自组装方法化学沉积NiMoP镀层研究

应用自组装膜吸附钯的活化方法,在SiO2/Si平面基板表面化学沉积NiMoP阻挡层.应用XRF、XRD、SEM以及四探针等方法探讨了镀液中钼酸根浓度、温度及pH值对NiMoP镀层的影响.结果表明,镀层中Mo与P含量互相制约;随钼酸钠浓度上升,化学镀NiMoP的沉积速度逐渐降低,镀层结构由非晶态向晶态转变,镀层电阻率降低;随镀液温度上升,NiMoP镀层的沉积速度逐渐升高;镀液pH值在一定范围内上升可提高NiMoP镀层的沉积速度,镀层的晶粒尺寸与沉积速度有相同的变化趋势.     

冀东豆子沟铁矿石工艺矿物学特征

冀东豆子沟铁矿石铁品位为35.80%,铁主要以磁铁矿形式存在,其次为赤铁矿、碳酸铁,脉石矿物主要为石英、角闪石和辉石。为给该矿石开发利用提供依据,对其进行了工艺矿物学分析。结果表明:矿石结构主要为半自形—他形晶粒状结构,其次为自形晶粒结构、压碎结构、交代残留结构。矿石构造以条纹状和条带状构造为主,其次为片麻状构造。磁铁矿主要呈半自形—他形粒状赋存于石英等脉石矿物中,少数呈八面体型或立方体型赋存于石英或角闪石等脉石矿物中。矿石中磁铁矿嵌布粒度微细,64.01%的磁铁矿分布在0.02~0.16 mm粒级,12.59%分布在-0.02 mm粒级,这部分磁铁矿需细磨才能实现单体解离,但细磨容易造成泥化影响选矿指标,故建议采用阶段磨矿阶段选别工艺。     

SiO 2基底上化学镀Ni-Mo-P薄膜的生长和形成机理

采用化学镀方法在SiO2/Si 基底上制备Cu互联线用阻挡层材料Ni-Mo-P薄膜。采用场发射扫描电子显微镜、电子分散能谱仪、原子力显微镜分析不同沉积时间样品的表面形貌和成分,并对Ni-Mo-P薄膜的形成过程进行研究。Ni-Mo-P薄膜的形成过程分为3个阶段：催化阶段,先前还原的Pd颗粒成为Ni还原的催化形核中心,诱导Ni沉积;覆盖阶段,Ni颗粒诱导Mo、P与之进行共沉积;自生长阶段,Ni-Mo-P薄膜共同沉积,颗粒生长。阐述了还原剂被氧化后产物为3-4PO 的的反应机理。     

铜基引线框架氧化的产物、机理及控制措施

铜基引线框架氧化时先后分别生成Cu2O和CuO,形成结构为CuO/Cu2O/Cu的氧化产物。通过称重法估算氧化膜的厚度,通过电桥法测量电阻值评估引线框架的氧化程度。在引线框架的氧化初期,氧化速率由化学反应速率控制;在氧化中期,氧化速率由化学反应速率和扩散速率共同控制;在氧化后期,氧化速率由扩散速率控制。其中扩散过程包括Cu离子的向外扩散和氧原子的向内扩散。为了控制铜基引线框架的氧化,一方面可以优化封装工艺参数,降低封装过程对框架的氧化;另一方面,可以提高铜合金冶金技术,提高铜合金材料本身的抗氧化能力。     

大断面全岩拱形巷道快速掘进工艺优化

针对北四盘区辅运延伸巷爆破掘进施工时矸石运输效率低、支护施工难度大、巷道掘进速度慢等技术难题,分析原施工工艺存在的主要问题并进行优化,提出了导硐分层爆破施工工艺。优化施工工艺后,巷道掘进速度提高至4.1m/d,缩短了巷道支护时间,保证了巷道掘进安全,取得了显著成效。     

直流电沉积和脉冲电沉积Ni-W涂层的对比研究(英文)

