p型掺杂GaAs液相外延材料的光致发光研究

对 Si 掺杂和 Zn 掺杂 p 型 GaAs 液相外延材料进行光致发光研究。用发射波长为510.6 nm 和578.2 nm 的溴化亚铜激光器为激发光源,样品的低温由氦循环致冷机提供,样品室温度在10～300K 中可调。在所选取的狭缝宽度下谱仪的分辨率大致为2 nm,所提供的数据全部经过系统灵敏度校正并进行分峰拟合。对 Si 掺杂 p 型 GaAs 样品 PL 谱中一些主要特征进行讨论,认为A_1,A_2,A_3三个发射带分别对应着导带“尾”态中电子向价带和两个浅受主能级的跃迁,它们随温度变化的情况,和带隙宽度及电子填充状态随温度变化有关。此外,我们还观察了掺 Zn 的 p 型 GaAs 样品的 PL 谱,与掺 Si 样品比较,具有明显不同的特征,谱线在长波端(～950 nm)的上扬趋势表明在低能区域可能存在一个与深能级复合有关的宽发射带。     

火花源质谱法鉴别同人头发

借助于火花源质谱内标法,分析头发中30种微量元素。论证一种浓度比匹配法,用以鉴别同人头发和观察不同人头发的总体差异性。理论预期与实验结果相符合。     

ICP-MS分析头发、血清、肿瘤组织中微量元素

用电感耦合等离子体质谱分析口腔颌面恶性肿瘤患者的头发、血清及肿瘤组织中２５种微量元素。借助内标法校正由基体效应引起的系统误差，加入内标元素Ｓｃ、Ｉｎ和Ｔｌ分别修正质量数在１００以下、１００－１８０和１８０以上的元素测定，获得满意的结果。为了检验方法的准确性，还测定了质控标准参照人发ＧＢＷ０９１０１，牛血清ＧＢＷ（Ｅ）０９０００６和牛肝ＧＷＢ（Ｅ）０８０１９３中微量元素的含量。     

p型掺杂GaAs液相外延材料的辐射复合研究

对Ｓｉ掺杂和Ｚｎ掺杂ｐ型ＧａＡｓ液相外延材料在３００Ｋ－６０Ｋ温区的辐射复合进行了光致发光研究。用发射波长为５１０．６ｎｍ和５７８．２ｎｍ的溴化亚铜激光器作为激发光源，样品的低温由拟循环制冷机提供，样品室温度在１０Ｋ－３００Ｋ中可调。在所选取的狭缝宽度下，谱仪的分辨率大致为２ｎｍ。本文所提供的数据全部经过系统灵第九度校正并进行分峰拟合。本文讨论了Ｓｉ掺杂ｐ型ＧａＡｓ样品ＰＬ谱中一些主要特征。认为Ａ     

火花源质谱法测定猪肝样品中的微量元素

本文介绍用火花源质谱法测定猪肝样品中K,Na,P,Mg,Fe,Ca,Rb,Cu和Cr等九种微量元素的方法。对样品电极的制备提出了一个可行的方案,不用传统的灰化方法而采用适度碳化技术有效去除有机干扰,提高方法灵敏度,并获得良好的导电性。不用外加内标元素而较精确地对杂质浓度的计算方法也是一个新颖的设想和有益的尝试,本文对这些方面进行了详细讨论,初步估计由此而引起的计算误差。对实验结果进行了相对灵敏度系数的修正。     

火花源质谱法测定头发中Cd

本文对头发中微量元素分析的若干问题进行了探讨,提出一种定标测定法对头发样品中的Gd进行定量分析。借助离子感光板的乳剂特性曲线和单曝光法,经过谱线面积因子和本底校正,考虑基体中Cd背景值的贡献,获得Cd浓度定标曲线。检测精度为14～21%。与普通定量分析结果比较,相对误差为11～18%。