却等措施,HP295铸坯中间裂纹得到有效控制,用户加工开裂现象完全杜绝。     

庄河地区水资源现状浅析

本文通过对庄河地区水资源的分析及未来需水量的预测,计算其区域余水量。以确定区域经济的规划。     

垦71井区三维VSP资料波场分离方法应用研究

三维VSP资料是多偏移距VSP资料，资料中多种类型的波叠合在一起形成复杂波场。从复杂波场中分离出单一的保幅反射波波场是三维VSP波场分离的重要工作。常规二维VSP波场处理方法单一，难以适用于复杂的三维波场处理。针对三维VSP资料的波场特点，以分离上行反射P波为例，将单一波场分离方法加以适当组合，对垦71井区三维VSP实际资料进行了应用研究。结果表明，波场分离处理中叠加消去法和中值滤波相结合以及F—K滤波和中值滤波相结合的方法克服了单一方法的缺陷，波场处理后获得了波组特征明显、波场清晰单一的上行反射P波保幅波场，取得了较好的波场分离效果。     

基于DTW改进算法的孤立词识别系统的仿真与分析

传统的DTW算法在进行孤立词语音识别时着重于时间规整和语音测度的计算，而没有对数据的可靠性和有效性进行分析。本文提出了一种改进的端点检测算法，并采用一种改进的DTW算法，在计算机上进行了仿真。实验结果表明采用改进后的DTW算法有效的降低了识别时间和存储数据量，提高了系统性能。     

Metalorganic chemical vapor deposition of silver thin films for future interconnects by direct liquid injection system

Deposition of Ag films by direct liquid injection-metal organic chemical vapor deposition (DLI-MOCVD) was chosen because this preparation method allows precise control of precursor flow and prevents early decomposition of the precursor as compared to the bubbler-delivery. Silver(I)-2,2-dimethyl-6,6,7,7,8,8,8-heptafluoro-3,5-octanedionato-triethylphosphine [Ag(fod)(PEt₃)] as the precursor for Ag CVD was studied, which is liquid at 30 °C. Ag films were grown on different substrates of SiO₂/Si and TiN/Si. Argon and nitrogen/hydrogen carrier gas was used in a cold wall reactor at a pressure of 50–500 Pa with deposition temperature ranging between 220 °C and 350 °C. Ag films deposited on a TiN/Si diffusion barrier layer have favorable properties over films deposited on SiO₂/Si substrate. At lower temperature (220 °C), film growth is essentially reaction-limited on SiO₂ substrate. Significant dependence of the surface morphology on the deposition conditions exists in our experiments. According to XPS analysis pure Ag films are deposited by DLI-MOCVD at 250 °C by using argon as carrier gas.     

针对不同地质目标的叠前时间偏移成像解释评价

随着计算机硬件和地震勘探成像技术的发展，叠前时间偏移正逐步替代常规的NMO加DMO加叠后时间偏移成为地震数据成像处理方法的主流。但对于不同的地质目标，叠前时间偏移的成像效果是否优于常规NMO加DMO加叠后时间偏移的成像效果呢？为此，从地震数据成像处理方法、处理流程和处理参数等方面进行了讨论，并基于某地区三维数据常规处理结果和叠前时间偏移处理结果，针对不同地质目标进行了剖析与评价。认为：叠前时间偏移成像的垂向分辨率较常规处理明显降低，但对于空间波阻抗变化明显的河流和断层，叠前时间偏移成像的空间分辨率要高于常规处理；对于小于1／4波长的叠置薄储层，叠前时间偏移成像的垂向和空间分辨率低于常规处理结果。     

TUD-DNS3脱硝助剂在催化裂化装置的工业应用

TUD-DNS3脱硝助剂在中韩（武汉）石油化工有限公司1号催化裂化装置上进行了工业应用。结果表明：针对两段再生工艺，当系统中助剂占总催化剂藏量的质量分数为2.6%时，烟气脱硫装置外排污水中的氨氮质量浓度由加剂前的100 mg/L下降至40 mg/L以内；助剂的加入降低了CO焚烧炉的炉膛温度，有利于烟气的合格排放，并对装置操作、产品分布及汽油、柴油产品质量无不良影响。     

运动饮料配方设计概论

运动中，人体生理发生一系列的变化，包括水分损失、血糖／糖原消耗、电解质损失等，导致运动中／后的疲劳和运动能力下降。以运动中人体生理特点为基础，通过讨论运动前／中／后补充水、碳水化合物及电解质的问题，论证了运动饮料配方设计的原理依据。     

新型高K栅介质ZrO2薄膜材料的制备及表征

采用超高真空电子束蒸发法制备了新型高 K栅介质-非晶 ZrO2薄膜. X射线光电子能谱 (XPS) 中 Zr3d5/2 和 Zr3d3/2 对应的结合能分别为 182.1eV和 184.3eV, Zr元素的主要存在形式为 Zr4+,说明薄膜由完全氧化的 ZrO2组成 ,并且纵向分布均一.扩展电阻法( SRP)显示 ZrO2薄膜的 电阻率在 108Ω@ cm以上,通过高分辨率透射电镜( HR- XTEM)可以观察 ZrO2/Si界面陡直,没有 界面反应产物 ,证明 600℃快速退火后 ZrO2薄膜是非晶结构.原子力显微镜( AFM)表征了薄膜的 表面粗糙度,所有样品表面都很平整,其中 600℃快速退火样品 (RTA)的 RMS为 0.480nm.     

新结构MOSFET

和传统平面结构MOSFET相比，新结构MOSFET具有更好的性能(如改善的沟道效应(SCE)，理想的漏诱生势垒降低效应(DIBL)和亚阈值特性)和更大的驱动电流等。文章主要介绍了五种典型的新结构MOSFET，包括平面双栅MOSFET、FinFET、三栅MOSFET、环形栅MOSFET和竖直结构MOSFET。随着MOSFET向亚50nm等比例缩小，这些新结构器件将大有前途。