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以810 m煤矿立式抢险排水管道为例,研究排水管路正常运行时所受载荷,利用CAD模型建立了抢险排水管道结构的三维模型,运用ANSYS有限元分析软件对其进行静力学分析,模拟排水管道在给定静载荷作用下在竖直方向上的应力和应变分布状况,并对其安全性进行评价。研究得出排水系统最上端管道的横断面为危险截面,管道结构的最大应力为138.88 MPa,小于其应力极限,验证了管道结构的强度及稳定性,为煤矿立井抢险排水系统的可靠运行提供了依据,并结合安全性和经济性的原则,对下端管道的选材提出建议。 相似文献
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煤炭资源分布在各个地区的地下层,要开采出来就需要在地下进行施工作业,由于开采的特殊性,大多数情况下都会受到地质灾害或多或少的影响,地质灾害无法避免,但是可以通过人为的干预和控制尽量减少地质灾害对煤炭生产带来的损失和影响,所以在煤矿开采的过程中,使用先进有效的地质勘察方法是非常有必要的,合理运用勘察结果可以预防自然灾害的发生。本文主要研究了煤矿地质灾害中使用物探方法的有效性,以提出可行性建议。 相似文献
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Criterion for the second snapback of an LDMOS with an embedded SCR is given based on parasitic parameter analysis.According to this criterion,three typical structures are compared by numerical simulation and structural parameters which influence the second snapback are also analyzed to optimize the ESD characteristics. Experimental data showed that,as the second snapback voltage decreased from 25.4 to 8.1 V,the discharge ability of the optimized structure increased from 0.57 to 3.1 A. 相似文献
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为了降低芯片成本,通过使用低压器件串联的方式构造静电防护触发电路,使芯片在没有使用高压I/O器件的情况下实现了高压电源域的ESD防护。由于该触发电路未使用电容器件,因此有效地降低了ESD触发电路所占用的芯片面积,并且该电路为静态电压触发,其开启时间可远长于一般电容电阻耦合的触发电路。通过在HSPICE中使用类ESD(ESD-like)的方波脉冲,可以看出该电路在发生ESD时能有效地触发ESD器件,而在芯片正常工作时不易因外界干扰而产生误触发。 相似文献
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To prevent the non-uniform conduction phenomenon caused by the Kirk effect in an NLDMOS under ESD stress, a novel NLDMOS structure is proposed. High electron injection current is the base of Kirk effect. Higher electron injection can makes the Kirk effect more serious and lead easily to the non-uniform conduction phenomenon. By splitting the drain N+ with the field oxide in the proposed structure, the crowded current can lead to a higher voltage drop on the ballast resistance. Therefore, the non-uniform conduction is suppressed, and its failure current is much improved. 相似文献
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在建筑、桥梁、隧道等包含大量钢筋混凝土作业,其中钢筋的绑扎是必不可少的环节,由于人工操作费时费力,并且在一些盲区操作时,受空间的阻碍,人工无法顺利完成工作。目前在市场上还没有可以在盲区操作的钢筋绑扎的工具。为解决这一难题,方便工人在盲区的操作,研究出一种基于HALCON的盲操作区域钢筋绑扎的技术。工具通过摄像头采集盲区图像,借助HALCON做图像处理并识别定位铁丝圈,建立合适的模型计算出工具到铁丝圈的距离。并将相对距离显示在屏幕上面,引导操作人员将工具移动到目标位置绑扎钢筋。这种方法显著提高钢筋绑扎效率。 相似文献
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To enhance the robustness of LDMOS ESD protection devices, the influence of a source-bulk layout structure is analyzed by theoretical analysis and numerical simulation. Novel structures with varied source-bulk layout structures are fabricated and compared. As demonstrated by TLP testing, the optimized structure has an 88% larger It2 than a conventional one, and its Vtl is reduced from 55.53 to 50.69 V. 相似文献