采用脉冲电沉积和直流电沉积方法在中碳钢基底上沉积了具有不同W含量的Ni-W涂层。应用能谱仪(EDS),扫描电子显微镜(SEM),X射线衍射仪(XRD)分别表征了涂层的成分、形貌和结构,分别研究了涂层的硬度和耐腐蚀性能。结果表明,脉冲电沉积涂层具有均匀表面,致密的结构,其硬度和耐腐蚀性能比直流电沉积涂层更高。钨含量高于20at%的脉冲电沉积涂层具有纳米晶结构,其中含钨量最高的脉冲电沉积涂层的HV硬度可高达7.26GPa。中性盐雾试验结果表明,脉冲电沉积Ni-W涂层耐蚀性优于直流电沉积涂层,是有效的可替代电镀Cr的材料。     

水厂铁矿磁铁矿矿石工艺矿物学研究

冀东水厂铁矿石铁品位为32.27%,以磁铁矿形式存在的铁占总铁的91.72,以硅酸铁和碳酸铁形式存在的铁分别占总铁的5.30%、2.49%,脉石矿物主要为石英、辉石和角闪石。为给该矿石的开发利用提供依据,对其进行了工艺矿物学研究。结果显示：矿石结构以粒状变晶结构为主,少数呈似海绵陨铁结构和压碎结构;矿石构造以条纹状和条带状构造为主,片麻状构造和块状构造相对少见;矿石中磁铁矿嵌布类型多样,多数呈半自形-他形粒状、聚粒状嵌布于石英、辉石、角闪石等脉石矿物中;磁铁矿嵌布粒度极不均匀,在+0.64 mm粒级分布率为8.42%,在-0.08 mm粒级分布率为38.90%,在-0.04 mm粒级分布率为22.14%。因此该铁矿石的选别适宜采用阶段磨矿阶段选别工艺。     

直流电沉积Ni-W-P镀层研究

采用直流电沉积法,在低碳钢表面成功沉积Ni-W-P镀层。应用X射线荧光(XRF)、扫描电子显微镜(SEM)、俄歇电子能谱(AES)、X射线衍射(XRD)仪等方法,研究电流密度、镀液pH值和镀液温度对Ni-W-P镀层成分、表面形貌和结构的影响。结果表明,电流密度和镀液pH值的变化对Ni-W-P镀层成分的影响很大,而电流密度、镀液pH值和温度对镀层厚度的影响较小。电流效率随着电流密度和镀液温度的增大分别降低和升高,而随着镀液pH值的变化,在pH=7.0时有极大值。镀液pH值对Ni-W-P镀层结构有较大影响,在pH=8.0时,镀层呈现明显的Ni(111)峰,此时镀层硬度达到极大值7130MPa。在此基础上,对Ni-W-P镀层的电沉积机制做了进一步探讨。     

镀铜厚度对裸铜框架抗氧化性能的影响

采用双臂电桥法测量了不同氧化程度的裸铜框架的电阻,在此基础上分析了烘箱内氧浓度、烘烤温度和框架表面镀铜厚度对框架氧化程度的影响。研究发现,在氧浓度≤0.1%的氮气保护环境中,经过180℃烘烤60 min后,裸铜框架的氧化程度大于无氮气保护下100℃烘烤60 min后的氧化程度;镀铜层能有效提高裸铜框架在100~180℃范围内的抗氧化能力,镀铜层较厚(1.0μm)的裸铜框架的抗氧化能力优于镀铜层较薄(0.5μm)的裸铜框架的抗氧化能力。     

超声波对Ta/SiO2/Si基板置换活化法化学镀铜的影响

采用置换活化法,以PdCl2/BOE/HNO3溶液对Ta/SiO2/Si基板进行活化,然后在基板上成功实现化学镀Cu薄膜。应用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线衍射(XRD)等方法,研究了活化时间及超声波对化学镀Cu薄膜表面形貌和结构的影响。结果表明,在化学镀Cu过程中没有引入超声波时,随着活化时间由30 s增加到150 s,Cu膜覆盖率逐渐降低;在引入超声波以后,随着活化时间的增加,Cu膜覆盖率始终很高。XRD分析表明,引入超声波以后,Cu(111)和(200)峰的衍射强度明显增加,当活化时间为60 s时,Cu(111)和(200)峰的强度比I(111)/I(200)达到4.53。对具有沟槽的Ta/SiO2/Si基板进行化学镀Cu的结果表明,引入超声波,可以明显改善对沟槽的填充效果