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1.
光刻是制造大规模集成电路的主要方法。由于快速计算机和多功能处理器不断发展,并提出很多新的要求,促使半导体集成线路制造商力求增加单片上的元件密度。元件密度受最小光刻尺寸限制。虽然光刻工艺水平已能刻出准波长特征尺寸的集成线路的线宽,但是,连续发展几代的单片集成线路要求光源波长从436nm到365nm。用248nm波长光源(KrF准分子激光器).光刻的特征尺寸为0.25μm。期望能生产0.18μm特征尺寸的集成线路。为了生 相似文献
2.
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5.
国际光学工程学会于1994年7月28—29日在美国圣迭戈召开了“先进微器件和空间科学传感器”学术交流会,会议共交流15篇论文。第一部分论文阐述了关于行星表面,大气和行星际间探测所用的器件和系统以及今后三年对火星表面和大气探测可能用的微型器件和小型系统。第二部分论文重点论述了新的传感器技术在现场探测和遥测领域的潜在应用。第三部分论文阐述了行星探测和地球遥感仪器整体小型化问题。 相似文献
6.
信息显示学会1996年学术交流年会在美国加利福尼亚州圣地戈举行(5月14—16日).会上发表了有关液晶显示技术、主动式液晶显示器、发射式显示器、大型和小型显示器以及最传统的显示器—阴极射线管.会议还举办了成果展览和展示了有关技术论文,反映了显示器研究和应用方面的世界水平. 相似文献
7.
乙烯催化齐聚和芳构化是烯烃高值化和合成液体燃料的关键过程,采用NH3-TPD谱图分析计算方法得到的探针分子脱附活化能作为催化剂的酸位点强度分布的参数,结合线性自由能理论在Br?nsted方程中引入酸强度对反应的影响因子γ作为动力学方程参数关联探针分子脱附活化能与反应活化能,明确固体酸酸强度的基准在催化动力学方程中的物理意义。建立同为MFI拓扑结构 Si /Al摩尔比为12.5、19、25、60、70的ZSM-5分子筛催化剂上不同酸强度位和乙烯齐聚及芳构化中氢转移、齐聚、芳构化各单元步骤以及对应的烷烃、低碳烯烃和芳烃产物分布的定量关系。根据拟合得到动力学参数γ可以发现不同强度的酸位点对乙烯齐聚及芳构化具有不同的作用系数。氨脱附活化能(DAE)为90 kJ·mol-1的酸位点是氢转移反应的主要活性位点,而对于乙烯齐聚反应中主要的活性酸位点为DAE 90 kJ·mol-1和124 kJ·mol-1,DAE为150 kJ·mol-1的酸位点是芳构化反应的主要活性位点。 相似文献
8.
9.
自1980年日本成立光电技术发展趋势研究学会以来,一直关注和分析光电技术发展趋势并对未来的发展提出预测。本文将介绍对光电器件和材料、光通信、光学信息处理和光能四个领域的预测。到21世纪,信息网络将遍布世界,这将被称作一场信息革命。信息网络如同信息高速公路,文字、图像、声音和数据都可在网络上运行。很难预测信息网络的发展会给社会带来的变化,例如Internet网在很短时间内就得到普及。信息网络的发展孕育着极大的社会革新因素。 相似文献