火电厂中水高效除硬软化降浊新工艺试验研究

本文主要针对电厂水源市政中水的水质特点,利用丸粒化结晶造粒工艺进行除硬软化试验,通过试验研究可知,该企业所用的市政中水可以采用丸粒化结晶造粒工艺进行高效除硬软化处理,最佳反应流速为60～70m/h,最佳反应p H值在9.7左右,试验中最高脱钙率可以达到90%,出水钙离子最低浓度0.2mmol/L,且出水稳定性强,本次研究试验的除硬降浊新工艺可以完全替代现有的机加池软化工艺,可以深度处理市政中水,大幅提高现有预处理系统的软化效率,提高出水水质,进而提高循环水浓缩倍率,实现节水减排。     

3-D simulation of angled strike heavy-ion induced charge collection in silicon–germanium heterojunction bipolar transistors

This paper presents 3-D simulation of angled strike heavy-ion induced charge collection in domestic silicon-germanium heterojunction bipolar transistors （SiGe HBTs）. 3D damaged model of SiGe HBTs single-event effects （SEE） is built by TCAD simulation tools to research ions angled strike dependence. We select several different strike angles at variously typical ions strike positions. The charge collection mechanism for each terminal is identified based on analysis of the device structure and simulation results. Charge collection induced by angled strike ions presents a complex situation. Whether the location of device ions enters, as long as ions track through the sensitive volume, it will cause vast charge collection. The amount of charge collection of SiGe HBT is not only related to length of ions track in sensitive volume, but also influenced by STI and distance between ions track and electrodes. The simulation model is useful to research the practical applications of SiGe HBTs in space, and provides a theoretical basis for the further radiation hardening.     

γ辐照导致中波碲镉汞光伏器件暗电流退化的机理研究

针对红外探测器在空间应用中受到高能粒子辐照后暗电流退化的问题,开展射线对中波碲镉汞（HgCdTe）光伏器件暗电流影响的研究。在室温和77 K温度下,利用60Co-射线对HgCdTe器件进行辐照试验,辐照试验结束后对低温辐照器件进行77 K低温退火和室温退火。通过比较辐照前后和退火后器件的I-V特性、R-V特性和零偏动态电阻R0参数,分析了辐照对HgCdTe器件暗电流的影响机制。试验结果表明:在总剂量为7 Mrad（Si）照条件下,器件暗电流未出现明显的退化;在77 K温度辐照条件下,器件暗电流随着总剂量的增加而增加,且暗电流退化幅度与辐照过程中的偏置有关。研究表明暗电流的退化源于辐照在器件中造成电离损伤,导致器件HgCdTe化层中的界面态和空穴陷阱电荷密度增加。     

立轴冲击式破碎机

介绍了立轴冲击式破碎机的结构和工作原理,与常规的破碎方法相比,既有利用的潜力又有优势。举例说明了给料粒度大小和转子的圆周速度对产品的影响,并对所需的能量及磨损情况与其它的破碎设备进行了比较。     

两种提升机鉴定会在洛阳召开

1987年12月25～27日,河南省机械电子厅在洛阳主持召开了JKMD—2.8×4落地式多绳提升机和2JK—3.5/20C矿井提升机鉴定会。与会代表一致认为,洛阳矿山机器厂设计制造的这两种提升机在设计中都采用了多项最新科研成果,各项指标均达到了设计要求,经过较长时间的使用实践表明,这两种提升机的研制是成功     

现代水力旋流器

水力旋流器广泛应用于很多工业部门的分级和浓缩作业。1987年10月,英国流体力学研究会流体技术中心在英国克兰菲尔德(Cranfield)主持召开了第三届国际水力旋流器会议,讨论了旋流器的结构和使用方面研究的最新进展。     

抗辐射加固封装国产存储器的电子辐照试验

用特种复合屏蔽材料和缝焊封接工艺进行抗辐射封装,在普通封装存储器28C256的基础上,研制了抗辐射封装加固存储器LS28C256R。设计专用试验测试电路板和测试软件,以进行存储器器件加电工作条件下电子加速器辐照试验的动态测试。辐照对比试验结果表明,加固存储器LS28C256R的抗电子源辐照能力比普通封装存储器28C256提高1～2个数量级,为商用成品（Commercial Off-The—Shelf,COTS）器件在空间领域中的应用提供了技术支撑。     

基于虚拟仪器的频谱监测技术研究

首先介绍了对信号进行频谱分析的原理,并根据软件无线电和虚拟仪器的思想,基于NI(National Instruments)的PXI硬件模块和LabVIEW软件平台,实现了100 kHz~2.7 GHz频率范围内的宽带频谱扫描、频率测量、带内功率测量、邻波道功率测量、信号带宽测量等功能。最后,利用该测试平台对实际信号进行测量,并与频谱分析仪的测量结果进行比较,验证了该方案的有效性。     

电子辐照深亚微米MOS晶体管的总剂量效应

为了研究电子辐照导致CCD参数退化的损伤机理,以及CCD内不同沟道宽长比的NMOSFET的辐射效应,将与CCD同时流片的两种不同沟道宽长比的深亚微米NMOSFET进行电子辐照实验。分析了电子辐照导致NMOSFET阈值电压和饱和电流退化的情况,以及器件的辐射损伤敏感性。实验结果表明,电子辐照导致两种NMOSFET器件的参数退化情况以及辐射损伤敏感性类似。导致器件参数退化的主要原因是界面陷阱电荷,同时氧化物陷阱电荷表现出了一定的竞争关系。实验结果为研究CCD电子辐照导致的辐射效应提供了基础数据支持。