同位素稀释气相色谱-串联质谱法测定动物源食品中克霉唑残留量

建立了动物源食品(猪肉、鸡肉、猪脂肪、猪心、猪肝、猪肾)中克霉唑残留量的同位素稀释气相色谱-串联质谱(GC-MS/MS)测定方法.样品经加速溶剂提取后,用凝胶渗透色谱净化.采用HP-5 MS 色谱柱(30 m×0.25 mm×0.25 μm)进行分离,多反应监测(MRM)模式检测,同位素内标法定量.实验结果表明,克霉唑...     

底板岩巷穿层钻孔和水力冲孔消突技术试验研究

介绍了底板岩巷穿层钻孔和水力冲孔消突技术的施工设计、试验研究内容和水力冲孔消突技术的效果,提出了水力冲孔的施工要领、水力冲孔及其消突机理,研究表明,采用底板岩巷穿层钻孔与水力冲孔区域消突措施,可有效的消除突出应力,大幅度的增加煤层的透气性,保障了工作面的安全高效回采。     

激光增材制造难熔金属研究进展

难熔金属由于具有优异的综合性能而广泛应用于航空航天、装备制造、核工业及生物医疗等领域。但是由于高熔点及高韧脆转变温度的特点,尚存在加工制造困难、生产周期长、对设备要求高等问题,从而限制了其应用与发展。激光增材制造是近年来新兴的数字化制造技术之一,为制造和加工难熔金属提供了新的发展思路。本文重点介绍了近年来激光增材制造难熔金属的热点领域,包括钨及钨基重合金、纯钼及钼硅硼合金、铌硅及铌钛合金和多孔钽,对尚存在的问题进行了总结,最后对激光增材制造难熔金属未来的发展方向进行了展望。     

基于载流量降额因子的高压电力电缆热评估

提出了一种基于载流量降额因子的铠装高压电力电缆热评估方法,该降额因子考虑了导体的集肤效应、邻近效应及相邻电缆的热效应。首先,采用有限元模拟计算了电缆在基波和谐波电流条件下的交直流电阻比,确定了稳态负荷条件下电缆降额系因子计算方法。然后,根据国际电工委员会（IEC）标准对日循环负荷和谐波电流下的瞬态温度进行计算,并采用IEC方法和瞬态温度方法计算了循环额定系数。最后,采用有限元模拟计算了不同截面积的高压电缆在稳态负荷和日循环负荷下的电缆寿命、故障率和降额因子,计算结果验证了所提方法的优越性。     

关于"基泰"南京外交宾馆方案初始图的探究

在杨廷宝先生生前办公室里曾存放着一份建筑图纸——基泰工程司于1930年初设计的南京外交宾馆方案初始图。该文根据这份史料,再参考相关资料,探析了与此方案图相关的几个重要问题。更有意义的是,文章在最后分析了此方案对于杨廷宝先生的特殊含义：对传统建筑大屋顶形式的第一次真正尝试。     

高可靠性瓦级660nm半导体激光器研制

利用Zn扩散形成非吸收窗口的技术,制备了大功率660nm半导体激光器。在芯片窗口区用选择性扩Zn方式,使得窗口区有源层发光波长蓝移了61nm,有效降低了腔面的光吸收。制备的激光器芯片有源区条宽为150μm,腔长为1000μm,p面朝下用AuSn焊料烧结于AlN陶瓷热沉上。封装后的器件最高输出功率达到了4.2 W,并且没有出现灾变性光学腔面损伤的现象。半导体激光器的水平发散角为6°,垂直发散角为39°,室温1.5A电流下的激光峰值波长为659nm。使用简易的风冷散热条件,在1.5 A连续电流下老化10只激光器,4000h小时仍未出现失效现象。可见,所制备的660nm半导体激光器在瓦级以上功率连续输出时同时具有可靠性高及使用成本低的优势。     

大功率660 nm半导体激光器的电流电压特性

利用Zn扩散形成非吸收窗口技术,制备了大功率红光660 nm半导体激光器。对封装后的器件进行电流电压(I-V)特性测试。由于材料本身串联电阻的影响,半导体激光器的I-V曲线不再符合理想二极管I-V特性方程。通过数据拟合,得到半导体激光器的串联电阻约为0.5Ω。测试中还发现了两种异常I-V曲线,分别源于器件并联电阻及寄生二极管的影响。对每种I-V曲线建立了电路模型,并推导了I-V特性方程。分析认为制作过程中的金属工艺、烧结工艺和Zn扩散工艺等都会影响半导体激光器的电流分布及I-V特性。I-V特性测试可以用于半导体激光器的工艺监控与失效分析等。     

换一种方法读书——江苏公司“读书励志、品读青春”青年员工读书活动侧记

“你们知道‘太湖佳绝处,毕竟在鼋头’是谁的题词吗？”“我知道!这是郭沫若先生为太湖鼋头渚题的词。”这是由江苏无锡供电公司承办的江苏公司苏南片区“悦读会”青年文化沙龙活动“吴文化”知识问答环节中的一幕。