YⅪ一RuXⅥ离子3d^10 4l（l=s，p，d，f）组态能级的逐插计算方法研究

在准相对论HXR方法计算的基础上，分析了等电子序列离子能级结构的特点，提出了一种高剥离态离子能级新的逐插计算方法．计算了YXImRuxⅥ离子3d^10 4l(l=s，p，d，f)组态能级，其结果与已有实验结果相当符合．而TcXV离子的所有能级值纯属预测计算结果．     

粒度对粉煤灰旋转摩擦电选效果的影响研究

为探究粉煤灰颗粒粒径对旋转摩擦电选的影响,采用标准k-ε湍流模型结合颗粒轨道模型,在1～100μm选取11种粒径的球形碳、灰颗粒为研究对象,对相同条件下颗粒在摩擦起电器内的运动情况进行数值模拟。结果表明:颗粒在旋转起电器内的运动行为与颗粒的粒径及种类有关,颗粒粒径越小,颗粒跟随性越好,颗粒越难与摩擦轮碰撞摩擦,不利于颗粒摩擦带电,不利于分选;颗粒粒径大于30μm时,摩擦起电效果好,与实验结果基本一致。     

YⅪ-Ru ⅩⅥ离子3d104l(l=S,P,d,f)组态能级的逐插计算方法研究

在准相对论HXR方法计算的基础上,分析了等电子序列离子能级结构的特点,提出了一种高剥离态离子能级新的逐插计算方法.计算了Y Ⅺ-Ru ⅩⅥ离子3d104l(l=s,P,d,f)组态能级,其结果与已有实验结果相当符合.而Tc ⅩⅤ离子的所有能级值纯属预测计算结果.     

旋转摩擦起电器几何参数的CFD模拟研究

旋转摩擦起电器是旋转摩擦电选机的核心部件,其性能很大程度上决定了静电分选机的分选效果。为探究旋转摩擦起电器几何参数对粉煤灰荷电效果的影响,采用标准k-ε湍流模型结合颗粒轨道模型,以粒径为20,40和60μm的球形碳、灰颗粒为研究对象,对所设计的8种不同摩擦起电器形状内颗粒的运动特性进行了数值模拟研究。结果表明：旋转摩擦轮截面边数为12且内凹圆弧和直线段交替分布时,不仅可显著减小颗粒在摩擦起电器右下方的堆积,而且颗粒的最大速率相比圆形摩擦轮截面的情形至少提高了3.56%,同时摩擦轮碰撞的区域面积相比圆形摩擦轮截面的情形至少提高了2倍以上,从而使碰撞摩擦更加充分,粉煤灰颗粒摩擦起电效果更好。     

静态存储器多比特翻转的概率失效模型

针对静态存储器出现的多比特翻转,提出了一种软错误失效模型.以"生日重合"理论作为多比特失效统计的基础,将常用加固方式纠错码和周期刷新作为分析条件得到累积错误和非累积错误的概率失效模型.前者为相同容量存储器的不同字长结构提供了失效概率的数值分析,并为实际测试结果提供了一个理论参考;后者量化了刷新周期的选取对于误码率改善程度.仿真结果显示90nm体硅工艺下,累积错误模型与低能量质子测试结果相符合;非累积错误模型分析的刷新周期略高于实际结果.     

单粒子瞬态效应硬件注入模型实现和仿真

基于量化组合逻辑门延迟思想和扫描测试的方法,提出了一种适用于FPGA硬件模拟单粒子瞬态效应的门级注入模型.该模型考虑了电气掩蔽效应对脉冲传输的影响,通过该模型可以对组合电路任意逻辑门进行错误注入.基于该模型对ISCAS’85基准电路进行单粒子瞬态的研究,实验结果表明该脉冲产生方法高效,注入速度达到105 faults/s.     

一种模拟SET的脉冲产生方法

提出一种基于PLL(Phase Locked Loop)的电子脉冲产生方法,利用该方法可以产生最小宽度为325ps的瞬态脉冲并对SRAM型FPGAs(Field Programmable Gate Arrays)中实现的组合逻辑电路进行SET传播特性的研究.实验结果表明该脉冲产生方法实现简单,可以在不改变电路布局布线的前提下,改变注入脉冲宽度,且由PLL相位计算出的理论脉冲宽度与实际测量误差小于3%.